半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造(例如，用于集成電路制造)的溝槽接觸部結(jié)構(gòu)。在實施例中，溝槽接觸部構(gòu)圖形成為對準(zhǔn)至當(dāng)前柵極構(gòu)圖。相反，傳統(tǒng)方案通常涉及結(jié)合選擇性接觸部刻蝕利用至當(dāng)前柵極構(gòu)圖的光刻接觸部構(gòu)圖的緊注冊的附加光刻工藝。例如，傳統(tǒng)工藝可以包括通過對接觸部特征進(jìn)行獨(dú)立構(gòu)圖來對多晶硅(柵極)柵格進(jìn)行構(gòu)圖。
[0051]應(yīng)當(dāng)理解的是，不必實施以上所述的工藝的全部方面，以落入本發(fā)明的實施例的精神和范圍內(nèi)。例如，在一個實施例中，不必先于在柵極疊置體的有源部分之上制造柵極接觸部來形成偽柵極。以上所述的柵極疊置體實際上可以是如最初所形成的永久性柵極疊置體。此外，本文所述的工藝可以用于制造半導(dǎo)體器件中的一個或多個。半導(dǎo)體器件可以是晶體管或類似的器件。例如，在實施例中，半導(dǎo)體器件是用于邏輯電路或存儲器的金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOS)或者是雙極晶體管。此外，在實施例中，半導(dǎo)體器件具有三維架構(gòu)，例如fin-FET器件、三柵極器件或者獨(dú)立訪問的雙柵極器件。一個或多個實施例對于制造14納米(14nm)或更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體器件可以特別地有用。
[0052]然后，通常以上所述的一個或多個實施例實現(xiàn)了減小柔性襯底與Ge或II1-V族包覆層之間的晶格失配。這種柔性鰭狀物襯底與單層柔性襯底之間的顯著差異來源于以上所述的雙鰭狀物材料。具有兩種不同的半導(dǎo)體材料(其疊置在每個鰭狀物內(nèi))的鰭狀物的制造可以用于調(diào)節(jié)起始鰭狀物以及被沉積在鰭狀物上的包覆層的應(yīng)變。因此，可以將諸如Ge或111 -V族之類的新型高迀移率材料引入晶體管溝道中(例如，對于前者PM0S，以及對于后者NM0S)o
[0053]圖6例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的計算設(shè)備600。計算設(shè)備600容納板602。板602可以包括多個部件，包括(但不限于)處理器604以及至少一個通信芯片606。處理器604物理耦合且電耦合到板602。在一些實施方式中，至少一個通信芯片606也物理耦合且電藕合到板602。在進(jìn)一步的實施方式中，通信芯片606是處理器604的部分。
[0054]取決于其應(yīng)用，計算設(shè)備600可以包括其它部件，其可以物理耦合且電耦合到板602也可以不耦合到板602。這些其它部件包括(但不限于)易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如，R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸屏顯示器、觸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速計、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)以及大容量存儲設(shè)備(例如，硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字通用光盤(DVD)等)。
[0055]通信芯片606實現(xiàn)了用于將數(shù)據(jù)傳送到計算設(shè)備600并且傳送來自計算設(shè)備600的數(shù)據(jù)的無線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用于描述可以通過利用穿過非固體介質(zhì)的經(jīng)調(diào)制的電磁輻射來傳輸數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并非暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何線，盡管在某些實施例中其可以不包含。通信芯片606可以實施多個無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任意一個，包括(但不限于)W1-Fi (IEEE 802.11族)、WiMAX(IEEE802.16族)、IEEE 802.20、長期演進(jìn)(LTE)、Ev-D0、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其派生物，以及被指定為3G、4G、5G及以上的任意其它的無線協(xié)議。計算設(shè)備600可以包括多個通信芯片606。例如，第一通信芯片606可以專用于近距離無線通信，例如W1-Fi和藍(lán)牙，第二通信芯片606可以專用于遠(yuǎn)距離無線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev_D0等。
[0056]計算設(shè)備600的處理器604包括封裝在處理器604內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的實施例的一些實施方式中，處理器的集成電路管芯包括一個或多個器件，例如具有根據(jù)本發(fā)明的實施方式構(gòu)成的多層柔性襯底的Ge或II1-V族溝道半導(dǎo)體器件。術(shù)語“處理器”可以指代任何設(shè)備或設(shè)備的部分，其處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢源鎯υ诩拇嫫骱?或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)。
[0057]通信芯片606也包括封裝在通信芯片606內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，通信芯片的集成電路管芯包括一個或多個器件，例如具有根據(jù)本發(fā)明的實施方式構(gòu)成的多層柔性襯底的Ge或II1-V族溝道半導(dǎo)體器件。
