如W上的計(jì)算公式，則A V和A Vcom是相等的。其中，如上所述的第二薄膜 晶體管40與第一薄膜晶體管10具有相同的性能參數(shù)，是指在制造薄膜晶體管陣列基板的工 藝過(guò)程中，在制備第一薄膜晶體管10時(shí)同時(shí)制備了第二薄膜晶體管40并且采用相同的材 料，兩者的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也相同，因此可W得到性能參數(shù)(例如柵極和源極之間的寄生電容)相 同或大體上相同的薄膜晶體管。
[0046] 需要說(shuō)明的是，對(duì)于像素電極20和第一公共電極31，兩者對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存電容Cst和液 晶電容Clc通常是相等或者近似的，因此如上的A V和A Vcom的計(jì)算公共中采用了相同的儲(chǔ) 存電容Cst和液晶電容Clc表示，因此只需要考慮參數(shù)Cgsl和Cgs2即可。在一些具體的實(shí)施 結(jié)構(gòu)中，有可能存在像素電極20和第一公共電極31對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存電容Cst和液晶電容Clc相差 較大，此時(shí)在如上的A V和A Vcom的計(jì)算公共中應(yīng)當(dāng)考慮兩者的儲(chǔ)存電容Cst和液晶電容 Clc的差異，在此情況下，需要對(duì)第二薄膜晶體管40和第一薄膜晶體管10進(jìn)行差異化設(shè)計(jì)， 使得Cgsl和Cgs2不相等W達(dá)到A Vcom與A V相等或近似于相等的目的。
[0047] 如圖7中的一個(gè)像素單元P接收到的電壓信號(hào)的波形圖，圖中Vd表示數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng) 電壓的波形，Vg表示掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電壓的波形，化表示像素電極P接收到的實(shí)際電壓信號(hào)的 波形，Vcom表示第二公共電極32從外部接收的公共電壓信號(hào)，Vcoml表示第一公共電極31的 實(shí)際公共電壓信號(hào)。從波形圖中可W看出，不管是在正半周期還是負(fù)半周期，像素電極P接 收到的實(shí)際電壓化與第一公共電極31的實(shí)際公共電壓Vcoml之間的差值相等，從而改善了 的圖像閃爍或圖像殘留的問(wèn)題。
[004引如上實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板，通過(guò)陣列基板的結(jié)構(gòu)本身自行修正公共 電壓，相比于通過(guò)外部修正的方式，公共電壓的修正更加精確和及時(shí)。進(jìn)一步地，參閱圖4和 圖8,由于公共電極層30被劃分第一公共電極31和第二公共電極32,由前述的內(nèi)容可知，第 二公共電極32的電壓高于第一公共電極31的電壓，因此在像素單元P的邊緣存在一個(gè)從第 二公共電極32朝向第一公共電極31的電場(chǎng)E，該電場(chǎng)E可W糾正由于制程等因素導(dǎo)致的液晶 偏移排列，從而降低像素中的暗態(tài)亮度，有助于提升顯示畫(huà)面對(duì)比度，進(jìn)一步提高了液晶顯 示器的顯示品質(zhì)。
[0049]在本實(shí)施例中，如圖4所示，M個(gè)第一公共電極31之間是相互電性絕緣的，M個(gè)第二 公共電極32之間也是相互電性絕緣的。在另外的一些實(shí)施例中，可W在陣列基板上設(shè)置連 接導(dǎo)線，將M個(gè)第一公共電極31之間相互電性連接;相應(yīng)的，還可W設(shè)置另外的連接導(dǎo)線，將 M個(gè)第二公共電極32之間相互電性連接。
[00加]實(shí)施例2
[0051] 本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板與實(shí)施例1不同的是:本實(shí)施例中，第m個(gè)第 一公共電極31和第m個(gè)第二公共電極32之間連接有兩個(gè)第二薄膜晶體管40。
[0052] 其中的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案，如圖9所示，所述兩個(gè)第二薄膜晶體管40分別設(shè)置于 第m行第1列和第m行第N列的像素單元P中；所述兩個(gè)第二薄膜晶體管40的柵極分別連接到 第m行像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線S，漏極分別連接到所述第m個(gè)第二公共電極32,源極分別連接 到所述第m個(gè)第一公共電極31。
[0053] 另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，如圖10所示，所述兩個(gè)第二薄膜晶體管40設(shè)置于第m行 像素單元P之外，分別位于第m行第1列和每m行第N列的像素單元P的外側(cè)。所述兩個(gè)第二薄 膜晶體管40的柵極分別連接到第m行像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線S，漏極分別連接到所述第m個(gè) 第二公共電極32,源極分別連接到所述第m個(gè)第一公共電極31。
[0054] 與實(shí)施例1相比，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板，減少了連接在第一公共電極31 和第二公共電極32之間的第二薄膜晶體管40,主要是為了減小第二薄膜晶體管40對(duì)像素單 元P的開(kāi)口率的影響。當(dāng)然，在另外的一些實(shí)施例方式中，第二薄膜晶體管40的數(shù)量也可W 僅僅設(shè)置為一個(gè)，但是僅使用一個(gè)第二薄膜晶體管40時(shí)，可能會(huì)影響第二公共電極32對(duì)第 一公共電極31的充電效率。
