第三絕緣層133形成在第二焊盤112和第三焊盤113之間，第四絕緣層134形成在第三焊盤113和第四焊盤114之間，第五絕緣層135形成在第四焊盤114和第五焊盤115之間，第六絕緣層136形成在第五焊盤115和第六焊盤116之間。
[0044]第一通路網(wǎng)(via net) 141在第二絕緣層132中電連接第一焊盤111和第二焊盤112，第二通路網(wǎng)142在第三絕緣層133中電連接第二焊盤112和第三焊盤113，第三通路網(wǎng)143在第四絕緣層134中電連接第三焊盤113和第四焊盤114，第四通路網(wǎng)144在第五絕緣層135中電連接第四焊盤114和第五焊盤115，第五通路網(wǎng)145在第六絕緣層136中電連接第五焊盤115和第六焊盤116。
[0045]保護(hù)層300形成在處于多層的頂部的第六絕緣層136上，并保護(hù)下方的半導(dǎo)體裝置。
[0046]圖2A是半導(dǎo)體裝置的沿著圖1中的線A-A'截取的俯視圖。將參照?qǐng)D2A詳細(xì)說明通路網(wǎng)141-145。
[0047]如圖2A中所示，第五通路網(wǎng)145具有設(shè)置了多個(gè)單元格150的網(wǎng)狀(僅用標(biāo)號(hào)示出了多個(gè)單元格中的一個(gè)單元格)。多個(gè)單元格中的每個(gè)單元格與其相鄰的單元格接觸以形成網(wǎng)結(jié)構(gòu)，將第五焊盤115與第六焊盤116電連接的通路孔160形成在單元格150中。為了電連接第五焊盤115與第六焊盤116，第五通路網(wǎng)145和通路孔160可由導(dǎo)電金屬(例如媽)構(gòu)成。
[0048]在圖2A中，第五通路網(wǎng)145的單元格150具有矩形形狀，但是單元格150的形狀可根據(jù)示例性實(shí)施例改變，這將在下面進(jìn)行說明。
[0049]在通過焊盤窗120執(zhí)行引線接合或探查的同時(shí)，會(huì)將外力施加到第六焊盤116，因此在焊盤區(qū)10上會(huì)出現(xiàn)機(jī)械應(yīng)力。結(jié)果，在由脆性的介電材料構(gòu)成的絕緣層131-136上會(huì)出現(xiàn)裂縫。然而，如圖2A中所示，第五通路網(wǎng)145具有單元格150彼此連接的網(wǎng)狀，因此第五通路網(wǎng)145足夠堅(jiān)固以耐受外力，并且第五通路網(wǎng)145分散機(jī)械應(yīng)力。因此，可防止絕緣層131-136上出現(xiàn)裂縫。
[0050]即使絕緣層131-136上出現(xiàn)裂縫，第五通路網(wǎng)145的單元格150也防止該裂縫蔓延，該裂縫保持在單元格150內(nèi)。
[0051]另外，因?yàn)榫哂芯W(wǎng)狀的第五通路網(wǎng)145增大了通路密度(via density)，所以第六焊盤116與第六焊盤116下方的第六絕緣層136之間的附著性可增強(qiáng)。因此，還可以提高封裝良率。
[0052]在這種情況下，由第五通路網(wǎng)145和第五通路網(wǎng)145的單元格150中的通路孔160組成的導(dǎo)電金屬的比率可以是單元格150的整體面積的大約10% -75%。如果導(dǎo)電金屬占整體面積的比率小于大約10%，則絕緣材料的比率變得較大，因此可能不能耐受引線接合或探查的過程中施加的外力。另一方面，如果導(dǎo)電金屬占整體面積的比率大于大約75%，則變得難以圖案化單元格150內(nèi)的通路孔160。如果多個(gè)通路孔160a-160e形成在單元格150中(這將在下面參照?qǐng)D2B進(jìn)行說明)，則多個(gè)通路孔160a-160e可彼此附著，因此通路孔的比率可增大。除此之外，后續(xù)工藝中的殘余物去除工藝會(huì)損害防止裂縫的作用。
[0053]在示例性實(shí)施例中，提供了僅與第五通路網(wǎng)145有關(guān)的描述。因?yàn)榈谝煌肪W(wǎng)141至第四通路網(wǎng)144的結(jié)構(gòu)與第五通路網(wǎng)145的結(jié)構(gòu)相同，所以將不提供關(guān)于第一通路網(wǎng)141至第四通路網(wǎng)144的描述。
[0054]在圖2A中，第五通路網(wǎng)145的單元格150中的通路孔160可以設(shè)置在單元格150的中心。如果通路孔160不設(shè)置在單元格150的中心，則會(huì)由于不對(duì)稱而使得應(yīng)力集中在單元格150的特定區(qū)域上。
