半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，半導(dǎo)體器件在成本降低和前道晶圓制造工藝的提升的共同促進(jìn)下，實(shí)現(xiàn)了同樣功能的半導(dǎo)體器件的單體芯片尺寸越來(lái)越小的目標(biāo)，可以直接在晶圓上形成直接可以應(yīng)用在印刷電路板上安裝的球狀凸點(diǎn)。由于晶圓制造工藝局限性或者設(shè)計(jì)者出于同一款集成電路多種用途的考慮，在晶圓級(jí)封裝時(shí)需要對(duì)傳輸電信號(hào)的輸入端子重新定義位置形成球狀凸點(diǎn)，這就需要金屬再布線結(jié)構(gòu)。
[0003]如圖1，晶圓1lx主動(dòng)面形成電路后表面有電極102和鈍化層103，在晶圓1lx上形成第一再造鈍化層110，在第一再造鈍化層110上形成再布線金屬層210;再通過(guò)涂膠、曝光、顯影和固化的方法形成第二再造鈍化層310，再造鈍化層在再布線210上形成開(kāi)口；在再造鈍化層開(kāi)口上通過(guò)濺射、光刻、電鍍和腐蝕的方法形成凸點(diǎn)下金屬層410;通過(guò)植球回流的方法形成球形凸點(diǎn)510;對(duì)晶圓1lx背面研磨減薄后形成薄型晶圓；在晶圓1lx的背面貼一層背膠膜610并固化;切割后形成晶圓級(jí)封裝的單體100。
[0004]圖1的晶圓凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)在第一再造鈍化層110形成后再布線金屬層210形成前，需要進(jìn)行對(duì)第一再造鈍化層110實(shí)施等離子干法蝕刻處理，去掉表面碳化層確保表面絕緣電阻十兆歐以上；另外在第二再造鈍化層310形成之后，凸點(diǎn)下金屬層410形成之前也需要對(duì)第二再造鈍化層310實(shí)施等離子干法刻蝕處理去掉表面碳化層確保表面絕緣電阻十兆歐以上。這兩步驟的工藝處置如出現(xiàn)問(wèn)題，只有在產(chǎn)品最終功能測(cè)試前才會(huì)被發(fā)現(xiàn)，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，包括:
[0006]提供待檢測(cè)晶圓，所述晶圓的表面設(shè)有再造鈍化層；
[0007]測(cè)量所述再造鈍化層表面的漏電流以確定所述再造鈍化層表面的絕緣電阻的電阻值；
[0008]判斷所述電阻值是否滿(mǎn)足合格條件；以及
[0009]基于所述判斷的結(jié)果執(zhí)行相應(yīng)的處理。
[0010]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，通過(guò)在線監(jiān)控每片晶圓表面的絕緣電阻，主要是監(jiān)控晶圓表面的再造鈍化層的電阻，若當(dāng)站發(fā)現(xiàn)異常產(chǎn)品，就及時(shí)進(jìn)行蝕刻處理以去除再造鈍化層表面的碳化層，避免發(fā)生產(chǎn)品電性能質(zhì)量問(wèn)題。本發(fā)明在不影響制造周期和監(jiān)控成本的情況下實(shí)施半導(dǎo)體絕緣電阻的監(jiān)控，判斷影響晶圓絕緣電阻偏低的工藝，提尚半導(dǎo)體廣品的合格率。
【附圖說(shuō)明】
[0011]通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0012]圖1為現(xiàn)有的晶圓級(jí)封裝單體的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控的流程示意圖
[0014]圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的獲得半導(dǎo)體絕緣電阻的電流測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0016]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。
[0017]參考圖2，本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，包括步驟:
[0018]S101:提供待檢測(cè)晶圓，晶圓的表面設(shè)有再造鈍化層；
[0019]S102:測(cè)量再造鈍化層表面的漏電流以確定再造鈍化層表面的絕緣電阻的電阻值；
