為10 μπι至3 mm。
[0065]如圖2C所示，形成一封裝層25于該溝道24中與該作用面22a的絕緣保護層221上，且該封裝層25未覆蓋該些電極墊220。接著，檢測該整版面基板20以檢出于形成該溝道24時所產生的裂損。
[0066]于本實施例中，該封裝層25填滿該溝道24，使該封裝層25環(huán)設于該電子組件22的周圍，且該封裝層25為絕緣材，例如，模封材(molding compound)、干膜材(dry film)、光阻材(photoresist)或防焊層(solder mask) ο
[0067]此外，該封裝層25未形成于該電子組件22的非作用面22b上。
[0068]如圖2D所示，進行薄化制程，即研磨移除該非作用面22b的部分材質，使該溝道24中的封裝層25外露于該非作用面22b，且該溝道24中的封裝層25的表面25a齊平該非作用面22b。
[0069]接著，形成多個導電組件23于該些電極墊220上，使該封裝層25還形成于該導電組件23的部分表面上。
[0070]于本實施例中，該些導電組件23為焊球、金屬凸塊或其結合的態(tài)樣。
[0071]如圖2E所示，于對應該電子組件22的非作用面22b的一側進行切單制程(如圖中的箭頭Y的方向)，沿圖2D所示的切割路徑S(即沿該間隔部21的路徑)切割該整版面基板20，以分離各該電子組件22，使該封裝層25形成于該電子組件22的作用面22a與側面22c上，俾獲取多個電子封裝件2。
[0072]于本實施例中，以鉆石刀切割該封裝層25的方式進行切單制程，且該切割路徑S的寬度W小于該溝道24的寬度L(如圖2B所示)。
[0073]如圖2F及圖2F’所示，該電子組件22藉其結合至一如電路板8的電子裝置上(即覆晶式結合)，且該些導電組件23結合至該電路板8的電性接觸墊(圖略)上。
[0074]于另一實施例中，也可于形成該溝道24之前，先形成多個導電組件23于該些電極墊220上，如圖2A’所示；接著，如圖2C’所示，以軟性絕緣層26包覆該些導電組件23，再形成該封裝層25，且該封裝層25未覆蓋該些電極墊220與該些導電組件23，其中，前述形成封裝層25于電子組件22的主動面22a的方式可以模壓或是旋轉涂布方式形成；最后，如圖2F”所示，移除該軟性絕緣層26，使該封裝層25還形成于該導電組件23的部分表面上，且該封裝層25爬升于該導電組件23側面的高度B約占該導電組件23的側面高度A的0.05至0.9(即B = 0.05A?0.9A)，其中，該封裝層25爬升于該導電組件23側面的高度B為
0.01至0.9 mm ;實際上，該導電組件23 —般側面高度約為lmm(但會依導電組件的種類不同而有所改變)，欲形成B = 0.05A?0.9A的方式為以旋轉涂布為佳。由于該軟性絕緣層26的特性，使該封裝層25位于該導電組件23處的表面會呈現(xiàn)非平整面(即不規(guī)則狀)，如圖2F”所示。
[0075]本發(fā)明的制法中，藉由先形成未貫穿該間隔部21的溝道24，再形成封裝層25于該溝道24中與該電子組件22的作用面22a上，使該封裝層25形成于該電子組件22的作用面22a與側面22c上，以提升該電子封裝件2的強度，所以于進行切單制程時，該電子組件22的作用面22a的結構強度較強，因而不會產生裂損。因此，該些導電組件23不會發(fā)生脫落的問題，以于后續(xù)進行表面貼焊技術或運送該電子封裝件2時，能提升產品的良率。
[0076]此外，于形成該封裝層25后，先檢測該整版面基板20的結構良率，以辨識出不良電子組件22，再進行切單，以淘汰不良電子封裝件2，所以于進行表面貼焊制程時，能提升廣品的良率。
[0077]又，如圖2C’所示，若先形成該些導電組件23，再形成該封裝層25，所以可藉由該封裝層25的保護，以增加該些導電組件23的結合穩(wěn)定性，使該些導電組件23更不會發(fā)生脫落的問題，而達到增加封裝信賴性的目的。
[0078]本發(fā)明還提供一種電子封裝件2，其包括:一電子組件22、一封裝層25以及多個導電組件23。
[0079]所述的電子組件22為主動組件、被動組件或其組合者，其具有相對的作用面22a與非作用面22b、及鄰該作用面22a與非作用面22b的側面22c，且該作用面22a設有多個電極墊220。
[0080]所述的封裝層25形成于該電子組件22的作用面22a與側面22c上而未形成于該非作用面22b上，且形成該封裝層25的材質為絕緣材。
[0081]所述的導電組件23設于該些電極墊220上并電性連接該些電極墊220，且該封裝層25還形成于該導電組件23的部分表面上，其中，該封裝層25位于該導電組件23上的高度 B 為 0.01 至 0.9 mm。
[0082]于一實施例中，該封裝層25的表面齊平該非作用面22b。
[0083]于一實施例中，該電子組件22藉由該些導電組件23結合至一電路板8上。
[0084]綜上所述，本發(fā)明的電子封裝件，藉由該封裝層的設計，以提升該電子封裝件的結構強度，而能避免該電子組件產生裂損，因而提升該電子封裝件的良率。
