轉(zhuǎn)的晶舟旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267。晶舟旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267的旋轉(zhuǎn)軸261以下述方式構(gòu)成:貫穿密封蓋219并與晶舟217連接，通過使晶舟217旋轉(zhuǎn)從而使晶片200旋轉(zhuǎn)。
[0046](第一加熱部)
[0047]在處理容器(反應(yīng)管)203的外側(cè)，以包圍處理容器(反應(yīng)管)203的側(cè)壁面的同心圓狀設(shè)置有對(duì)處理容器(反應(yīng)管)203內(nèi)的晶片200進(jìn)行加熱的第一加熱部207。第一加熱部207以被加熱器底座206支承的方式設(shè)置。如圖2所示，第一加熱部207包括第一?第四加熱器單元207a?207d。第一?第四加熱器單元207a?207d分別沿著處理容器(反應(yīng)管)203內(nèi)的晶片200的層合方向進(jìn)行設(shè)置。
[0048]在處理容器(反應(yīng)管)203內(nèi)，相對(duì)于每一個(gè)作為加熱部的第一?第四加熱器單元207a?207d，作為檢測(cè)晶片200或周邊溫度的溫度檢測(cè)器，例如熱電偶等第一?第四溫度傳感器263a?263d分別設(shè)置于處理容器(反應(yīng)管)203與晶舟217之間。需要說明的是，第一?第四溫度傳感器263a?263d可以分別以下述方式進(jìn)行設(shè)置:對(duì)利用第一?第四加熱器單元207a?207d分別進(jìn)行加熱的多片晶片200中位于中央的晶片200的溫度進(jìn)行檢測(cè)。
[0049]后述的控制器121分別與第一加熱部207、第一?第四溫度傳感器263a?263d電連接。控制器121以下述方式構(gòu)成:基于通過第一?第四溫度傳感器263a?263d分別檢測(cè)到的溫度信息，分別在規(guī)定的時(shí)機(jī)對(duì)供給至第一?第四加熱器單元207a?207d的電力進(jìn)行控制，分別對(duì)每一個(gè)第一?第四加熱器單元207a?207d進(jìn)行溫度設(shè)定、溫度調(diào)整，以使處理容器(反應(yīng)管)203內(nèi)的晶片200的溫度成為規(guī)定溫度。
[0050](氣體供給部)
[0051]如圖1所示，在處理容器(反應(yīng)管)203與第一加熱部207之間設(shè)置有處理氣體供給噴嘴501。處理氣體供給噴嘴501由例如熱傳導(dǎo)率低的石英等形成。處理氣體供給噴嘴501可以具有二重管結(jié)構(gòu)。處理氣體供給噴嘴501沿處理容器(反應(yīng)管)203的外壁的側(cè)部配置。處理氣體供給噴嘴501的前端(下游端)氣密地設(shè)置于處理容器(反應(yīng)管)203的頂部(上端開口)。在位于處理容器(反應(yīng)管)203的上端開口的處理氣體供給噴嘴501的前端設(shè)置有供給孔502。氣體供給部主要由處理氣體供給噴嘴501和供給孔502構(gòu)成。另外，在氣體供給部中可以包括后述的處理氣體生成單元300和吹掃氣體供給部601。進(jìn)而，可以以下述方式構(gòu)成:在氣體供給部中包括后述的含氧氣體供給部602。
[0052]含氧氣體供給部602由閥602a、602d、氣體流量控制部(質(zhì)量流量控制器)602b、含氧氣體供給管602c等構(gòu)成，其將從未圖示的含氧氣體源供給的含氧氣體供給至處理容器203內(nèi)。含氧氣體供給管602c的前端(下游端)氣密地設(shè)置于處理容器203的頂部，將含氧氣體導(dǎo)入處理容器203內(nèi)。含氧氣體例如可以使用包含氧氣(02)、臭氧(03)氣體、一氧化氮(NO)氣體、一氧化二氮(N2O)氣體中的至少I種以上的氣體。