[0055]圖2B是另一示例性實(shí)施例，其與圖2A的不同之處在于多個(gè)通路孔160a_160e而不是一個(gè)通路孔形成在第五通路網(wǎng)145的單元格150中。如上面所說明的，多個(gè)通路孔160a-160e關(guān)于單元格150的中心對(duì)稱地設(shè)置，以防止應(yīng)力集中在特定區(qū)域上。也就是說，第一通路孔160a設(shè)置在單元格150的中心，第二通路孔160b至第五通路孔160e關(guān)于處于單元格150中心的第一通路孔160a對(duì)稱地設(shè)置。在示例性實(shí)施例中，五個(gè)通路孔160a-160e形成在單元格150中，但是形成在單元格150中的通路孔的數(shù)目可根據(jù)示例性實(shí)施例改變。
[0056]圖2C是另一示例性實(shí)施例，其與圖2A的不同之處在于第五通路網(wǎng)145的單元格150具有三角形形狀而不是矩形形狀。雖然該單元格150的形狀是不同的，但是因?yàn)樵摰谖逋肪W(wǎng)145也具有單元格150彼此連接的網(wǎng)狀，所以該第五通路網(wǎng)145具有同樣的防止裂縫的作用。應(yīng)當(dāng)注意的是，根據(jù)示例性實(shí)施例，在該單元格150中還可以形成多于一個(gè)的通路孔160。
[0057]圖2D是另一示例性實(shí)施例，其與圖2A的不同之處在于第五通路網(wǎng)145的單元格150具有六邊形形狀而不是矩形形狀。雖然該單元格150的形狀是不同的，但是因?yàn)樵摰谖逋肪W(wǎng)145也具有單元格150彼此連接的網(wǎng)狀，所以該第五通路網(wǎng)145具有同樣的防止裂縫的作用。應(yīng)當(dāng)注意的是，根據(jù)示例性實(shí)施例，在該單元格150中還可以形成多于一個(gè)的通路孔160。
[0058]圖2E是另一示例性實(shí)施例，其與圖2A的不同之處在于第五通路網(wǎng)145的單元格150具有八邊形形狀而不是矩形形狀。雖然該單元格150的形狀是不同的，但是因?yàn)樵摰谖逋肪W(wǎng)145也具有單元格150彼此連接的網(wǎng)狀，所以該第五通路網(wǎng)145具有同樣的防止裂縫的作用。應(yīng)當(dāng)注意的是，根據(jù)示例性實(shí)施例，在該單元格150中還可以形成多于一個(gè)的通路孔160。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，第五通路網(wǎng)145的單元格150可具有多邊形的形狀。
[0059]圖2F是另一示例性實(shí)施例，其與圖2A的不同之處在于第五通路網(wǎng)145的單元格150具有圓形形狀而不是矩形形狀。雖然該單元格150的形狀是不同的，但是因?yàn)樵摰谖逋肪W(wǎng)145也具有單元格150彼此連接的網(wǎng)狀，所以該第五通路網(wǎng)145具有同樣的防止裂縫的作用。應(yīng)當(dāng)注意的是，根據(jù)示例性實(shí)施例，在該單元格150中還可以形成多于一個(gè)的通路孔 160。
[0060]圖3A至圖3F是示出制造圖1中的半導(dǎo)體裝置1的工藝的示意圖。將參照?qǐng)D3A至圖3F說明根據(jù)示例性實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置1的方法。
[0061]首先，如圖3A中所示，在基底30上形成第一絕緣層131和接觸塞31。為此，可以執(zhí)行沉積、選擇性蝕刻和磨削的操作。
[0062]然后，如圖3B中所示，在接觸塞31上形成第一焊盤111。為此，可以執(zhí)行沉積、選擇性蝕刻和磨削的操作。因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)容易地理解形成第一焊盤111的方法，所以將不詳細(xì)說明該方法。當(dāng)形成第一焊盤111時(shí)，還可以同時(shí)形成電路區(qū)20中的金屬圖案
21ο
[0063]如圖3C中所示，在第一焊盤111上形成第二絕緣層132。為此，可以執(zhí)行沉積和磨削的操作。因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)容易地理解形成第二絕緣層132的方法，所以將不詳細(xì)說明該方法。
[0064]之后，如圖3D中所示，形成第二絕緣層132中的第一通路網(wǎng)141和第一通路網(wǎng)141的單元格中的通路孔。為此，可以執(zhí)行選擇性蝕刻、沉積、磨削、濺射和W插塞的操作。例如，將光致抗蝕劑涂敷到第二絕緣層132的頂表面，并通過曝光和顯影的工藝形成與第一通路網(wǎng)141和第一通路網(wǎng)141的單元格中的通路孔對(duì)應(yīng)的通路圖案。使用這樣的通路圖案作為掩模蝕刻第二絕緣層132，并暴露第一焊盤111的一部分。然后，去除通路圖案，并在第二絕緣層132的被蝕刻的區(qū)域上形成薄的勢皇金屬層(barrier metal layer)。沉積勢皇金屬層是為了提高第二絕緣層132和稍后將要沉