[0085]此外，先檢測該整版面基板，再進行切單，以于進行表面貼焊制程時，能提升產品的良率。
[0086]上述實施例僅用于例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。
【主權項】
1.一種電子封裝件，包括: 電子組件，其具有相對的作用面與非作用面、及鄰接該作用面與非作用面的側面，且該作用面具有多個電極墊； 多個導電組件，其設于該些電極墊上；以及 封裝層，其形成于該電子組件的作用面與側面上及該導電組件的部分表面上，而未形成于該電子組件的非作用面上。2.如權利要求1所述的電子封裝件，其特征為，該電子組件為主動組件、被動組件或其組合者。3.如權利要求1所述的電子封裝件，其特征為，該電子組件以其作用面結合至一電子裝置上。4.如權利要求1所述的電子封裝件，其特征為，該封裝層的表面齊平該非作用面。5.如權利要求1所述的電子封裝件，其特征為，形成該封裝層的材質為絕緣材。6.如權利要求1所述的電子封裝件，其特征為，該封裝層位于該導電組件上的高度為0.0l 至 0.9mm。7.一種電子封裝件的制法，包括: 提供一整版面基板，該整版面基板包含多個電子組件與間隔部，該間隔部位于各該電子組件之間，且該電子組件具有相對的作用面與非作用面，該作用面并具有多個電極墊；于對應該電子組件的作用面的一側，形成溝道于該間隔部上，且該溝道未貫穿該整版面基板； 形成封裝層于該溝道中與該電子組件的作用面上，且該封裝層未覆蓋該些電極墊；以及 于對應該電子組件的非作用面的一側，沿該間隔部分離各該電子組件，使該封裝層形成于該電子組件的作用面與側面上，其中，該側面鄰接該作用面與非作用面。8.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，形成該封裝層的材質為絕緣材。9.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該封裝層未形成于該電子組件的非作用面上。10.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，沿該間隔部分離各該電子組件的路徑的寬度小于該間隔部的寬度。11.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該封裝層的表面齊平該非作用面。12.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該制法還包括，于形成該封裝層之后，先檢測該整版面基板，再分離各該電子組件。13.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該制法還包括，于分離各該電子組件之前，先移除該非作用面的部分材質。14.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該制法還包括形成多個導電組件于該些電極墊上。15.如權利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征為，該封裝層還形成于該導電組件的部分表面上。16.如權利要求15所述的電子封裝件的制法，其特征為，該封裝層位于該導電組件上的高度為0.0l至0.9mm。17.如權利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征為，該封裝層為先予形成，再形成該些導電組件于該些電極墊上。18.如權利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征為，該些導電組件先形成于該些電極墊上，再以軟性絕緣層包覆該些導電組件，于形成該封裝層后，移除該軟性絕緣層。19.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該制法還包括于分離各該電子組件之后，該電子組件以其作用面結合至一電子裝置上。20.如權利要求7所述的電子封裝件的制法，其特征為，該電子組件為主動組件、被動組件或其組合者。
【專利摘要】一種電子封裝件及其制法，該電子封裝件包括：電子組件、多個設于該電子組件上的導電組件以及封裝層，該封裝層覆蓋該電子組件的作用面與側面及該導電組件的部分表面上而未覆蓋該電子組件的非作用面，藉以提升該電子組件的作用面的結構強度，使其不會產生裂損，因而能避免該些導電組件自該作用面上脫落。
【IPC分類】H01L23/31, H01L21/56
【公開號】CN105575919
【申請?zhí)枴緾N201410695960
【發(fā)明人】唐紹祖, 藍章益, 蔡瀛洲
【申請人】矽品精密工業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年11月26日
【公告號】US20160133593