[0化5] 實(shí)施例3
[0056] 本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板與實(shí)施例1不同的是:本實(shí)施例中的第一公 共電極31和第二公共電極32是沿列方向延伸的。
[0057] 具體地，如圖11所示，該薄膜晶體管陣列基板包括多條掃描線S和多條數(shù)據(jù)線D，多 條掃描線S和多條數(shù)據(jù)線D相互垂直交叉限定出M行XN列像素單元P，每一像素單元P至少包 括一第一薄膜晶體管10和一像素電極20,該薄膜晶體管10的柵極電性連接到掃描線S，漏極 電性連接到數(shù)據(jù)線D，源極電性連接到像素電極20。
[0058] 進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管陣列基板還包括公共電極層30,其中，所述公共電極層 30沿列方向被劃分為交替間隔的N個(gè)第一公共電極31和N個(gè)第二公共電極32,第n個(gè)第一公 共電極31和第n個(gè)第二公共電極32與第N列像素單元P相對(duì)設(shè)置，第n個(gè)第一公共電極31和第 n個(gè)第二公共電極32之間連接有至少一個(gè)第二薄膜晶體管40。在本實(shí)施例中，每一第一公共 電極31相對(duì)設(shè)置在對(duì)應(yīng)列的像素單元P中的像素電極20的上方，每一第二公共電極32相對(duì) 設(shè)置在對(duì)應(yīng)列的像素單元P中的數(shù)據(jù)線D的上方。其中，其中，M、N為大于1的整數(shù)(通常的，M 和N的數(shù)值都比較大），n = l、2、…、N-1、N。
[0059] 進(jìn)一步地，如圖12所示，所述第二薄膜晶體管40的柵極連接到其所在行像素單元P 的掃描線S，漏極連接到所述第二公共電極32,源極連接到所述第一公共電極31。將第二公 共電極32作為公共電壓的充電線，第二公共電極32從外部接收公共電壓，然后通過(guò)所述第 二薄膜晶體管40將所述公共電壓提供給所述第一公共電極31。其中，所述第二薄膜晶體管 40與所述第一薄膜晶體管10具有相同的性能參數(shù)，并且，第二薄膜晶體管40與第一薄膜晶 體管10的柵極都是連接到掃描線S，即，第二薄膜晶體管40與第一薄膜晶體管10具有相同的 開(kāi)關(guān)時(shí)序信號(hào)。
[0060] 在本實(shí)施例中，如圖11所示，第n個(gè)第一公共電極31和第n個(gè)第二公共電極32之間 連接有M個(gè)第二薄膜晶體管40，M個(gè)第二薄膜晶體管40分別設(shè)置于第n列第1行至第n列第M行 的像素單元P中；所述M個(gè)第二薄膜晶體管40的柵極分別一一對(duì)應(yīng)地連接到第n列第1行至第 n列第M行像素單元P對(duì)應(yīng)的掃描線S，漏極分別連接到所述第n個(gè)第二公共電極32,源極分別 連接到所述第n個(gè)第一公共電極31。例如，位于第n列第1行像素單元P中的第二薄膜晶體管 40的柵極連接到第1行像素單元P的掃描線S，漏極連接到第n個(gè)第二公共電極32,源極連接 到第n個(gè)第一公共電極31;位于第n列第2行像素單元P中的第二薄膜晶體管40的柵極連接到 第2行像素單元P的掃描線S，漏極連接到第n個(gè)第二公共電極32,源極連接到第n個(gè)第一公共 電極31; W此類推。
[0061] 在本實(shí)施例中，如圖11所示，N個(gè)第一公共電極31之間是相互電性絕緣的，N個(gè)第二 公共電極32之間也是相互電性絕緣的。在另外的實(shí)施例中，可W在陣列基板上設(shè)置連接導(dǎo) 線，將N個(gè)第一公共電極31之間相互電性連接;相應(yīng)的，還可W設(shè)置另外的連接導(dǎo)線，將N個(gè) 第二公共電極32之間相互電性連接。
[0062] 本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板，其對(duì)公共電壓的修正原理及其取得的技術(shù) 效果與實(shí)施例1的相同，在此不再寶述。
[0063] 實(shí)施例4
[0064] 本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板與實(shí)施例3不同的是:本實(shí)施例中，第n個(gè)第 一公共電極31和第n個(gè)第二公共電極32之間連接有兩個(gè)第二薄膜晶體管40。
[0065] 其中的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案，如圖13所示，所述兩個(gè)第二薄膜晶體管40分別設(shè)置 于第n列第1行和第n列第M行的像素單元P中；所述兩個(gè)第二薄膜晶體管40的漏極分別連接 到所述第n個(gè)第二公共電極32,源極分別連接到所述第n個(gè)第一公共電極31，位于第n列第1 行像素單元P中的第二薄膜晶體管40的柵極連接到第1行像素單元P對(duì)應(yīng)的掃描線S，位于第 n列第M行像素單元P中的第二薄膜晶體管40的柵極連接到第M行像素單元P對(duì)應(yīng)的掃描線S。
[0066] 另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，如圖14所示，所述兩個(gè)第二薄膜晶體管40設(shè)置于第n列 像素單元P之外，分別位于第n列第1行和第n列第M行的像素單元P的外側(cè);所述兩個(gè)第二薄 膜晶體管40的漏極分別連接到所述第n個(gè)第二公共電極32,源極分別連接到所述第n個(gè)第一 公共電極31，位于第n列第1行像素單元P外側(cè)的第二薄膜晶體管40的柵極連接到第1行像素 單元P對(duì)應(yīng)的掃描線S，位于第n列第M行像素單元P外側(cè)的第二薄膜