路管芯和至少橫向密封集成電路管芯的密封材料。再分布結(jié)構(gòu)的第一表面遠(yuǎn)離復(fù)合結(jié)構(gòu)。UMB具有位于第一表面上的第一部分。第一部分的側(cè)壁與第一表面形成非垂直角度，并且在UBM內(nèi)部測量非垂直角度。粘合層位于UBM的第一部分上。第一介電層位于再分布結(jié)構(gòu)上并且鄰接粘合層。外部電連接件設(shè)置為穿過第一介電層并且位于UBM上。
[0047]在所述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述非垂直角度在從60度至85度的范圍內(nèi)。
[0048]在所述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述外部電連接件直接連接所述UBM。
[0049]在所述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述外部電連接件是焊球。
[0050]在所述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述再分布結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案和位于所述金屬化圖案上的第二介電層，所述再分布結(jié)構(gòu)的所述第一表面是所述第二介電層的表面，所述UBM還具有設(shè)置在穿過所述第二介電層的開口中并且至所述金屬化圖案的第二部分。[0051 ] 在所述封裝件結(jié)構(gòu)中，其中，所述UBM包括銅，并且所述粘合層包括氧化銅。
[0052]進(jìn)一步實(shí)施例是一種方法。該方法包括用密封劑密封集成電路管芯以及在集成電路管芯和密封劑上形成再分布結(jié)構(gòu)。再分布結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案和位于金屬化圖案上的第一介電層。第一介電層具有遠(yuǎn)離集成電路管芯和密封劑的第一表面。該方法還包括在再分布結(jié)構(gòu)上形成球下金屬(UBM)。UBM具有位于第一表面上的第一部分和設(shè)置在穿過第一介電層的開口中并且至金屬化圖案的第二部分。UBM的第一部分的側(cè)壁表面非垂直于第一介電層的第一表面。該方法還包括在第一介電層的第一表面上和UBM的第一部分上形成第二介電層，以及形成通過穿過第二介電層的開口并且至UBM的外部電連接件。
[0053]在上述方法中，其中，所述方法還包括:在所述UBM的所述第一部分上形成粘合層，所述第二介電層鄰接所述粘合層。
[0054]在上述方法中，其中，所述方法還包括:在所述UBM的所述第一部分上形成粘合層，所述第二介電層鄰接所述粘合層，其中，所述UBM包括銅，并且所述粘合層包括氧化銅。
[0055]在上述方法中，其中，所述方法還包括:在形成所述第二介電層之前，對所述UBM實(shí)施氧化處理。
[0056]在上述方法中，其中，所述方法還包括:在形成所述第二介電層之前，將所述UBM暴露于含氧等尚子體。
[0057]在上述方法中，其中，所述外部電連接件形成為直接連接至所述UBM。
[0058]在上述方法中，其中，形成所述UBM包括:在所述第一介電層的所述第一表面上形成負(fù)性光刻膠；將所述負(fù)性光刻膠的部分曝光于輻射；在所述曝光之后，顯影所述負(fù)性光刻膠，其中，在所述顯影之后，所述負(fù)性光刻膠具有穿過所述負(fù)性光刻膠的開口，所述開口具有光刻膠側(cè)壁；以及在所述開口中鍍導(dǎo)電材料以形成所述UBM，所述UBM的所述第一部分的所述側(cè)壁表面對應(yīng)于所述光刻膠側(cè)壁。
[0059]在上述方法中，其中，所述側(cè)壁表面與所述第一介電層的所述第一表面形成角度，在所述UBM內(nèi)部測量的所述角度為從60度至85度。
[0060]上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本文所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝件結(jié)構(gòu)，包括: 集成電路管芯； 密封劑，至少橫向密封所述集成電路管芯； 再分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述再分布結(jié)構(gòu)包括遠(yuǎn)離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置的第一介電層； 連接件支撐金屬，連接至所述再分布結(jié)構(gòu)，所述連接件支撐金屬具有位于所述第一介電層的第一表面上的第一部分并且具有在穿過所述第一介電層的開口中延伸的第二部分，所述連接件支撐金屬的所述第一部分具有傾斜側(cè)壁，所述傾斜側(cè)壁在遠(yuǎn)離所述第一介電層的所述第一表面的方向上延伸；以及 外部連接件，位于所述連接件支撐金屬上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件結(jié)構(gòu)，還包括: 粘合層，位于所述連接件支撐金屬的所述第一部分的至少部分上；以及第二介電層，位于所述第一介電層和所述粘合層上，所述外部連接件設(shè)置為通過穿過所述第二介電層的開口。