上相同面積電容單元的電容值的100-1000倍，所以僅需利用動態(tài)隨機存儲器芯片320上很小的面積，就能提供較大的去耦電容;將所述系統(tǒng)集成芯片310的所述電源網(wǎng)絡311的中間區(qū)域與所述動態(tài)隨機存儲器芯片320的所述電容單元321連通，優(yōu)選通過硅通孔或微凸塊330連通，利用動態(tài)隨機存儲器芯片320上的電容單元321作為去耦單元，濾除系統(tǒng)集成芯片310的電源網(wǎng)絡311上的電源噪聲，改善系統(tǒng)集成芯片310中間區(qū)域的供電效果，提高電源網(wǎng)絡311的供電穩(wěn)定性和抗噪聲性能。
[0024]這種方法在系統(tǒng)集成芯片310上僅需事先規(guī)劃好硅通孔或微凸塊330的位置，耗費系統(tǒng)集成芯片310的面積幾乎可以忽略不計，并且理論上可以在系統(tǒng)集成芯片310的電源網(wǎng)絡311中間區(qū)域的任何位置通過硅通孔或微凸塊330與動態(tài)隨機存儲器芯片320的電容單元321相連，僅需保證該區(qū)域不是動態(tài)隨機存儲器芯片320上的存儲單元所在位置即可。
[0025]本領域技術(shù)人員可以理解，根據(jù)實際需要，所述三維集成電路芯片可以包括多層系統(tǒng)集成芯片310和/或多層動態(tài)隨機存儲器芯片320，將其中一層系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡與其中一層動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通，利用該動態(tài)隨機存儲器芯片上的電容單元作為去耦單元用于濾除系統(tǒng)集成芯片電源網(wǎng)絡上的電源噪聲。
[0026]本發(fā)明的另一方面提供一種三維集成電路芯片，包括:系統(tǒng)集成芯片310，所述系統(tǒng)集成芯片310包括電源網(wǎng)絡311;動態(tài)隨機存儲器芯片320，所述動態(tài)隨機存儲器芯片320包括電容單元321;所述系統(tǒng)集成芯片310的所述電源網(wǎng)絡311的中間區(qū)域與所述動態(tài)隨機存儲器芯片320的所述電容單元321連通，所述電容單元321作為去耦單元用于濾除所述電源網(wǎng)絡311上的電源噪聲。
[0027]優(yōu)選地，所述動態(tài)隨機存儲器芯片320的所述電容單元321的電容值為所述系統(tǒng)集成芯片310上相同面積電容單元的電容值的100-1000倍。
[0028]優(yōu)選地，所述系統(tǒng)集成芯片310的所述電源網(wǎng)絡311與所述動態(tài)隨機存儲器芯片320的所述電容單元321通過硅通孔或微凸塊330連通。
[0029]優(yōu)選地，所述三維集成電路芯片包括多層系統(tǒng)集成芯片310和/或多層動態(tài)隨機存儲器芯片320，其中一層系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡與其中一層動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通。
[0030]優(yōu)選地，所述系統(tǒng)集成芯片310的所述電源網(wǎng)絡311通過位于邊緣區(qū)域的焊盤312與外部電源連通。
[0031]本發(fā)明的三維集成電路芯片及其電源噪聲濾波方法，通過將系統(tǒng)集成芯片的電源網(wǎng)絡中間區(qū)域與動態(tài)隨機存儲器芯片上的電容單元連通，利用動態(tài)隨機存儲器芯片上的電容單元作為去耦單元，濾除系統(tǒng)集成芯片電源網(wǎng)絡上的電源噪聲，改善系統(tǒng)集成芯片中間區(qū)域的供電效果，提高電源網(wǎng)絡的供電穩(wěn)定性和抗噪聲性能。
[0032]對于本領域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論如何來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明顯的，“包括”一詞不排除其他元素和步驟，并且措辭“一個”不排除復數(shù)。裝置權(quán)利要求中陳述的多個元件也可以由一個元件來實現(xiàn)。第一，第二等詞語用來表示名稱，而并不表示任何特定的順序。
【主權(quán)項】
