可以特別有用。在另一個(gè)實(shí)施例中，與以上所描述的相反，相對(duì)于源極區(qū)，漏極區(qū)深深地向鰭狀物凹進(jìn)。同樣，與以上所描述的相反，在實(shí)施例中，可以制造P-型垂直鰭式-FET晶體管?？傮w上，本文所描述的實(shí)施例提供制造垂直非平面器件的方法。
[0043]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的計(jì)算設(shè)備500。計(jì)算設(shè)備500容納電路板502。電路板502可以包括若干部件，包括但不限于處理器504和至少一個(gè)通信芯片506。處理器504物理和電耦合到板502。在一些實(shí)施方式中，至少一個(gè)通信芯片506還物理和電耦合到板502。在其它實(shí)施方式中，通信芯片506是處理器504的一部分。
[0044]根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備500可以包括可以或可以不物理和電耦合到板502的其它部件。這些其它部件包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如，R0M)、閃速存儲(chǔ)器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、相機(jī)和大容量存儲(chǔ)裝置(諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器、壓縮盤(⑶)、數(shù)字多用盤(DVD)等)。
[0045]通信芯片506實(shí)現(xiàn)了用于往返于計(jì)算設(shè)備500進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用于描述可以通過非固態(tài)介質(zhì)借助使用調(diào)制電磁輻射傳送數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何導(dǎo)線，盡管在一些實(shí)施例中它們可能不包含。通信芯片506可以實(shí)施若干無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議的任一種，包括但不限于 W1-Fi(IEEE 802.11族)、WiMAX( IEEE 802.16族)、IEEE 802.20、長期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其衍生物、以及被指定為3G、4G、5G和以上的任何其它無線協(xié)議。計(jì)算設(shè)備500可以包括多個(gè)通信芯片506。例如，第一通信芯片506可以專用于較短距離的無線通信，諸如W1-Fi和藍(lán)牙，而第二通信芯片506可以專用于更長距離的無線通信，諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。
[0046]計(jì)算設(shè)備500的處理器504包括處理器504內(nèi)封裝的集成電路管芯。在本發(fā)明的實(shí)施例的一些實(shí)施方式中，處理器的集成電路管芯包括一個(gè)或多個(gè)器件，諸如根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式構(gòu)建的M0S-FET晶體管。術(shù)語“處理器”可以指處理來自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可以存儲(chǔ)于寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的一部分。
[0047]通信芯片506還包括封裝于通信芯片506內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，通信芯片的集成電路管芯包括一個(gè)或多個(gè)器件，諸如根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式構(gòu)建的 MOS-??Τ。
[0048]在進(jìn)一步實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備500內(nèi)容納的另一個(gè)部件可以包含集成電路管芯，該集成電路管芯包括一個(gè)或多個(gè)器件，諸如根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)施方式構(gòu)建的M0S-FET晶體管。
[0049]在各種實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備500可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超級(jí)本、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字相機(jī)、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻錄像機(jī)。在其它實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備500可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。
[0050]因此，本發(fā)明的實(shí)施例包括用于片上系統(tǒng)(SoC)應(yīng)用的垂直非平面半導(dǎo)體器件以及制造垂直非平面半導(dǎo)體器件的方法。
[0051 ]在實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體鰭狀物，該半導(dǎo)體鰭狀物被設(shè)置在襯底之上，該半導(dǎo)體鰭狀物具有凹進(jìn)部分和最上部分;源極區(qū)，該源極區(qū)被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的凹進(jìn)部分中；漏極區(qū)，該漏極區(qū)被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的最上部分中；以及柵極電極，該柵極電極被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的最上部分上方，該柵極電極位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間。