[0053]供給處理氣體的處理氣體供給管289a的下游端與處理氣體供給噴嘴501的上游端連接。在處理氣體供給管289a上，從上游方向依次設(shè)置有處理氣體生成單元300和吹掃氣體供給部601 (吹掃氣體供給管601c)。
[0054](處理氣體生成單元)
[0055]在處理氣體生成單元300上，從上游側(cè)設(shè)置有含氧氣體供給管301、含氫氣體供給管302、閥303a、303b、氣體流量控制部(質(zhì)量流量控制器;MFC)304a、304b、處理氣體生成裝置305、閥305a、305b、305c。排氣管306與閥305c連接。
[0056]處理氣體生成單元305以下述方式構(gòu)成:從與未圖示的含氧氣體源連接的含氧氣體供給管301供給例如氧氣(O2)，從與未圖示的含氫氣體源連接的含氫氣體供給管302供給例如氫氣(H2)。另外，供給至處理氣體生成裝置305的作為含氧氣體的氧氣與作為含氫氣體的氫氣燃燒，生成水蒸氣。生成的水蒸氣能夠從處理氣體生成單元供給至處理容器203內(nèi)。
[0057]吹掃氣體供給部601由吹掃氣體閥60 Ia、601 d、吹掃氣體流量控制部60 Ib、吹掃氣體供給管601c等構(gòu)成，其將從未圖示的吹掃氣體源供給的吹掃氣體經(jīng)由處理氣體供給管289a供給至處理容器203內(nèi)。吹掃氣體例如可以使用相對(duì)于晶片200、形成于晶片200上的膜而言反應(yīng)性低的氣體。例如，可以使用氮?dú)?N2)、氬氣、氦氣、或氖氣等稀有氣體。
[0058](排氣部)
[0059]在處理容器203的下方連接有將襯底處理室201內(nèi)的氣體排出的氣體排氣管231的一端。氣體排氣管231的另一端經(jīng)由作為壓力調(diào)節(jié)器的APC(Auto Pressure Controller)閥255而與真空栗246a(排氣裝置)連接。通過由真空栗246產(chǎn)生的壓力梯度對(duì)襯底處理室201內(nèi)進(jìn)行排氣。需要說明的是，APC閥255是可以通過閥的開閉進(jìn)行襯底處理室201的排氣及排氣停止的開閉閥。另外，也是可以通過閥開度的調(diào)節(jié)來調(diào)節(jié)壓力的壓力調(diào)節(jié)閥。另外，作為壓力檢測(cè)器的壓力傳感器223設(shè)置于APC閥255的上游側(cè)。由此，構(gòu)成為:以襯底處理室201內(nèi)的壓力成為規(guī)定壓力(真空度)的方式進(jìn)行真空排氣。壓力控制部284(參見圖3)通過APC閥255與襯底處理室201及壓力傳感器223電連接，壓力控制部284以下述方式構(gòu)成:基于通過壓力傳感器223檢測(cè)出的壓力，通過APC閥255在所希望的時(shí)機(jī)進(jìn)行控制，以使得襯底處理室201內(nèi)的壓力成為所希望的壓力。
[0060]排氣部由氣體排氣管231、APC閥255、壓力傳感器223等構(gòu)成。需要說明的是，可以在排氣部中包括真空栗246。
[0061](第二加熱部)
[0062]例如，在使用水蒸氣作為處理氣體時(shí)，存在水蒸氣(氣態(tài)的水)在處理容器203內(nèi)冷卻至水的氣化點(diǎn)以下從而發(fā)生液化的情況。
[0063]上述水蒸氣的液化多發(fā)生在處理容器203內(nèi)的用第一加熱部207進(jìn)行加熱的區(qū)域以外的區(qū)域。如上所述，由于第一加熱部207以對(duì)處理容器203內(nèi)的晶片200進(jìn)行加熱的方式設(shè)置，所以處理容器203內(nèi)的收納有晶片200的區(qū)域被第一加熱部207加熱。然而，處理容器203內(nèi)的除晶片200的收納區(qū)域以外的區(qū)域難以被第一加熱部207加熱。結(jié)果，存在下述情況:在處理容器203內(nèi)的用第一加熱部207進(jìn)行加熱的區(qū)域以外的區(qū)域產(chǎn)生低溫區(qū)域，水蒸氣在通過該低溫區(qū)域時(shí)冷卻從而發(fā)生液化。
