造鈍化層110和第二再造鈍化層310，但不局限與此。對(duì)第一再造鈍化層110和第二再造鈍化層310的絕緣電阻的測(cè)量方式可參照?qǐng)D3所示的再造鈍化層22的測(cè)量方式。
[0037]進(jìn)一步地，測(cè)量再造鈍化層22表面的漏電流時(shí)，晶圓21放置于真空旋轉(zhuǎn)吸盤頂部的真空吸附平面上，通過光電對(duì)中裝置13對(duì)晶圓進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
[0038]進(jìn)一步地，光電對(duì)中裝置13包括信號(hào)發(fā)射裝置131以及光電傳感器132;信號(hào)發(fā)射裝置131位于晶圓的上方，用以發(fā)出光信號(hào);光電傳感器132位于晶圓的下方，用以接收信號(hào)發(fā)射裝置發(fā)出的光信號(hào)。
[0039]對(duì)測(cè)試主機(jī)142施加電壓，通過運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌145帶動(dòng)探針141向下運(yùn)動(dòng)至探頭144與再造鈍化層22的表面接觸，得到漏電流，進(jìn)而確定再造鈍化層的絕緣電阻。
[0040]本申請(qǐng)中，對(duì)晶圓21的表面的再造鈍化層22進(jìn)行蝕刻處理，然后放置于真空旋轉(zhuǎn)吸盤上，通過光電對(duì)中裝置對(duì)準(zhǔn)，接著對(duì)再造鈍化層的表面執(zhí)行漏電流的測(cè)量，以確定絕緣電阻的阻值。
[0041]本申請(qǐng)中的蝕刻處理優(yōu)選為離子干法蝕刻工藝，主要的利用氧氣、氮?dú)?、四氟化碳等氣體實(shí)施干法蝕刻。
[0042]如圖3所示，在測(cè)量在鈍化層22表面的漏電流之前，對(duì)再造鈍化層22的表面進(jìn)行蝕刻處理以去除碳化層。
[0043]同一電壓下對(duì)再造鈍化層實(shí)施多次電流測(cè)量，蝕刻處理的預(yù)定次數(shù)優(yōu)選為三次。其中，電壓定義為U，電壓U優(yōu)選為4.2V。
[0044]在首次測(cè)量漏電流之前，先進(jìn)行兩次蝕刻處理，電流測(cè)量得漏電流I1，從而得與漏電流I1對(duì)應(yīng)的RK=IVI1),將Rl與預(yù)定閾值進(jìn)行比較，若Rl大于預(yù)定閾值，則R1滿足合格條件，執(zhí)行后續(xù)的半導(dǎo)體制作工藝;若Rl小于預(yù)定閾值，則進(jìn)行第三次蝕刻處理，電流測(cè)量得漏電流I!’，從而得與漏電流I1’對(duì)應(yīng)的&’(=W),將V與預(yù)定閾值進(jìn)行比較，若R1’大于預(yù)定閾值則仏’滿足合格條件，執(zhí)行后續(xù)的半導(dǎo)體制作工藝，若仏’小于預(yù)定閾值，則晶圓報(bào)廢。其中，預(yù)定閾值優(yōu)選為10ΜΩ。
[0045]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，通過在線監(jiān)控每片晶圓表面的絕緣電阻，主要是監(jiān)控晶圓表面的再造鈍化層的電阻，若當(dāng)站發(fā)現(xiàn)異常產(chǎn)品，就及時(shí)進(jìn)行蝕刻處理以去除再造鈍化層表面的碳化層，避免發(fā)生產(chǎn)品電性能質(zhì)量問題。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法實(shí)施方便，在不影響制造周期和監(jiān)控成本的情況下實(shí)施監(jiān)控半導(dǎo)體絕緣電阻，判斷影響晶圓絕緣電阻偏低的工藝，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的合格率。
[0046]以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，包括: 提供待檢測(cè)晶圓，所述晶圓的表面設(shè)有再造鈍化層； 測(cè)量所述再造鈍化層表面的漏電流以確定所述再造鈍化層表面的絕緣電阻的電阻值； 判斷所述電阻值是否滿足合格條件；以及 基于所述判斷的結(jié)果執(zhí)行相應(yīng)的處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，在測(cè)量所述再造鈍化層表面的漏電流之前，對(duì)所述再造鈍化層的表面進(jìn)行蝕刻處理以去除碳化層。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，所述測(cè)量所述再造鈍化層表面的漏電流包括: 利用電流測(cè)量裝置在同一電壓下針對(duì)所述再造鈍化層實(shí)施多次電流測(cè)量。