的所述上部部分由硅鍺組成，并且所述包覆層區(qū)由II ι-ν族材料組成。
[0075]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體器件是NM0S器件。
[0076]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分與體晶體硅襯底相連。
[0077]在一個實施例中，所述半導(dǎo)體器件是三柵極晶體管。
[0078]在實施例中，一種制造半導(dǎo)體器件的方法，涉及在具有第一晶格常數(shù)(L1)的第一半導(dǎo)體材料上形成具有第二晶格常數(shù)(L2)的第二半導(dǎo)體材料。所述方法還涉及將半導(dǎo)體鰭狀物刻蝕至所述第二半導(dǎo)體材料中，并且至少部分地刻蝕至所述第一半導(dǎo)體材料中，所述半導(dǎo)體鰭狀物具有由所述第一半導(dǎo)體材料組成的下部部分并且具有由所述第二半導(dǎo)體材料組成的上部部分。所述方法還涉及形成鄰近所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分并且與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分近似處于同一水平高度的隔離層。所述方法還涉及在形成所述隔離層之后在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成包覆層，所述包覆層由具有第三晶格常數(shù)(L3)的第三半導(dǎo)體材料組成，其中L3>L2>L1。所述方法還涉及在所述包覆層的溝道區(qū)上形成柵極疊置體。所述方法還涉及在所述溝道區(qū)的兩側(cè)上形成源極區(qū)/漏極區(qū)。
[0079]在一個實施例中，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成所述包覆層提供柔性襯底。
[0080]在一個實施例中，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成所述包覆層包括:外延生長基本上純的鍺層。
[0081]在一個實施例中，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成所述包覆層包括:外延生長II ι-ν族材料層。
[0082]在一個實施例中，在所述第一半導(dǎo)體材料上形成所述第二半導(dǎo)體材料包括:在體晶體襯底上外延生長所述第二半導(dǎo)體材料。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體鰭狀物，所述半導(dǎo)體鰭狀物布置在半導(dǎo)體襯底上方，所述半導(dǎo)體鰭狀物具有包含第一半導(dǎo)體材料的下部部分，并且具有包含第二半導(dǎo)體材料的上部部分，所述第一半導(dǎo)體材料具有第一晶格常數(shù)(L1)，所述第二半導(dǎo)體材料具有第二晶格常數(shù)(L2); 包覆層，所述包覆層布置在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上，但沒有布置在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分上，所述包覆層包含第三半導(dǎo)體材料，所述第三半導(dǎo)體材料具有第三晶格常數(shù)(L3)，其中，L3>L2>L1; 柵極疊置體，所述柵極疊置體布置在所述包覆層的溝道區(qū)上；以及 源極區(qū)/漏極區(qū)，所述源極區(qū)/漏極區(qū)布置在所述溝道區(qū)的兩側(cè)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物與所述包覆層一起提供柔性襯底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分突出在隔離層上方，所述隔離層被布置成與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分相鄰，其中，所述隔離區(qū)的頂部表面與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分的頂部表面位于近似相同的水平高度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分基本上由硅構(gòu)成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分包含硅鍺，并且所述包覆層區(qū)基本上由鍺構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是PMOS器件。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分基本上由硅構(gòu)成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分包含硅鍺，并且所述包覆層區(qū)基本上由II1-V族材料構(gòu)成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是NMOS器件。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分與體晶體硅襯底相連。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是三柵極晶體管。10.—種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體鰭狀物，所述半導(dǎo)體鰭狀物布置在半導(dǎo)體襯底上方，所述半導(dǎo)體鰭狀物具有下部部分和上部部分； 包覆層，所述包覆層布置在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上，但沒有布置在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分上，所述包覆層和所述半導(dǎo)體鰭狀物形成了柔性襯底，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分緩解了所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分與所述包覆層之間的應(yīng)力； 柵極疊置體，所述柵極疊置體布置在所述包覆層的溝道區(qū)上；以及 源極區(qū)/漏極區(qū)，所述源極區(qū)/漏極區(qū)布置在所述溝道區(qū)的兩側(cè)上。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分突出在隔離層上方，所述隔離層被布置成與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分相鄰，其中，所述隔離區(qū)的頂部表面與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分的頂部表面位于近似相同的水平高度。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分基本上由硅構(gòu)成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分包含硅鍺，并且所述包覆層區(qū)基本上由鍺構(gòu)成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是PMOS器件。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分基本上由硅構(gòu)成，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分包含硅鍺，并且所述包覆層區(qū)基本上由II1-V族材料構(gòu)成。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是NMOS器件。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分與體晶體娃襯底相連。17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是三柵極晶體管。18.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 將具有第二晶格常數(shù)(L2)的第二半導(dǎo)體材料形成在具有第一晶格常數(shù)(L1)的第一半導(dǎo)體材料上； 將半導(dǎo)體鰭狀物刻蝕至所述第二半導(dǎo)體材料中，并且至少部分地刻蝕至所述第一半導(dǎo)體材料中，所述半導(dǎo)體鰭狀物具有包含所述第一半導(dǎo)體材料的下部部分并且具有包含所述第二半導(dǎo)體材料的上部部分； 形成隔離層，所述隔離層鄰近所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分并且與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述下部部分近似處于同一水平高度； 在形成所述隔離層之后，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成包覆層，所述包覆層包含第三半導(dǎo)體材料，所述第三半導(dǎo)體材料具有第三晶格常數(shù)(L3)，其中，L3>L2>L1; 在所述包覆層的溝道區(qū)上形成柵極疊置體；以及 在所述溝道區(qū)的兩側(cè)上形成源極區(qū)/漏極區(qū)。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成所述包覆層提供了柔性襯底。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成所述包覆層包括:外延生長基本上純的鍺層。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述上部部分上形成所述包覆層包括:外延生長II ι-v族材料層。22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，在所述第一半導(dǎo)體材料上形成所述第二半導(dǎo)體材料包括:在體晶體襯底上外延生長所述第二半導(dǎo)體材料。
【專利摘要】本發(fā)明描述了具有多層柔性襯底的非平面半導(dǎo)體器件以及制造這種非平面半導(dǎo)體器件的方法。例如，半導(dǎo)體器件包括布置在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體鰭狀物。半導(dǎo)體鰭狀物具有由第一半導(dǎo)體材料組成的下部部分以及由第二半導(dǎo)體材料組成的上部部分，該第一半導(dǎo)體材料具有第一晶格常數(shù)(L1)，該第二半導(dǎo)體材料具有第二晶格常數(shù)(L2)。包覆層布置在半導(dǎo)體鰭狀物的上部部分上，而非下部部分上。包覆層由具有第三晶格常數(shù)(L3)的第三半導(dǎo)體材料組成，其中L3>L2>L1。柵極疊置體布置在包覆層的溝道區(qū)上。源極區(qū)/漏極區(qū)布置在溝道區(qū)的兩側(cè)上。
【IPC分類】H01L29/78, H01L21/336
【公開號】CN105493251
【申請?zhí)枴緾N201380078868
【發(fā)明人】J·T·卡瓦列羅斯, M·拉多薩夫列維奇, M·V·梅茨, H·W·田, B·舒-金, V·H·勒, N·慕克吉, S·達(dá)斯古普塔, R·皮拉里塞泰, G·杜威, R·S·周, N·M·澤利克, W·拉赫馬迪
【申請人】英特爾公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2013年9月27日
【公告號】US20160190319, WO2015047341A1