0033]該翹曲度閾值可以根據(jù)吸附該襯底的機械手臂的吸附能力及襯底自身參數(shù)等相關量來確定，例如，假設襯底翹曲度大于或等于200um時，光刻機的機械手臂就不能順利作業(yè)，貝1J可以確定翅曲度閾值為200um。
[0034]在本步驟中判斷襯底的翹曲度是否大于或等于翹曲度閾值，若是，則轉(zhuǎn)入步驟103，若否，則不再對襯底的翹曲度進行調(diào)整。
[0035]步驟103，在襯底的第二表面上形成調(diào)整薄膜；第一表面的法線方向與第二表面的法線方向相反。
[0036]如圖3a?3b所示，在襯底21的第二表面形成調(diào)整薄膜23，其中，第一表面的法線方向與第二表面的法線方向相反，也即調(diào)整薄膜23與第一薄膜22分別位于襯底21的兩偵牝例如，第一薄膜22位于襯底21的正面，調(diào)整薄膜23位于襯底21的背面，該調(diào)整薄膜23的應力方向與第一薄膜22的應力方向一致。
[0037]該調(diào)整薄膜23可以通過化學沉積、濺射、蒸鍍、外延生長等方式形成，該調(diào)整薄膜23的膨脹系數(shù)與第一薄膜22的膨脹系數(shù)均小于襯底21的膨脹系數(shù)，或者，該調(diào)整薄膜23的膨脹系數(shù)與第一薄膜22的膨脹系數(shù)均大于襯底21的膨脹系數(shù)。
[0038]當調(diào)整薄膜23形成后環(huán)境溫度降至室溫的過程中，調(diào)整薄膜23和襯底21均會發(fā)生一定程度的收縮，由于上述膨脹系數(shù)關系，如果第一薄膜22的收縮程度大于襯底21的收縮程度，形成如圖2b所示的襯底翹曲程度，則由于調(diào)整薄膜23的收縮程度也同樣大于襯底21的收縮程度，此時，如圖3a所示，調(diào)整薄膜23的收縮會使得襯底21開始朝向調(diào)整薄膜23彎曲，最終襯底21的翹曲程度由調(diào)整薄膜23的收縮程度來確定；如果第一薄膜22的收縮程度小于襯底21的收縮程度，形成如圖2c所示的襯底翹曲程度，則由于該調(diào)整薄膜23的收縮程度也同樣小于襯底21的收縮程度，此時，如圖3b所示，調(diào)整薄膜23的收縮會使得襯底21開始朝向第一薄膜22的方向彎曲，最終襯底21的翹曲程度由調(diào)整薄膜23的收縮程度來確定，從而可以對具有第一薄膜22的襯底21的翹曲度起到調(diào)整或修正作用。
[0039]在形成調(diào)整薄膜23時具體可以根據(jù)襯底21的翹曲度設置調(diào)整薄膜23的厚度和層數(shù)，例如翹曲度的絕對值越大形成的調(diào)整薄膜23的厚度越厚，或者選擇調(diào)整薄膜23的膨脹系數(shù)與襯底的膨脹系數(shù)相差更大的材質(zhì)來形成調(diào)整薄膜23等，還可以形成多層調(diào)整薄膜23，多層調(diào)整薄膜23可以是相同材質(zhì)也可以是不同材質(zhì)，只要使得形成調(diào)整薄膜23后襯底21的翹曲度得到調(diào)整或修正，使得襯底21的翹曲度小于翹曲度閾值即可，例如小于200um。調(diào)整薄膜23的厚度和材質(zhì)可以根據(jù)實驗獲得。例如，可設置調(diào)整薄膜23的厚度與第一薄膜22的厚度相同。
[0040]該調(diào)整薄膜23可以是高拉應力或高壓應力薄膜，例如氮化硅薄膜、TiN、W等薄膜。本發(fā)明實施例中的襯底可以是硅片或其他基底。
[0041]本實施例通過在襯底上形成調(diào)整薄膜來修正或調(diào)整襯底的翹曲程度，從而減小了襯底的翹曲度，使得機械手臂可以吸住襯底并對其進行裝載等一系列的作業(yè)。該方法夠在不影響原有襯底加工工藝的情況下，高效的對襯底的翹曲度進行可控調(diào)整，保證了產(chǎn)品的性能，并能夠使得薄膜沉積之后的光刻工藝順利進行。
[0042]以上實施例中，各部件的形狀和結構僅為示例，并非限定。并且，以上各部件還可以用其它具有相同功能的元件來分別替換，以組合形成更多的技術方案，且這些替換后形成的技術方案均應在本發(fā)明技術方案保護的范圍之內(nèi)。
[0043]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。
[0044]雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內(nèi)容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種襯底翹曲度的調(diào)整方法，其特征在于，包括: 獲得襯底的翹曲度，其中，所述襯底的第一表面上形成有第一薄膜； 判斷所述襯底的翹曲度的絕對值是否大于或等于翹曲度閾值； 若是，則在所述襯底的第二表面上形成調(diào)整薄膜，使所述襯底的翹曲度小于所述翹曲度閾值，其中，所述調(diào)整薄膜的膨脹系數(shù)與所述第一薄膜的膨脹系數(shù)均小于所述襯底的膨脹系數(shù)，或者，所述調(diào)整薄膜的膨脹系數(shù)與所述第一薄膜的膨脹系數(shù)均大于所述襯底的膨脹系數(shù)；所述第一表面的法線方向與所述第二表面的法線方向相反。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述翹曲度閾值為200微米。3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為硅片。4.根據(jù)權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述調(diào)整薄膜為高拉應力薄膜或高壓應力薄膜。5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述調(diào)整薄膜為氮化硅薄膜或氮化鈦薄膜或鎢金屬薄膜。
【專利摘要】本申請公開一種襯底翹曲度的調(diào)整方法。該方法包括：獲得襯底的翹曲度，其中，所述襯底的第一表面上形成有第一薄膜；判斷所述襯底的翹曲度的絕對值是否大于或等于翹曲度閾值；若是，則在所述襯底的第二表面上形成調(diào)整薄膜，使所述襯底的翹曲度小于所述翹曲度閾值，其中，所述調(diào)整薄膜的膨脹系數(shù)與所述第一薄膜的膨脹系數(shù)均小于所述襯底的膨脹系數(shù)，或者，所述調(diào)整薄膜的膨脹系數(shù)與所述第一薄膜的膨脹系數(shù)均大于所述襯底的膨脹系數(shù)；所述第一表面的法線方向與所述第二表面的法線方向相反。該方法能夠在不影響原有襯底加工工藝的情況下，高效的對襯底的翹曲度進行可控調(diào)整，保證了產(chǎn)品的性能，并能夠使得薄膜沉積之后的光刻工藝等順利進行。
【IPC分類】H01L21/66, H01L21/02
【公開號】CN105448762
【申請?zhí)枴緾N201410433072
【發(fā)明人】徐強, 楊濤, 賀曉彬
【申請人】中國科學院微電子研究所
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2014年8月28日