電子封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子封裝件，尤指一種能提升產(chǎn)品可靠度的電子封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)，現(xiàn)今的電子產(chǎn)品已趨向輕薄短小與功能多樣化的方向設(shè)計(jì)，半導(dǎo)體封裝技術(shù)亦隨之開發(fā)出不同的封裝型態(tài)。為滿足半導(dǎo)體裝置的高積集度(Integrat1n)、微型化(Miniaturizat1n)以及高電路效能等需求，遂而發(fā)展出現(xiàn)行晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(wafer level chip scale package，簡(jiǎn)稱WLCSP)的封裝技術(shù)。
[0003]圖1A至圖1E為現(xiàn)有WLCSP的封裝件I的制法的剖面示意圖。
[0004]如圖1A及圖1B所示，將一晶圓12’切割成多個(gè)半導(dǎo)體組件12，再置放該些半導(dǎo)體組件12于一承載板10的黏著層11上，之后檢測(cè)各該半導(dǎo)體組件12。該些半導(dǎo)體組件12具有相對(duì)的作用面12a與非作用面12b、及鄰接該作用面12a與非作用面12b的側(cè)面12c，該作用面12a上具有多個(gè)電極墊120，且各該作用面12a黏著于該黏著層11上。
[0005]如圖1C所示，形成一封裝層13于該黏著層11上，以包覆該半導(dǎo)體組件12。
[0006]如圖1D所示，移除該承載板10及黏著層11，以外露該半導(dǎo)體組件12的作用面12a。
[0007]如圖1E所示，進(jìn)行線路重布層(Redistribut1n layer，簡(jiǎn)稱RDL)制程，形成一線路重布結(jié)構(gòu)14于該封裝層13與該半導(dǎo)體組件12的作用面12a上，令該線路重布結(jié)構(gòu)14電性連接該半導(dǎo)體組件12的電極墊120。
[0008]接著，形成一絕緣保護(hù)層15于該線路重布結(jié)構(gòu)14上，且該絕緣保護(hù)層15外露該線路重布結(jié)構(gòu)14的部分表面，以供結(jié)合如焊錫凸塊的導(dǎo)電組件16。
[0009]之后，沿如圖1E所示的切割路徑S進(jìn)行切單制程。
[0010]惟，現(xiàn)有封裝件I于切單制程后，該半導(dǎo)體組件12的作用面12a的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度較低，因而容易于圖1A至圖1B的制程時(shí)產(chǎn)生裂損(Crack)，且于切單制程前已先檢測(cè)各該半導(dǎo)體組件12，所以無(wú)法檢出切單制程所造成的裂損，導(dǎo)致該些導(dǎo)電組件16容易發(fā)生脫落的問(wèn)題，以于取放該封裝件I至適合位置以進(jìn)行表面貼焊技術(shù)(Surface Mount Technology，簡(jiǎn)稱SMT)時(shí)，易使產(chǎn)品的良率不佳。
[0011]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，實(shí)已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種電子封裝件及其制法，能避免該些導(dǎo)電組件自該作用面上脫落。
[0013]本發(fā)明的電子封裝件，包括:電子組件，其具有相對(duì)的作用面與非作用面、及鄰接該作用面與非作用面的側(cè)面，且該作用面具有多個(gè)電極墊；多個(gè)導(dǎo)電組件，其設(shè)于該些電極墊上；以及封裝層，其形成于該電子組件的作用面與側(cè)面上及該導(dǎo)電組件的部分表面上，而未形成于該電子組件的非作用面上。
[0014]本發(fā)明還提供一種電子封裝件的制法，包括:提供一整版面基板，該整版面基板包含多個(gè)電子組件與間隔部，該間隔部位于各該電子組件之間，且該電子組件具有相對(duì)的作用面與非作用面，該作用面具有多個(gè)電極墊；于對(duì)應(yīng)該電子組件的作用面的一側(cè)，形成溝道于該間隔部上，且該溝道未貫穿該整版面基板；形成封裝層于該溝道中與該電子組件的作用面上，且該封裝層未覆蓋該些電極墊；以及于對(duì)應(yīng)該電子組件的非作用面的一側(cè)，沿該間隔部分離各該電子組件，使該封裝層形成于該電子組件的作用面與側(cè)面上，其中，該側(cè)面鄰接該作用面與非作用面。
[0015]前述的制法中，沿該間隔部分離各該電子組件的路徑的寬度小于該間隔部的寬度。
[0016]前述的制法中，該封裝層未形成于該電子組件的非作用面上。
[0017]前述的制法中，還包括形成該封裝層之后，先檢測(cè)該整版面基板，再分離各該電子組件。
[0018]前述的制法中，還包括分離各該電子組件之前，先進(jìn)行薄化制程以移除該非作用面的部分材質(zhì)。
[0019]前述的電子封裝件及其制法制法中，該封裝層的表面齊平該非作用面。
