一種襯底翹曲度的調整方法
【技術領域】
[0001]本申請涉及半導體制造工藝技術領域，尤其涉及一種襯底翹曲度的調整方法。
【背景技術】
[0002]隨著半導體產業(yè)的飛速發(fā)展，所加工襯底的尺寸也不斷增加，以加工硅片為例，目前12寸的硅片已經成為主流，在未來的數(shù)年內，甚至會出現(xiàn)15寸的硅片。然而，硅片尺寸越大，硅片的翹曲性也越容易凸顯出來，例如表面沉積有薄膜的覆膜硅片。通常采用彎曲度(Bow value)來衡量硅片的翹曲程度，硅片的翹曲度有正負之分，硅片朝向薄膜彎曲時，翹曲度為正，而硅片背向薄膜彎曲時，其翹曲度就為負。
[0003]在對硅片的若干項加工工藝中，需要使用高精度的機械手臂對其進行裝載等一系列的動作，而如果硅片翹曲度過大，機械手臂就有可能吸不住硅片而導致不能對其進行作業(yè)。
[0004]當發(fā)生該情況時，通常采用的方法就是調整前面的硅片加工工藝，如對沉積薄膜的厚度或者種類進行調整、或者對工藝順序進行調整等，并需要進行多次實驗，直至機械手臂順利作業(yè)。然而這種方法效率較低，而且改變工藝后可能會對最終產品產生未知的影響，例如，降低產品性能等。

【發(fā)明內容】

[0005]為解決上述技術問題，本申請實施例提供一種襯底翹曲度的調整方法，能夠在不影響原有襯底加工工藝的情況下，高效的對襯底的翹曲度進行可控調整。技術方案如下:
[0006]一種襯底翹曲度的調整方法，包括:
[0007]獲得襯底的翹曲度，其中，所述襯底的第一表面上形成有第一薄膜；
[0008]判斷所述襯底的翹曲度的絕對值是否大于或等于翹曲度閾值；
[0009]若是，則在所述襯底的第二表面上形成調整薄膜，使所述襯底的翹曲度小于所述翹曲度閾值，其中，所述調整薄膜的膨脹系數(shù)與所述第一薄膜的膨脹系數(shù)均小于所述襯底的膨脹系數(shù)，或者，所述調整薄膜的膨脹系數(shù)與所述第一薄膜的膨脹系數(shù)均大于所述襯底的膨脹系數(shù)；所述第一表面的法線方向與所述第二表面的法線方向相反。
[0010]進一步，所述翹曲度閾值為200微米。
[0011 ] 進一步，所述襯底為硅片。
[0012]進一步，所述調整薄膜為高拉應力薄膜或高壓應力薄膜。
[0013]進一步，所述調整薄膜為氮化硅薄膜或氮化鈦薄膜或鎢金屬薄膜。
[0014]本發(fā)明實施例至少具有以下有益效果:
[0015]本實施例通過在襯底上形成調整薄膜來修正或調整襯底的翹曲程度，從而減小了襯底的翹曲度，使得機械手臂可以吸住襯底并對其進行裝載等一系列的作業(yè)。該方法能夠在不影響原有襯底加工工藝的情況下，高效的對襯底的翹曲度進行可控調整，保證了產品的性能，并能夠使得薄膜沉積之后的光刻工藝等順利進行。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。以下附圖并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制，重點在于示出本申請的主旨。
[0017]圖1為本發(fā)明實施例一種襯底翹曲度的調整方法流程圖；
[0018]圖2a為在襯底上形成第一薄膜的結構示意圖；
[0019]圖2b為圖2a所示的襯底在形成第一薄膜后收縮至翹曲度為正的結構示意圖；
[0020]圖2c為圖2a所示的襯底在形成第一薄膜后收縮至翹曲度為負的結構示意圖；
[0021]圖3a為在如圖2b所示的襯底上形成調整薄膜的結構示意圖；
[0022]圖3b為在如圖2c所示的襯底上形成調整薄膜的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0023]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0024]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0025]其次，本發(fā)明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示裝置結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0026]現(xiàn)有技術中，襯底產生翹曲的原因之一是:當薄膜在高溫的情況下沉積在襯底上后，在降溫至室溫的過程中，薄膜和襯底均會發(fā)生一定程度的收縮，若薄膜收縮程度更大，襯底會朝向薄膜翹曲，其翹曲度為正；若薄膜收縮程度更小，襯底會背向薄膜翹曲，其翹曲度為負。也即襯底產生翹曲是薄膜與襯底的膨脹系數(shù)不一致導致的?；诖耍旧暾埻ㄟ^在襯底的背面再形成一層薄膜來修正或調整襯底的翹曲程度，從而減小襯底的翹曲度，使得機械手臂可以吸住襯底并對其進行裝載等一系列的作業(yè)。
[0027]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案進行描述。
[0028]參見圖1，為本發(fā)明實施例一種襯底翹曲度的調整方法流程圖。
[0029]本實施例中，如圖2a所示，襯底21的第一表面上形成有第一薄膜22，該第一薄膜22可以是通過沉積，濺射或外延生長等方式形成。當環(huán)境溫度由薄膜生長溫度降溫至室溫時，由于襯底21與第一薄膜22的膨脹系數(shù)不一致，襯底21產生翹曲，假設第一薄膜22收縮程度大于襯底21的收縮程度，就會形成圖2b所示的翹曲，假設第一薄膜22的收縮程度小于襯底21的收縮程度，就會形成如圖2c所示的翹曲。該襯底翹曲度的調整方法可以包括:
[0030]步驟101，獲得襯底的翹曲度，襯底的第一表面上形成有第一薄膜。
[0031]該翹曲度的計算可以采用現(xiàn)有技術中的衡量方法，例如采用彎曲度(Bow value)來衡量，具體可以是計算彎曲后襯底邊緣最高點與最低點的高度差。
[0032]步驟102，判斷襯底的翹曲度的絕對值是否大于或等于翹曲度閾值。
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