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝件結(jié)構(gòu)，其中，所述連接件支撐金屬包括銅，并且所述粘合層是氧化銅。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝件結(jié)構(gòu)，其中，所述外部連接件直接連接至所述連接件支撐金屬。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件結(jié)構(gòu)，其中，在所述連接件支撐金屬內(nèi)部測量的由所述傾斜側(cè)壁和所述第一表面形成的角度在從60度至85度的范圍內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件結(jié)構(gòu)，其中，所述再分布結(jié)構(gòu)還包括: 金屬化圖案，所述第一介電層位于所述金屬化圖案上，所述連接件支撐金屬機(jī)械和電連接至所述金屬化圖案。7.—種封裝件結(jié)構(gòu)，包括: 復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括集成電路管芯和至少橫向密封所述集成電路管芯的密封材料； 再分布結(jié)構(gòu)，位于所述復(fù)合結(jié)構(gòu)上，所述再分布結(jié)構(gòu)的第一表面遠(yuǎn)離所述復(fù)合結(jié)構(gòu)； 球下金屬(UBM)，位于所述再分布結(jié)構(gòu)上，所述UMB具有位于所述第一表面上的第一部分，所述第一部分的側(cè)壁與所述第一表面形成非垂直角度，在所述UBM內(nèi)部測量所述非垂直角度； 粘合層，位于所述UBM的所述第一部分上； 第一介電層，位于所述再分布結(jié)構(gòu)上并且鄰接所述粘合層；以及 外部電連接件，設(shè)置為穿過所述第一介電層并且位于所述UBM上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝件結(jié)構(gòu)，其中，所述非垂直角度在從60度至85度的范圍內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝件結(jié)構(gòu)，其中，所述外部電連接件直接連接所述UBM。10.一種方法，包括: 用密封劑密封集成電路管芯； 在所述集成電路管芯和所述密封劑上形成再分布結(jié)構(gòu)，所述再分布結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案和位于所述金屬化圖案上的第一介電層，所述第一介電層具有遠(yuǎn)離所述集成電路管芯和所述密封劑的第一表面； 在所述再分布結(jié)構(gòu)上形成球下金屬(UBM)，所述UBM具有位于所述第一表面上的第一部分和第二部分，所述第二部分設(shè)置在穿過所述第一介電層的開口中并且至所述金屬化圖案，所述UBM的所述第一部分的側(cè)壁表面與所述第一介電層的所述第一表面非垂直； 在所述第一介電層的所述第一表面上和所述UBM的所述第一部分上形成第二介電層；以及 形成通過穿過所述第二介電層的開口并且至所述UBM的外部電連接件。
【專利摘要】本發(fā)明討論了封裝件結(jié)構(gòu)和形成封裝件結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)一些實(shí)施例，封裝件結(jié)構(gòu)包括集成電路管芯、至少橫向密封集成電路管芯的密封劑、位于集成電路管芯和密封劑上的再分布結(jié)構(gòu)、連接至再分布結(jié)構(gòu)的連接件支撐金屬以及位于連接件支撐金屬上的外部連接件。再分布結(jié)構(gòu)包括遠(yuǎn)離密封劑和集成電路管芯設(shè)置的介電層。連接件支撐金屬具有位于介電層的表面上的第一部分并且具有在穿過介電層的開口中延伸的第二部分。連接件支撐金屬的第一部分具有在遠(yuǎn)離介電層的表面的方向上延伸的傾斜側(cè)壁。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及具有UBM的封裝件和形成方法。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/485, H01L21/50
【公開號(hào)】CN105428329
【申請?zhí)枴緾N201510434802
【發(fā)明人】余振華, 李建裕, 郭宏瑞, 黃立賢, 陳憲偉, 葉德強(qiáng), 劉重希, 鄭心圃
【申請人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年7月22日
【公告號(hào)】US20160079190