[0020]前述的電子封裝件及其制法中，形成該封裝層的材質(zhì)為絕緣材。
[0021]前述的電子封裝件及其制法中，該封裝層還形成于該電子組件的非作用面上。
[0022]前述的電子封裝件及其制法中，還包括形成多個(gè)導(dǎo)電組件于該些電極墊上，使該封裝層還形成于該導(dǎo)電組件的部分表面上，且該封裝層位于該導(dǎo)電組件上的高度為0.01至0.9mm。例如，先形成該封裝層，再形成該些導(dǎo)電組件于該些電極墊上；或者，先形成該些導(dǎo)電組件于該些電極墊上，再以軟性絕緣層包覆該些導(dǎo)電組件，之后形成該封裝層，最后，移除該軟性絕緣層。
[0023]前述的電子封裝件及其制法中，該電子組件為主動(dòng)組件、被動(dòng)組件或其組合者。
[0024]前述的電子封裝件及其制法中，還包括于分離各該電子組件之后，該電子組件以其作用面結(jié)合至一電子裝置上。
[0025]由上可知，本發(fā)明的電子封裝件及其制法，主要藉由先形成未貫穿該間隔部的溝道，再形成封裝層于該溝道中與該電子組件的作用面上，使該封裝層形成于該電子組件的作用面與側(cè)面上，以提升該電子組件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，于切單制程時(shí)，該電子組件的作用面的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度較強(qiáng)，因而不會(huì)產(chǎn)生裂損。
[0026]此外，藉由先檢測(cè)該整版面基板，以確認(rèn)形成該溝道時(shí)所造成的裂損狀況，再進(jìn)行切單，以淘汰不良電子封裝件，所以于進(jìn)行表面貼焊制程時(shí)，能提升產(chǎn)品的良率。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1A至圖1E為現(xiàn)有WLCSP的封裝件的制法的剖視示意圖；以及
[0028]圖2A至圖2F為本發(fā)明的電子封裝件的制法的剖視示意圖；其中，圖2A’、圖2C’與圖2F”為圖2A、圖2C與圖2F的另一方法；其中，圖2F’為圖2F(含電路板)的下視圖。
[0029]主要組件符號(hào)說(shuō)明
[0030]I封裝件
[0031]10承載板
[0032]11黏著層
[0033]12’晶圓
[0034]12半導(dǎo)體組件
[0035]12a、22a作用面
[0036]12b、22b非作用面
[0037]12c、22c側(cè)面
[0038]120、220電極墊
[0039]13、25封裝層
[0040]14線路重布結(jié)構(gòu)
[0041]15、221絕緣保護(hù)層
[0042]16^23導(dǎo)電組件
[0043]2電子封裝件
[0044]20整版面基板
[0045]21間隔部
[0046]22電子組件
[0047]24溝道
[0048]25a表面
[0049]26軟性絕緣層
[0050]8電路板
[0051]A、B高度
[0052]d厚度
[0053]S切割路徑
[0054]L、W寬度
[0055]Y箭頭。
【具體實(shí)施方式】
[0056]以下藉由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0057]須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“上”及“一”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0058]圖2A至圖2F為本發(fā)明的電子封裝件2的制法的剖視示意圖。
[0059]如圖2A所示，提供一整版面基板20，該整版面基板20包含多個(gè)電子組件22與間隔部21，且該間隔部21結(jié)合于各該電子組件22之間。
[0060]于本實(shí)施例中，該電子組件22具有作用面22a與相對(duì)該作用面22a的非作用面22b，該作用面22a上具有多個(gè)電極墊220，并形成一絕緣保護(hù)層221于該作用面22a與該些電極墊220上，且該絕緣保護(hù)層221外露該些電極墊220。
[0061]此外，該電子組件22為主動(dòng)組件、被動(dòng)組件或其組合者，且該主動(dòng)組件例如為半導(dǎo)體芯片，而該被動(dòng)組件例如為電阻、電容及電感。于此，該整版面基板20為晶圓，且該電子組件22為主動(dòng)組件。
[0062]又，該電子組件22已完成線路重布層(Redistribut1n layer，簡(jiǎn)稱RDL，圖略)制程，該線路重布結(jié)構(gòu)的最外側(cè)設(shè)有該些電極墊220。
[0063]如圖2B所示，于對(duì)應(yīng)該電子組件22的作用面22a的一側(cè)(即自該作用面22a上方)，以激光切割方式形成一溝道24于單一該間隔部21上，使各該電子組件22形成有側(cè)面22c，且該側(cè)面22c相鄰該作用面22a，其中，該溝道24并未貫穿該間隔部21。
[0064]于本實(shí)施例中，移除部分該間隔部21，使該間隔部21的保留厚度d為20 μ m，以形成該溝道24，且該溝道24的寬度L(或該間隔部21的寬度)