[0052]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括基本上垂直的溝道區(qū)，該基本上垂直的溝道區(qū)被設(shè)置在源極區(qū)與漏極區(qū)之間并且受該柵極電極的電控制。
[0053]在一個(gè)實(shí)施例中，漏極區(qū)包括被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的最上部分中的第一導(dǎo)電類型的上部摻雜區(qū)，并且源極區(qū)包括被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物中的第一導(dǎo)電類型的下部摻雜區(qū)，該下部摻雜區(qū)位于半導(dǎo)體鰭狀物的凹進(jìn)部分的下方。
[0054]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體鰭狀物被設(shè)置在塊狀半導(dǎo)體襯底上，并且第一導(dǎo)電類型的下部摻雜區(qū)還被設(shè)置在該塊狀半導(dǎo)體襯底的上部部分中。該半導(dǎo)體器件還包括:第二相反導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，該第二相反導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)被設(shè)置在塊狀半導(dǎo)體襯底中，該第二相反導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)在第一導(dǎo)電類型的下部摻雜區(qū)的下方并且與第一導(dǎo)電類型的下部慘雜區(qū)接觸。
[0055]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件是N-型器件，并且第一導(dǎo)電類型是N-型。
[0056]在一個(gè)實(shí)施例中，漏極區(qū)包括被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的最上部分上的第一外延區(qū)，以及源極區(qū)包括被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的凹進(jìn)部分上的第二外延區(qū)。
[0057]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體鰭狀物包括另一個(gè)最上部分，并且半導(dǎo)體鰭狀物的凹進(jìn)部分被設(shè)置在最上部分與另一個(gè)最上部分之間。該半導(dǎo)體器件還包括:第二漏極區(qū)，該第二漏極區(qū)被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的另一個(gè)最上部分中；第二柵極電極，該第二柵極電極被設(shè)置在半導(dǎo)體鰭狀物的另一個(gè)最上部分上方，該第二柵極電極位于源極區(qū)與第二漏極區(qū)之間。
[0058]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件是三柵極器件。
[0059]在實(shí)施例中，N_型垂直鰭式-FET器件包括:硅鰭狀物，該硅鰭狀物被設(shè)置在塊狀硅襯底上，該硅鰭狀物具有凹進(jìn)部分和最上部分;源極區(qū)，該源極區(qū)被設(shè)置在硅鰭狀物的凹進(jìn)部分中；漏極區(qū)，該漏極區(qū)被設(shè)置在硅鰭狀物的最上部分中；N-型柵極電極，該N-型柵極電極被設(shè)置在硅鰭狀物的最上部分上方，該N-型柵極電極位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間；基本上垂直的溝道區(qū)，該基本上垂直的溝道區(qū)被設(shè)置在源極區(qū)與漏極區(qū)之間，并且受N-型柵極電極的電控制。
[0060]在一個(gè)實(shí)施例中，漏極區(qū)包括被設(shè)置在硅鰭狀物的最上部分中的上部N-型摻雜區(qū)。源極區(qū)包括被設(shè)置在硅鰭狀物中的下部N-型摻雜區(qū)，該下部N-型摻雜區(qū)在硅鰭狀物的凹進(jìn)部分下方并且在塊狀硅襯底的上部部分中。
[0061]在一個(gè)實(shí)施例中，N-型垂直鰭式-FET器件還包括P-型摻雜區(qū)，該P(yáng)-型摻雜區(qū)被設(shè)置在塊狀硅襯底中，該P(yáng)-型摻雜區(qū)在下部N-型摻雜區(qū)下方并且與下部N-型摻雜區(qū)接觸。
[0062]在一個(gè)實(shí)施例中，漏極區(qū)還包括被設(shè)置在娃鰭狀物的最上部分上的第一N-型外延硅區(qū)，并且源極區(qū)還包括被設(shè)置在硅鰭狀物的凹進(jìn)部分上的第二N-型外延硅區(qū)。
[0063]在一個(gè)實(shí)施例中，硅鰭狀物包括另一個(gè)最上部分。硅鰭狀物的凹進(jìn)部分被設(shè)置在最上部分與另一個(gè)最上部分之間。N-型垂直鰭式-FET器件還包括:第二漏極區(qū)，該第二漏極區(qū)被設(shè)置在硅鰭狀物的另一個(gè)最上部分中；第二 N-型柵極電極，該第二 N-型柵極電極被設(shè)置在硅鰭狀物的另一個(gè)最上部分上方，該第二 N-型柵極電極位于源極區(qū)與第二漏極區(qū)之間。
[0064]在一個(gè)實(shí)施例中，N-型垂直鰭式-FET器件是三柵極器件。
[0065]在實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在襯底之上形成半導(dǎo)體鰭狀物。該方法還包括在半導(dǎo)體鰭狀物的底部中形成第一導(dǎo)電類型的亞摻雜區(qū)。該方法還包括在半導(dǎo)體鰭狀物的頂部中形成第一導(dǎo)電類型的上部摻雜區(qū)，該上部摻雜區(qū)與亞摻雜區(qū)間隔開。該方法還包括在半導(dǎo)體鰭狀物上方形成柵極電極。該方法還包括對(duì)半導(dǎo)體鰭狀物進(jìn)行蝕刻，以提供半導(dǎo)體鰭狀物的凹進(jìn)部分和最上部分。該方法還包括在半導(dǎo)體鰭狀物的凹進(jìn)部分中形成源極區(qū)，該源極區(qū)包括亞摻雜區(qū)的至少一部分。該方法還包括在半導(dǎo)體鰭狀物的最上部分中形成漏極區(qū)，該漏極區(qū)包括上部摻雜區(qū)的至少一部分。柵極電極位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間。
[0066]在一個(gè)實(shí)施例中，形成