[0058]在進(jìn)一步的實施方式中，容納在計算設(shè)備600中的另一部件可以包含集成電路管芯，其包括一個或多個器件，例如具有根據(jù)本發(fā)明的實施例的實施方式構(gòu)成的多層柔性襯底的Ge或II1-V族溝道半導(dǎo)體器件。
[0059]在各個實施例中，計算設(shè)備600可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本電腦、筆記本電腦、超級本電腦、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理(PDA)、超移動PC、移動電話、臺式計算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描器、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器或數(shù)碼攝像機(jī)。在進(jìn)一步的實施方式中，計算設(shè)備600可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它的電子設(shè)備。
[0060]因此，本發(fā)明的實施例包括具有多層柔性襯底的非平面半導(dǎo)體器件以及制造這種非平面半導(dǎo)體器件的方法。
[0061]在實施例中，一種半導(dǎo)體器件包括布置在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體鰭狀物。所述半導(dǎo)體鰭狀物具有由第一半導(dǎo)體材料組成的下部部分以及由第二半導(dǎo)體材料組成的上部部分，所述第一半導(dǎo)體材料具有第一晶格常數(shù)(L1)，所述第二半導(dǎo)體材料具有第二晶格常數(shù)(L2)。包覆層布置在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上，而非所述下部部分上。所述包覆層由第三半導(dǎo)體材料組成，所述第三半導(dǎo)體材料具有第三晶格常數(shù)(L3)，其中L3>L2>L1。柵極疊置體布置在所述包覆層的溝道區(qū)上。源極區(qū)/漏極區(qū)布置在所述溝道區(qū)的兩側(cè)上。
[0062]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物與所述包覆層一起提供了柔性襯底。
[0063]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分突出在隔離層上方，所述隔離層被布置成與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分相鄰。所述隔離區(qū)的頂部表面與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分的頂部表面處于近似相同的水平高度。
[0064]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分由硅組成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分由硅鍺組成，并且所述包覆層區(qū)由鍺組成。
[0065]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體器件是PM0S器件。
[0066]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分由硅組成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分由硅鍺組成，并且所述包覆層區(qū)由II ι-ν族材料組成。
[0067]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體器件是NM0S器件。
[0068]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分與體晶體硅襯底相連。
[0069]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體器件是三柵極晶體管。
[0070]在實施例中，一種半導(dǎo)體器件包括布置在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體鰭狀物。所述半導(dǎo)體鰭狀物具有下部部分和上部部分。包覆層布置在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上，而非所述下部部分上。所述包覆層和所述半導(dǎo)體鰭狀物形成了柔性襯底。所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分緩解了所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分與所述包覆層之間的應(yīng)力。柵極疊置體布置在所述包覆層上。源極區(qū)/漏極區(qū)布置在所述柵極電極的兩側(cè)上。
[0071]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分突出在隔離層上方，所述隔離層被布置成與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分相鄰。所述隔離區(qū)的頂部表面與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分的頂部表面處于近似相同的水平高度。
[0072]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分由硅組成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分由硅鍺組成，并且所述包覆層區(qū)由鍺組成。
[0073]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體器件是PM0S器件。
[0074]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分由硅組成，所述半導(dǎo)體鰭狀物