[0020]S103:判斷電阻值是否滿(mǎn)足合格條件；
[0021]S104:基于判斷的結(jié)果執(zhí)行相應(yīng)的處理。
[0022]進(jìn)一步地，在測(cè)量再造鈍化層表面的漏電流之前，對(duì)再造鈍化層的表面進(jìn)行蝕刻處理以去除碳化層。
[0023]進(jìn)一步地，測(cè)量再造鈍化層表面的漏電流包括:利用電流測(cè)量裝置在同一電壓下針對(duì)再造鈍化層實(shí)施多次電流測(cè)量。
[0024]進(jìn)一步地，判斷電阻值是否滿(mǎn)足合格條件，包括:判斷電阻值是否大于預(yù)定閾值。
[0025]同一電壓下對(duì)再造鈍化層實(shí)施多次電流測(cè)量，可以根據(jù)漏電流對(duì)應(yīng)的電阻值與預(yù)定閾值進(jìn)行比較，進(jìn)而判斷每次去除碳化層處理后的再造鈍化層表面的絕緣電阻是否符合要求。
[0026]進(jìn)一步地，基于判斷的結(jié)果執(zhí)行相應(yīng)的處理，包括:若判斷結(jié)果為滿(mǎn)足合格條件，則執(zhí)行后續(xù)半導(dǎo)體制作工藝;若判斷結(jié)果為不滿(mǎn)足合格條件，且蝕刻處理達(dá)到預(yù)定次數(shù)，則報(bào)廢晶圓;若判斷結(jié)果為不滿(mǎn)足合格條件，且蝕刻處理未達(dá)到預(yù)定次數(shù)，則再次進(jìn)行蝕刻處理以去除碳化層后，再次執(zhí)行測(cè)量。
[0027]作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，在首次執(zhí)行測(cè)量之前，對(duì)再造鈍化層執(zhí)行兩次蝕刻處理。
[0028]作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，預(yù)定次數(shù)優(yōu)選為三次。
[0029]對(duì)于圖1所示的現(xiàn)有的晶圓級(jí)封裝單體的封裝結(jié)構(gòu)，再造鈍化層包括第一再造鈍化層110和第二再造鈍化層310，優(yōu)選的，分別針對(duì)第一再造鈍化層和第二再造鈍化層執(zhí)行漏電流的測(cè)量，其中，第二再造鈍化層310形成在第一再造鈍化層110之后，并且針對(duì)第一再造鈍化層110表面的漏電流的測(cè)量在第二再造鈍化層310形成之前。
[0030]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種獲得半導(dǎo)體絕緣電阻的電流測(cè)量裝置。如圖3所示，電流測(cè)量裝置包括:一對(duì)探針141，探針141具有探頭144，用以接觸再造鈍化層22的表面;測(cè)試主機(jī)142，通過(guò)導(dǎo)線143連接探針141，用以控制測(cè)阻的進(jìn)程以及顯示測(cè)量數(shù)據(jù)；以及使探針141沿豎直方向上下移動(dòng)的運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌145，探針141固定于運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌145內(nèi)，且探頭144位于運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌145的下方；
[0031]確定再造鈍化層表面的絕緣電阻的電阻值的方法包括:
[0032]將測(cè)試主機(jī)142連接電源，對(duì)測(cè)試主機(jī)142施加電壓；
[0033]移動(dòng)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌145使探針141向下運(yùn)動(dòng)至探頭142接觸再造鈍化層22的表面，獲得電壓對(duì)應(yīng)的漏電流；
[0034]由電壓和其對(duì)應(yīng)的漏電流確定絕緣電阻的電阻值。
[0035]本發(fā)明中提供的獲得半導(dǎo)體絕緣電阻的電流測(cè)量裝置，實(shí)質(zhì)上通過(guò)施加電壓獲得對(duì)應(yīng)的漏電流，由電壓和漏電流推出絕緣電阻的電阻值。
[0036]如圖3所示，待檢測(cè)的晶圓21以及設(shè)置于其表面的再造鈍化層22，本發(fā)明中再造鈍化層22泛指圖1中涉及的第一再