工序之后，具有停止所述處理氣體和所述含氧氣體的供給、并供給含氮?dú)怏w的退火工序。
[0131]< 附記 6>
[0132]如附記I至附記5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，優(yōu)選，在供給所述處理氣體的工序之后，具有在保持所述襯底的溫度的狀態(tài)下對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序。
[0133]< 附記 7>
[0134]如附記6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，優(yōu)選，在對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序之后，具有向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體、調(diào)節(jié)為規(guī)定的壓力、然后使襯底降溫的工序。
[0135]< 附記 8>
[0136]根據(jù)另一方案，提供一種襯底處理裝置，其具有:
[0137]處理容器，收納形成有具有硅氮鍵的膜、并實(shí)施了前烘工序的襯底；
[0138]含氧氣體供給部，向所述襯底供給含氧氣體；
[0139]氣體供給部，向所述襯底供給處理氣體；
[0140]加熱部，對所述襯底進(jìn)行加熱；
[0141]控制部，控制所述含氧氣體供給部、所述氣體供給部和所述加熱部，以使得在供給所述含氧氣體的狀態(tài)下，以所述前烘工序的溫度以下的第一溫度對所述襯底進(jìn)行加熱，在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，以高于所述第一溫度的第二溫度對所述襯底進(jìn)行加熱。
[0142]< 附記 9>
[0143]如附記8所述的襯底處理裝置，優(yōu)選，具有對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣的排氣部，所述控制部控制所述氣體供給部、所述加熱部和所述排氣部，以使得在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，以第二溫度進(jìn)行加熱后，以將所述襯底的溫度維持為第二溫度的狀態(tài)對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣。
[0144]< 附記 10>
[0145]如附記9所述的襯底處理裝置，優(yōu)選，所述控制部控制所述氣體供給部、所述排氣部和所述加熱部，以使得在所述排氣之后，在將所述襯底的溫度維持為第二溫度的狀態(tài)下，所述氣體供給部向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體從而提高處理容器內(nèi)的壓力。
[0146]< 附記11>
[0147]如附記8至附記10中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選，所述第一溫度為150°C以下，所述第二溫度為250°C?400°C。
[0148]< 附記 12>
[0149]如附記8至附記11中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選，所述含氧氣體為包含氧氣的氣體，所述處理氣體為包含水蒸氣的氣體。
[0150]< 附記 13>
[0151]根據(jù)又一方案，提供一種程序或記錄有該程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，所述程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行下述步驟:
[0152]將形成有具有硅氮鍵的膜、并實(shí)施了前烘的襯底搬入處理容器的步驟；
[0153]以所述前烘的溫度以下的第一溫度向所述襯底供給含氧氣體的步驟；
[0154]以高于所述第一溫度的第二溫度向所述襯底供給處理氣體的步驟。
[0155]< 附記 14>
[0156]如附記13所述的程序或記錄有該程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，優(yōu)選，以所述第二溫度供給處理氣體的步驟在供給所述含氧氣體的步驟之后進(jìn)行。
[0157]< 附記 15>
[0158]如附記13或附記14所述的程序或記錄有該程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，優(yōu)選，在以所述第二溫度供給所述處理氣體之后，具有停止所述含氧氣體的供給、并供給含氮?dú)怏w的步驟。
[0159]< 附記 16>
[0160]如附記13至附記15中任一項(xiàng)所述的程序或記錄有該程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，優(yōu)選，在供給所述處理氣體的步驟之后，具有在保持所述襯底的溫度的狀態(tài)下對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣步驟。
[0161]< 附記 17>
[0162]如附記16中任一項(xiàng)所述的程序或記錄有該程序的計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，優(yōu)選，在對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的步驟之后，具有向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體、調(diào)節(jié)為規(guī)定的壓力、然后使所述襯底降溫的步驟。
[0163]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0164]根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)，能夠提高半導(dǎo)體器件的制造品質(zhì)。
[0165]符號說明
[0166]200..?晶片(襯底)，203..?處理容器(反應(yīng)管)，217..?晶舟，219...密封蓋，207..?第一加熱部，280..?第二加熱部，300..?液體流量控制單元，501..?處理氣體供給噴嘴，502..?供給孔，231..?氣體排氣管，121..?控制器(控制部)
