接在一起。第一金屬層Ml上的互連538可將第四匪0S漏極子集連接在一起。互連536、538在第一金屬層Ml上斷開。第二金屬層M2上的互連540將互連532、534耦合在一起。第二金屬層M2上的互連550將互連536、538耦合在一起。第三金屬層M3上的互連560將互連510、520、540、550耦合在一起。
[0064]第一金屬層Ml上的互連570將互連502、506耦合在一起。第一金屬層Ml上的互連572將互連504、508耦合在一起。第一金屬層Ml上的互連574將互連532、536耦合在一起。第一金屬層Ml上的互連576將互連534、538耦合在一起。如以上關于圖5討論的，互連502、504、506、508、510、520、532、534、536、538、540、550 可在長度上各自小于 χμπι。在一種配置中，x =2 并且互連 502、504、506、508、510、520、532、534、536、538、540、550 在長度上各自小于 2μπι。在互連502、504、506、508、510、520、532、534、536、538、540、550 在長度上小于 2μπι 的情況下，互連 502、504、506、508、510、520、532、534、536、538、540、550 中的 ΕΜ 互連降級得到減小。進一步，在互連570、572、574、576提供與互連560并行的電流路徑時，ΕΜ互連降級通過互連502、504、506、508、510、520、532、534、536、538、540、550被進一步減小，如以上關于圖9Α、9B、9C討論的。
[0065]圖13是用于解說CMOS器件的第三組示例性布局的第三示圖1300XM0S器件可包括多個PM0S和NM0S晶體管并且可以是反相器。為了增大CMOS反相器中PM0S和NM0S晶體管的數目而不將互連長度增大到超過閾值(例如，2ym)，CM0S反相器可串行地利用圖11的多個器件。第一金屬層Ml上的互連602可將第一 PMOS漏極子集連接在一起。第一金屬層Ml上的互連604可將第二 PMOS漏極子集連接在一起?；ミB602、604在第一金屬層Ml上斷開。第一金屬層Ml上的互連612可將第一匪OS漏極子集連接在一起。第一金屬層Ml上的互連614可將第二NM0S漏極子集連接在一起?；ミB612、614在第一金屬層Ml上斷開。
[0066]第一金屬層Ml上的互連606可將第三PM0S漏極子集連接在一起?；ミB606、604在第一金屬層Ml上斷開。第一金屬層Ml上的互連616可將第三匪0S漏極子集連接在一起?；ミB616、614在第一金屬層Ml上斷開。如圖13所不，第一金屬層Ml上的第一組互連602、604、606可將不同PM0S漏極子集連接在一起。第一組互連602、604、606中的每一個互連在第一金屬層Ml上與第一組互連602、604、606中的其它互連斷開。第一金屬層Ml上的第二組互連612、614、616將不同NM0S漏極子集連接在一起。第二組互連612、614、616中的每一個互連在第一金屬層Ml上與第二組互連612、614、616中的其它互連斷開。第二金屬層M2上的第三組互連620、622將第一組互連602、604、606中的不同的毗鄰互連對耦合在一起。第二金屬層M2上的第四組互連624、626將第二組互連612、614、616中的不同的毗鄰互連對耦合在一起。第三金屬層M3上的第五組互連660、670將包括來自第三組互連620、622的互連的不同的毗鄰互連對耦合起來，并且將包括來自第四組互連624、626的互連的不同的毗鄰互連對耦合起來。第五組互連660、670中的每一個互連耦合在一起。
[0067]互連680將互連602、612耦合在一起，互連682將互連604、614耦合在一起，并且互連684將互連606、616耦合在一起。第一、第二、第三和第四組互連中的每一個互連602、604、606、612、614、616、620、622、624、626 可在長度上小于 χμπι。在一種配置中，x = 2。在互連602、604、606、612、614、616、620、622、624、626在長度上小于2μπι的情況下，那些互連中的EM互連降級得到減小。進一步，在互連680、682、684提供與互連660、670并行的電流路徑的情況下，ΕΜ互連降級通過互連602、604、606、612、614、616、620、622、624、626被進一步減小，如以上關于圖9A、9B、9C討論的。
[0068]圖14是布局CMOS器件的第一方法的流程圖1400。CMOS器件包括各自具有PM0S漏極的多個PM0S晶體管以及各自具有W0S漏極的多個匪0S晶體管。在步驟1402，在一互連層面上將第一 PM0S漏極子集與第一互連互連。在步驟1404，在該互連層面上將第二 PM0S漏極子集與第二互連互連。第二 PM0S漏極子集在該互連層面上與第一 PM0S漏極子集斷開。在步驟1406，在該互連層面上將第一 NM0S漏極子集與第三互連互連。在步驟1408，在該互連層面上將第二 NM0S漏極子集與第四互連互連。第二 NM0S漏極子集在該互連層面上與第一匪0S漏極子集斷開。第一互連、第二互連、第三互連和第四互連通過至少一個其它互連層面耦合在一起。
[0069]例如，參照圖4，第一 PM0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第一互連402互連。第二PM0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第二互連404互連。第二 PM0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第一PM0S漏極子集斷開，因為互連402、404在第一金屬層Ml上斷開。第一NM0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第三互連406互連。第二匪0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第四互連408互連。第二 NM0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第一 NM0S漏極子集斷開，因為互連406、408在第一金屬層Ml上斷開。第一互連402、第二互連404、第三互連406和第四互連408通過至少一個其它金屬層(諸如，第二金屬層M2和第三金屬層M3)耦合在一起。