[0064]處理氣體發(fā)生液化而產(chǎn)生的液體有時(shí)滯留在處理容器203內(nèi)的底部(密封蓋219的上表面)。因此，存在液體與密封蓋219反應(yīng)、密封蓋219受損的情況。
[0065]另外，在為了將晶舟217搬出至處理容器203外而使密封蓋219下降、打開爐口(處理容器203的下端開口)時(shí)，如果液體滯留在密封蓋219上，則存在密封蓋219上的液體從爐口掉落至處理容器203外的情況。因此，存在下述情況:處理爐202的爐口周邊部件受損，并且操作員等不能安全地進(jìn)入處理爐202附近。
[0066]因此，如圖1及圖2所示，以對(duì)用第一加熱部207進(jìn)行加熱的區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行加熱的方式設(shè)置有第二加熱部280。即，第二加熱部280以呈同心圓狀包圍處理容器203的側(cè)壁面的方式設(shè)置于處理容器203的下部的外側(cè)(外周)。
[0067]第二加熱部280以下述方式構(gòu)成:在處理容器203內(nèi)的下游側(cè)(即處理容器203內(nèi)的收納有隔熱體218的區(qū)域)，對(duì)朝向排氣部從處理容器203的上側(cè)(上游側(cè))向下側(cè)(下游側(cè))流動(dòng)的水蒸氣進(jìn)行加熱。另外，第二加熱部280以下述方式構(gòu)成:對(duì)密封處理容器203的下端開口的密封蓋219、處理容器203的下部、處理容器203內(nèi)的配置于底部的隔熱體218等構(gòu)成處理容器203的下部的部件進(jìn)行加熱。換言之，以在向處理室201裝填晶舟217時(shí)位于比底板217b更靠下方的位置的方式配置第二加熱部280。
[0068]后述的控制器121與第二加熱部280電連接?？刂破?21以下述方式構(gòu)成:在規(guī)定的時(shí)機(jī)控制供給至第二加熱部280的電力，以便成為能夠抑制處理容器203內(nèi)的處理氣體(水蒸氣)的液化的溫度(例如100°C至300°C)。第二加熱部280對(duì)處理容器203的爐口部的加熱至少在向處理容器203供給處理液或處理氣體期間持續(xù)進(jìn)行。優(yōu)選從將晶片200搬入處理容器203后到搬出前為止一直進(jìn)行。通過如上述那樣進(jìn)行加熱，能夠防止?fàn)t口部處的處理氣體的液化、防止直到干燥工序?yàn)橹巩a(chǎn)生的顆粒、雜質(zhì)等附著在爐口部。
[0069](控制部)
[0070]如圖3所示，作為控制部(控制手段)的控制器121以具有CPlKCentral ProcessingUnit) 121a、RAM(Random Access Memory) 121b、存儲(chǔ)裝置121c、I/O端 P 12Id的計(jì)算機(jī)的形式構(gòu)成。RAM121b、存儲(chǔ)裝置121c、I/0端口 121d以經(jīng)由內(nèi)部總線121e與CPU121a進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的方式構(gòu)成?？刂破?21連接有例如以觸摸面板等的形式構(gòu)成的輸入輸出裝置122。
[0071]存儲(chǔ)裝置121c例如由閃存、HDD(Hard Disk Drive)等構(gòu)成。在存儲(chǔ)裝置121c內(nèi)，以可讀取的方式存儲(chǔ)有:控