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其具有下述工序: 將襯底搬入處理容器內(nèi)的工序，所述襯底形成有具有硅氮鍵的膜，并對所述膜實(shí)施了前烘； 以所述前烘的溫度以下的第一溫度向所述襯底供給含氧氣體的工序;和 以高于所述第一溫度的第二溫度向所述襯底供給處理氣體的工序。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述處理氣體為包含水蒸氣的氣體。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 供給所述處理氣體的工序在供給所述含氧氣體的工序之后進(jìn)行， 在供給所述處理氣體的工序中，一邊供給所述含氧氣體，一邊供給所述處理氣體。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 在供給所述處理氣體的工序之后，具有停止所述處理氣體和所述含氧氣體的供給、而供給含氮?dú)怏w的退火工序。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 在供給所述處理氣體的工序之后，具有在保持所述襯底的溫度的狀態(tài)下對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 在對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序之后，具有在保持所述襯底的溫度的狀態(tài)下向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體、供給所述非活性氣體直到所述處理容器內(nèi)成為規(guī)定的壓力為止、然后使襯底降溫的工序。7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述第一溫度為150°C以下，所述第二溫度為250°C?400°C。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述具有硅氮鍵的膜為包含低分子量的聚硅氮烷的膜。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述處理氣體為包含過氧化氫的氣體。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述具有硅氮鍵的膜為利用CVD法形成的膜。11.一種襯底處理裝置，其具有: 處理容器，收納形成有具有硅氮鍵的膜、并對所述膜實(shí)施了前烘工序的襯底； 含氧氣體供給部，向所述處理容器內(nèi)的所述襯底供給含氧氣體； 處理氣體供給部，向所述處理容器內(nèi)的所述襯底供給處理氣體； 加熱部，對所述襯底進(jìn)行加熱； 控制部，構(gòu)成為控制所述含氧氣體供給部、所述處理氣體供給部和所述加熱部，以使得在不供給所述處理氣體、而是供給所述含氧氣體的狀態(tài)下，以所述前烘工序的溫度以下的第一溫度將所述襯底加熱規(guī)定時間，在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，以高于所述第一溫度的第二溫度將所述襯底加熱規(guī)定時間。12.如權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部構(gòu)成為控制所述含氧氣體供給部，以使得在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，在以所述第二溫度將所述襯底加熱規(guī)定時間期間，向所述襯底同時供給所述處理氣體與所述含氧氣體。13.如權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中， 還具有對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣的排氣部， 所述控制部構(gòu)成為控制所述氣體供給部、所述加熱部和所述排氣部，以使得在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，以第二溫度將所述襯底加熱規(guī)定時間后，以將所述襯底的溫度維持為第二溫度的狀態(tài)對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣。14.如權(quán)利要求13所述的襯底處理裝置，其中， 還具有向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體的非活性氣體供給部， 所述控制部構(gòu)成為控制所述非活性氣體供給部、所述排氣部和所述加熱部，以使得在以將所述襯底的溫度維持為第二溫度的狀態(tài)對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣之后，以將所述襯底的溫度維持為第二溫度的狀態(tài)向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體從而提高處理容器內(nèi)的壓力。15.—種計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，記錄有使計(jì)算機(jī)執(zhí)行下述步驟的程序: 將形成有具有硅氮鍵的膜、并對所述膜實(shí)施了前烘的襯底搬入處理容器的步驟； 以所述前烘的溫度以下的第一溫度向所述襯底供給含氧氣體的步驟； 以高于所述第一溫度的第二溫度向所述襯底供給處理氣體的步驟。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)。可提高形成于襯底上的膜的特性。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其具有下述工序：將形成有具有硅氮鍵的膜、并對膜實(shí)施了前烘的襯底搬入處理容器的工序；以前烘的溫度以下的第一溫度向襯底供給含氧氣體的工序；和以高于所述第一溫度的第二溫度向襯底供給處理氣體的工序。
【IPC分類】H01L21/31, H01L21/316, H01L21/318
【公開號】CN105518836
【申請?zhí)枴緾N201480046974
【發(fā)明人】定田拓也, 角田徹, 奧野正久, 立野秀人
【申請人】株式會社日立國際電氣
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2014年9月29日
【公告號】US20160203976, WO2015053121A1