[0070]如圖4所示，第一互連402、第二互連404、第三互連406和第四互連408可在長度上各自小于2μπι。第一互連402和第二互連404可在第二互連層面(例如，第二金屬層M2)上與第五互連410互連。第三互連406和第四互連408可在第二互連層面上與第六互連420互連。第五互連410和第六互連420可在長度上各自小于2μπι。第五互連410和第六互連420可在第三互連層面(例如，第三金屬層M3)上與第七互連430互連。器件的輸出可連接至第七互連430.CMOS器件可以是反相器。PM0S晶體管可各自具有PM0S柵極和PM0S源極。匪0S晶體管可各自具有匪0S柵極和W0S源極。NM0S晶體管的NM0S源極可耦合在一起。PM0S晶體管的PM0S源極可在一起。PM0S晶體管的PM0S柵極和NM0S晶體管的NM0S柵極可耦合在一起。
[0071 ]圖15是操作CMOS器件的第一方法的流程圖1500 XM0S器件包括各自具有PM0S漏極的多個PM0S晶體管以及各自具有W0S漏極的多個匪0S靜態(tài)。在步驟1502，第一電流從在一互連層面上與第一互連互連的第一 PM0S漏極子集流動。在步驟1504，第二電流從在該互連層面上與第二互連互連的第二 PM0S漏極子集流動。第二 PM0S漏極子集在該互連層面上與第一 PM0S漏極子集斷開。在步驟1506，第三電流向在該互連層面上與第三互連互連的第一W0S漏極子集流動。在步驟1508，第四電流向在該互連層面上與第四互連互連的第二匪0S漏極子集流動。第二W0S漏極子集在該互連層面上與第一匪OS漏極子集斷開。第一互連、第二互連、第三互連和第四互連通過至少一個其它互連層面耦合在一起。在CMOS器件接收到低輸入之際，第一電流和第二電流通過至少一個其它互連層面流向CMOS器件的輸出。在CMOS器件接收到高輸入之際，第三電流和第四電流從CMOS器件的輸出通過至少一個其它互連層面流動。
[0072]例如，參照圖4，第一電流從在第一金屬層Ml上與第一互連402互連的第一 PM0S漏極子集流動。第二電流從在第一金屬層Ml上與第二互連404互連的第二 PM0S漏極子集流動。第二 PM0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第一 PM0S漏極子集斷開，因為互連402、404在第一金屬層Ml上斷開。第三電流向在第一金屬層Ml上與第三互連406互連的第一匪0S漏極子集流動。第四電流向在第一金屬層Ml上與第四互連408互連的第二匪0S漏極子集流動。第二匪0S漏極子集在第一金屬層Ml上與第一匪0S漏極子集斷開，因為互連406、408在第一金屬層Ml上斷開。第一互連402、第二互連404、第三互連406和第四互連408通過至少一個其它互連層面(諸如，第二金屬層M2和第三金屬層M3)耦合在一起。在CMOS器件接收到低輸入之際，第一電流和第二電流通過至少一個其它互連層面流向CMOS器件的輸出。在CMOS器件接收到高輸入之際，第三電流和第四電流從CMOS器件的輸出通過至少一個其它互連層面流動。
[0073]第一互連402、第二互連404、第三互連406和第四互連408在長度上可各自小于2μm。第一互連402和第二互連404可在第二互連層面(例如，第二金屬層M2)上與第五互連410互連，并且第三互連406和第四互連408可在第二互連層面上與第六互連420互連。第五互連410和第六互連420可在長度上各自小于2μπι。第五互連410和第六互連420可在第三互連層面(例如，第三金屬層M3)上與第七互連430互連。器件的輸出可連接至第七互連430.CMOS器件可以是反相器。PM0S晶體管可各自具有PM0S柵極和PM0S源極。匪0S晶體管可各自具有W0S柵極和W0S源極。NM0S晶體管的NM0S源極可耦合在一起。PM0S晶體管的PM0S源極可耦合在一起。PM0S晶體管的PM0S柵極和NM0S晶體管的NM0S柵極可耦合在一起。
[0074]圖16是布局CMOS器件的第二方法的流程圖1600XM0S器件包括各自具有PM0S漏極的多個PM0S晶體管以及各自具有NM0S漏極的多個NM0S晶體管。在步驟1602，將PM0S漏極與在一互連層面上在一長度方向上延伸的第一互連互連。在步驟1604，將NMOS漏極與在該互連層面上在該長度方向上延伸的第二互連互連。在步驟1606，將第一互連和第二互連與至少一個附加互連層面上的一組互連互連。在步驟1608，將第一互連和第二互連與在該互連層面上垂直于該長度方向延伸且與該組互連偏移的第三互連互連。
[0075]例如，參照圖9A、9B，PM0S漏極與在第一金屬層Ml上在一長度方向上延伸的第一互連702互連。匪0S漏極與在第一金屬層Ml上在該長度方向上延伸的第二互連704互連。第一互連702和第二互連704與至少一個附加互連層面(諸如，第二金屬層M2和第三金屬層M3)上的一組互連706、708、710互連。第一互連702和第二互連704與在第一金屬層Ml上垂直于該長度方向延伸且與該組互連706、708、710偏移的第三互連720互連。
[0076]第一互連702和第二互連704可與在互連層面(例如，第一金屬層Ml)上垂直于該長度方向延伸且與該組互連706、708、710偏移的第四互連730互連。第三互連720和第四互連730可在該組互連706、708、7