1.一種三維集成電路芯片的電源噪聲濾波方法，其特征在于，包括: 提供系統(tǒng)集成芯片，所述系統(tǒng)集成芯片包括電源網(wǎng)絡； 提供動態(tài)隨機存儲器芯片，所述動態(tài)隨機存儲器芯片包括電容單元； 將所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡的中間區(qū)域與所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通，所述電容單元作為去耦單元濾除所述電源網(wǎng)絡上的電源噪聲。2.如權(quán)利要求1所述的三維集成電路芯片的電源噪聲濾波方法，其特征在于，所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元的電容值為所述系統(tǒng)集成芯片上相同面積電容單元的電容值的100-1000倍。3.如權(quán)利要求1所述的三維集成電路芯片的電源噪聲濾波方法，其特征在于，所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡與所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元通過硅通孔或微凸塊連通。4.如權(quán)利要求1所述的三維集成電路芯片的電源噪聲濾波方法，其特征在于，提供多層系統(tǒng)集成芯片和/或多層動態(tài)隨機存儲器芯片，將其中一層系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡與其中一層動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通。5.如權(quán)利要求1所述的三維集成電路芯片的電源噪聲濾波方法，其特征在于，所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡通過位于邊緣區(qū)域的焊盤與外部電源連通。6.一種三維集成電路芯片，其特征在于，包括: 系統(tǒng)集成芯片，所述系統(tǒng)集成芯片包括電源網(wǎng)絡； 動態(tài)隨機存儲器芯片，所述動態(tài)隨機存儲器芯片包括電容單元； 所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡的中間區(qū)域與所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通，所述電容單元作為去耦單元用于濾除所述電源網(wǎng)絡上的電源噪聲。7.如權(quán)利要求6所述的三維集成電路芯片，其特征在于，所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元的電容值為所述系統(tǒng)集成芯片上相同面積電容單元的電容值的100-1000倍。8.如權(quán)利要求6所述的三維集成電路芯片，其特征在于，所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡與所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元通過硅通孔或微凸塊連通。9.如權(quán)利要求6所述的三維集成電路芯片，其特征在于，包括多層系統(tǒng)集成芯片和/或多層動態(tài)隨機存儲器芯片，其中一層系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡與其中一層動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通。10.如權(quán)利要求6所述的三維集成電路芯片，其特征在于，所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡通過位于邊緣區(qū)域的焊盤與外部電源連通。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種三維集成電路芯片及其電源噪聲濾波方法，所述方法包括：提供系統(tǒng)集成芯片，所述系統(tǒng)集成芯片包括電源網(wǎng)絡；提供動態(tài)隨機存儲器芯片，所述動態(tài)隨機存儲器芯片包括電容單元；將所述系統(tǒng)集成芯片的所述電源網(wǎng)絡的中間區(qū)域與所述動態(tài)隨機存儲器芯片的所述電容單元連通，所述電容單元作為去耦單元濾除所述電源網(wǎng)絡上的電源噪聲。本發(fā)明的三維集成電路芯片及其電源噪聲濾波方法，通過將系統(tǒng)集成芯片的電源網(wǎng)絡中間區(qū)域與動態(tài)隨機存儲器芯片上的電容單元連通，利用動態(tài)隨機存儲器芯片上的電容單元作為去耦單元，濾除系統(tǒng)集成芯片電源網(wǎng)絡上的電源噪聲，改善系統(tǒng)集成芯片中間區(qū)域的供電效果，提高電源網(wǎng)絡的供電穩(wěn)定性和抗噪聲性能。
【IPC分類】H01L21/8242, H01L27/108
【公開號】CN105575967
【申請?zhí)枴緾N201610050108
【發(fā)明人】俞大立, 方曉東
【申請人】格科微電子（上海）有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2016年1月26日