積的鎢(W)之間的附著力。可以使用Ti/TiN作為勢皇金屬層。隨后，使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在勢皇金屬層上沉積鎢(W)。另外，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或回蝕(etch back)處理，以去除位于第二絕緣層132上方的鎢(W)和勢皇金屬層。因此，形成第一通路網(wǎng)141和第一通路網(wǎng)141的單元格中的通路孔。在這種情況下，第一通路網(wǎng)141可具有與圖2A至圖2F中示出的形狀相同的形狀。當(dāng)形成第一通路網(wǎng)141時(shí)，還可以同時(shí)形成電路區(qū)20中的通路孔22。
[0065]如圖3E中所示，可在第一通路網(wǎng)141上形成第二焊盤112。為此，可以執(zhí)行沉積、選擇性蝕刻和磨削的操作。當(dāng)形成第二焊盤112時(shí)，還可以同時(shí)形成電路區(qū)20中的金屬圖案21。在該示例性實(shí)施例中，第二焊盤112與第一通路網(wǎng)141分開地形成，但是第二焊盤112與第一通路網(wǎng)141可以同時(shí)形成。
[0066]如果重復(fù)上述工藝，則可以形成多層結(jié)構(gòu)，如圖3F中所示。
[0067]處于多層頂部的第六焊盤116可由諸如鋁和銅之類的金屬構(gòu)成。如果第六焊盤116由鋁構(gòu)成，則可以在鋁的頂部和底部上另外形成難熔金屬。這樣的難熔金屬包括T1、TiN和TiW。例如，處于多層頂部的第六焊盤116可由Ti/Al/TiN(頂)或Ti/TiN/Al/TiN(頂)構(gòu)成。因?yàn)殡y熔金屬另外地形成在暴露于外部的第六焊盤116上，所以更加有效地防止裂縫的出現(xiàn)。
[0068]然后，如圖3G中所示，在第六絕緣層136上形成具有焊盤窗120的保護(hù)層300。
[0069]可以按照上面的工藝形成根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1。
[0070]圖4是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1'的剖視圖。在下面的描述中，相同的附圖標(biāo)號用于執(zhí)行相同功能的元件，并且將不提供關(guān)于上面已經(jīng)提及的元件的詳細(xì)說明。
[0071]圖4中的示例性實(shí)施例與圖1中的示例性實(shí)施例的不同之處在于第一焊盤111至第三焊盤113在圖4中不存在。也就是說，焊盤區(qū)10僅包括第四焊盤114至第六焊盤116以及第四通路網(wǎng)144和第五通路網(wǎng)145，焊盤區(qū)10中的最下部的第四焊盤114形成在與基底30間隔開的第四絕緣層134上。因此，焊盤114-116僅形成在特定的層上，而不是半導(dǎo)體裝置廣的每個層上。因?yàn)橛泻副P區(qū)10上會出現(xiàn)裂縫的可能性，所以電路區(qū)20通常不設(shè)置在焊盤區(qū)10的下方。然而，根據(jù)示例性實(shí)施例，因?yàn)楸景l(fā)明可防止焊盤區(qū)10上出現(xiàn)裂縫，所以形成有電子電路的電路區(qū)20可設(shè)置在焊盤區(qū)10的下方，如圖4中所示。因此，可以增大電路密度，并使半導(dǎo)體裝置P小型化和緊湊化。
[0072]在與圖4有關(guān)的示例性實(shí)施例中，使用了第四通路網(wǎng)144和第五通路網(wǎng)145，但是可以僅存在第五通路網(wǎng)145，并可以使用常用的通路結(jié)構(gòu)來連接第四焊盤114和第五焊盤115。這還可以應(yīng)用于前述的示例性實(shí)施例，之所以這樣是因?yàn)槿绻谝€接合或探查的過程中對焊盤區(qū)10施加較弱的力，則僅需要暴露于外部的第六焊盤116與形成在第六焊盤下方的第五焊盤115之間的通路網(wǎng)145來防止裂縫的出現(xiàn)。因此，應(yīng)當(dāng)理解的是，通路網(wǎng)可以僅存在于特定的層中，可以在其余層中使用常用的通路結(jié)構(gòu)。
[0073]在與圖4有關(guān)的示例性實(shí)施例中，不存在第一焊盤111至第三焊盤113，但是可以不存在第一焊盤111至第四焊盤114，并且焊盤區(qū)10可以僅由第五焊盤115、第六焊盤116和第五通路網(wǎng)145構(gòu)成。這樣，焊盤的序號可以任意地改變。
[0074]雖然示出并描述了本發(fā)明的幾個實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對該實(shí)施例做出改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 下焊盤； 上焊盤，所述上焊盤形成在下焊盤的上方； 絕緣層，所述絕緣層形成在下焊盤和上焊盤之間； 通路網(wǎng)，所述通路網(wǎng)在絕緣層中用于將下焊盤和上焊盤電連接，所述通路網(wǎng)具有網(wǎng)狀，其中在平面圖中，包括導(dǎo)電金屬的單元格連接到與該單元格相鄰的包括導(dǎo)電金屬的多個單元格以形成導(dǎo)電金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)； 