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，所述判斷所述電阻值是否滿足合格條件，包括: 判斷所述電阻值是否大于預(yù)定閾值。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，所述基于所述判斷的結(jié)果執(zhí)行相應(yīng)的處理，包括: 若判斷結(jié)果為滿足合格條件，則執(zhí)行后續(xù)半導(dǎo)體制作工藝； 若判斷結(jié)果為不滿足合格條件，且所述蝕刻處理達(dá)到預(yù)定次數(shù)，則報(bào)廢所述晶圓； 若判斷結(jié)果為不滿足合格條件，且所述蝕刻處理未達(dá)到預(yù)定次數(shù)，則再次進(jìn)行所述蝕刻處理以去除碳化層后，再次執(zhí)行所述測(cè)量。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，在首次執(zhí)行所述測(cè)量之前，對(duì)所述再造鈍化層執(zhí)行兩次所述蝕刻處理。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，所述預(yù)定次數(shù)為三次。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于， 所述再造鈍化層包括第一再造鈍化層和第二再造鈍化層，分別針對(duì)所述第一再造鈍化層和所述第二再造鈍化層執(zhí)行所述測(cè)量，其中， 所述第二再造鈍化層形成在所述第一再造鈍化層之后，并且針對(duì)所述第一再造鈍化層的測(cè)量在所述第二再造鈍化層形成之前。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于， 所述電流測(cè)量裝置包括:一對(duì)探針，所述探針具有探頭，用以接觸所述再造鈍化層的表面;測(cè)試主機(jī)，通過導(dǎo)線連接所述探針，用以控制測(cè)阻的進(jìn)程以及顯示測(cè)量數(shù)據(jù)；以及使所述探針沿豎直方向上下移動(dòng)的運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌，所述探針固定于所述運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌內(nèi)，且所述探頭位于所述運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌的下方； 確定所述再造鈍化層表面的絕緣電阻的電阻值的方法包括: 將測(cè)試主機(jī)連接電源，對(duì)所述測(cè)試主機(jī)施加電壓； 移動(dòng)所述運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌使所述探針向下運(yùn)動(dòng)至所述探頭接觸所述再造鈍化層的表面，獲得所述電壓對(duì)應(yīng)的漏電流； 由所述電壓和其對(duì)應(yīng)的漏電流確定所述絕緣電阻的電阻值。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，其特征在于，測(cè)量所述再造鈍化層表面的漏電流時(shí)，所述晶圓放置于真空旋轉(zhuǎn)吸盤頂部的真空吸附平面上，通過光電對(duì)中裝置對(duì)所述晶圓進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體絕緣電阻監(jiān)控方法，包括：提供待檢測(cè)晶圓，晶圓的表面設(shè)有再造鈍化層；測(cè)量再造鈍化層表面的漏電流以確定再造鈍化層表面的絕緣電阻的電阻值；判斷電阻值是否滿足合格條件；以及基于判斷的結(jié)果執(zhí)行相應(yīng)的處理。本發(fā)明通過在線監(jiān)控每片晶圓表面的絕緣電阻，主要是監(jiān)控晶圓表面的再造鈍化層的電阻，若當(dāng)站發(fā)現(xiàn)異常產(chǎn)品，就及時(shí)進(jìn)行蝕刻處理以去除再造鈍化層表面的碳化層，避免發(fā)生產(chǎn)品電性能質(zhì)量問題。本發(fā)明在不影響制造周期和監(jiān)控成本的情況下實(shí)施半導(dǎo)體絕緣電阻的監(jiān)控，判斷影響晶圓絕緣電阻偏低的工藝，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的合格率。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號(hào)】CN105632977
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511020112
【發(fā)明人】施建根
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2015年12月29日