至少一個通路孔，在通路網(wǎng)的單元格中用于將下焊盤和上焊盤電連接，多個通路孔在通路網(wǎng)的各單元格中用于將下焊盤和上焊盤電連接，其中，所述多個通路孔包括第一通路孔、第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔，第一通路孔設(shè)置在通路網(wǎng)的單元格的中心，第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔關(guān)于第一通路孔對稱地設(shè)置； 難熔金屬層，形成在上焊盤上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，通路網(wǎng)的單元格具有多邊形的形狀。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，通路網(wǎng)的單元格具有三角形、矩形、六邊形和八邊形中的至少一種形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述通路網(wǎng)具有矩形網(wǎng)結(jié)構(gòu)，在所述矩形網(wǎng)結(jié)構(gòu)中矩形單元格連接到與該矩形單元格相鄰的多個單元格以形成所述矩形網(wǎng)結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，下焊盤、上焊盤、絕緣層和通路網(wǎng)作為整體以兩層或多于兩層的層堆疊。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，下焊盤形成在與所述半導(dǎo)體裝置的基底間隔開的另一絕緣層上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，形成有電子電路的電路區(qū)設(shè)置在下焊盤的下方。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，難熔金屬層包括T1、TiN和TiW層中的至少一個。9.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 下焊盤； 上焊盤，所述上焊盤形成在下焊盤的上方； 絕緣層，所述絕緣層形成在下焊盤和上焊盤之間； 通路網(wǎng)，所述通路網(wǎng)在絕緣層中用于將下焊盤和上焊盤電連接，所述通路網(wǎng)具有矩形網(wǎng)結(jié)構(gòu)，其中在平面圖中，包括導(dǎo)電金屬的矩形單元格連接到與該矩形單元格相鄰的包括導(dǎo)電金屬的多個單元格以形成導(dǎo)電金屬矩形網(wǎng)結(jié)構(gòu)； 多個通路孔，在通路網(wǎng)的單元格中用于將下焊盤和上焊盤電連接， 所述多個通路孔中的第一通路孔設(shè)置在矩形單元格的中心， 至少兩個通路孔設(shè)置在第一通路孔與矩形單元格的第一邊之間， 其中，矩形單元格具有四個邊，各個邊彼此連接并且各個邊包括導(dǎo)電金屬， 其中，絕緣層形成在矩形單元格的內(nèi)部， 其中，第一通路孔被絕緣層完全圍繞， 其中，在矩形單元格中，絕緣層占據(jù)除了第一通路孔和所述至少兩個通路孔之外的其余部分。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個通路孔還包括第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔，第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔關(guān)于第一通路孔對稱地設(shè)置。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于防止焊盤區(qū)中的裂縫的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括：下焊盤；上焊盤，形成在下焊盤的上方；絕緣層，形成在下焊盤和上焊盤之間；通路網(wǎng)，在絕緣層中用于將下焊盤和上焊盤電連接，所述通路網(wǎng)具有網(wǎng)狀，其中在平面圖中，包括導(dǎo)電金屬的單元格連接到與該單元格相鄰的包括導(dǎo)電金屬的多個單元格以形成導(dǎo)電金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)；至少一個通路孔，在通路網(wǎng)的單元格中用于將下焊盤和上焊盤電連接，多個通路孔在通路網(wǎng)的各單元格中用于將下焊盤和上焊盤電連接，其中，多個通路孔包括第一通路孔至第五通路孔，第一通路孔設(shè)置在通路網(wǎng)的單元格的中心，第二通路孔至第五通路孔關(guān)于第一通路孔對稱地設(shè)置；難熔金屬層，形成在上焊盤上。
【IPC分類】H01L23/492, H01L23/48, H01L21/60
【公開號】CN105428336
【申請?zhí)枴緾N201510795521
【發(fā)明人】鄭鐘烈
【申請人】美格納半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2010年11月30日
【公告號】CN102244059A, US9373591, US20110272818