晶體管40的柵極連接到 第M行像素單元P對應的掃描線S(可W增加另外的掃描線S)。
[0067] 與實施例3相比，本實施例的薄膜晶體管陣列基板，減少了連接在第一公共電極31 和第二公共電極32之間的第二薄膜晶體管40,主要是為了減小第二薄膜晶體管40對像素單 元P的開口率的影響。當然，在另外的一些實施例方式中，第二薄膜晶體管40的數(shù)量也可W 僅僅設置為一個，但是僅使用一個第二薄膜晶體管40時，可能會影響第二公共電極32對第 一公共電極31的充電效率。
[0068] 綜上所述，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板，將公共電極層劃分為第一 公共電極和第二公共電極，第二公共電極相當于公共電壓(Vcom)的充電線，第二公共電極 輸入有公共電壓，然后通過第二薄膜晶體管將公共電壓提供給第一公共電極。由于薄膜晶 體管中寄生電容的存在，通過薄膜晶體管充電時會產(chǎn)生饋通電壓，即產(chǎn)生壓降，具體地，數(shù) 據(jù)線通過第一薄膜晶體管對像素電極充電時產(chǎn)生的壓降A V，而第二公共電極通過第二薄 膜晶體管對第一公共電極充電時產(chǎn)生的壓降A Vcom,由此，通過對第二薄膜晶體管性能參 數(shù)的配置，可W使得壓降A Vcom與壓降A V相等或近似于相等，從而達到通過陣列基板的結 構本身自行修正公共電壓的目的。
[0069] 需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實 體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示運些實體或操作之間存 在任何運種實際的關系或者順序。而且，術語"包括"、"包含"或者其任何其他變體意在涵蓋 非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要 素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為運種過程、方法、物品或者設備 所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句"包括一個……"限定的要素，并不排除在 包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0070] W上所述僅是本申請的【具體實施方式】，應當指出，對于本技術領域的普通技術人 員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可W做出若干改進和潤飾，運些改進和潤飾也應 視為本申請的保護范圍。
【主權項】
1. 一種薄膜晶體管陣列基板，包括由多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出的Μ行 ΧΝ列像素單元，每一像素單元中設置有一第一薄膜晶體管和一像素電極，所述第一薄膜晶 體管的柵極連接到其中一條掃描線，漏極連接到其中一條數(shù)據(jù)線，源極連接到所述像素電 極;所述陣列基板還包括公共電極層，其特征在于， 所述公共電極層沿行方向或列方向被劃分為交替間隔的多個第一公共電極和多個第 二公共電極，多個第一公共電極和多個第二公共電極--對應;每一第二公共電極與對應 的第一公共電極之間連接有至少一個第二薄膜晶體管，所述第二公共電極輸入有公共電 壓，并通過所述第二薄膜晶體管將所述公共電壓提供給所述對應的第一公共電極； 其中，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一薄膜晶體管向所述像素電極充電時產(chǎn)生一數(shù)據(jù)信號壓 降Δ V，所述第二公共電極通過所述第二薄膜晶體管向所述第一公共電極充電時產(chǎn)生一公 共電壓壓降A Vcom;所述第二薄膜晶體管的參數(shù)被配置為使得△ Vcom與△ V相等或近似于 相等； 其中，M、N為大于1的整數(shù)。2. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述公共電極層沿行方向 被劃分為交替間隔的Μ個第一公共電極和Μ個第二公共電極，第m個第一公共電極和第m個第 二公共電極與第m行像素單元相對設置，第m個第一公共電極和第m個第二公共電極之間連 接有至少一個第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的柵極連接有與所述掃描線中相同的 時序信號，漏極連接到所述第m個第二公共電極，源極連接到所述第m個第一公共電極;所述 第m個第二公共電極輸入有公共電壓，并通過所述第二薄膜晶體管將所述公共電壓提供給 所述第m個第一公共電極； 其中，ι?=1、2、···、Μ-1、Μ。3. 根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第m個第一公共電極和第m 個第二公共電極之間連接有兩個第二薄膜晶體管，所述兩個第二薄膜晶體管分別設置于第 m行第1列和第m行第N列的像素單元中；所述兩個第二薄膜晶體管的柵極分別連接到第m行 像素單元對應的掃描線，漏極分別連接到所述第m個第二公共電極，源極分別連接到所述第 m個第一公共電極。4. 根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第m個第一公共電極和第m 個第二公共電極之間連接有兩個第二薄膜晶體管，所述兩個第二薄膜晶體管設置于第m行 像素單元之外，分別位于第m行第1列和每m行第N列的像素單元的外側;所述兩個第二薄膜 晶體管的柵極分別連接到第m行像素單元對應的掃描線，漏極分別連接到所述第m個第二公 共電極，源極分別連接到所述第m個第一公共電極。5. 根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第m個第一公共電極和第m 個第二公共電極之間連接有N個第二薄膜晶體管，所述N個第二薄膜晶體管分別設置于第m 行第1列至第m行第N列的像素單元中；所述N個第二薄膜晶體管的柵極分別連接到第m行像 素單元對應的掃描線，漏極分別連接到所述第m個第二公共電極，源極分別連接到所述第m 個第一公共電極。6. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述公共電極層沿列方向 被劃分為交替間隔的N個第一公共電極和N個第二公共電極，第η個第一公共電極和第η個第 二公共電極與第Ν列像素單元相對設置，第η個第一公共電極和第η個第二公共電極之間連 接有至少一個第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的柵極連接有與所述掃描線中相同的 時序信號，漏極連接到所述第η個第二公共電極，源極連接到所述第η個第一公共電極;所述 第η個第二公共電極輸入有公共電壓，并通過所述第二薄膜晶體管將所述公共電壓提供給 所述第η個第一公共電極； 其中，η=1、2、···、Ν-1、Ν。7. 根據(jù)權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第η個第一公共電極和第η 個第二公共電極之間連接有兩個第二薄膜晶體管，所述兩個第二薄膜晶體管分別設置于第 η列第1行和第η列第Μ行的像素單元中；所述兩個第二薄膜晶體管的漏極分別連接到所述第 η個第二公共電極，源極分別連接到所述第η個第一公共電極，位于第η列第1行像素單元中 的第二薄膜晶體管的柵極連接到第1行像素單元對應的掃描線，位于第η列第Μ行像素單元 中的第二薄膜晶體管的柵極連接到第Μ行像素單元對應的掃描線。8. 根據(jù)權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第η個第一公共電極和第η 個第二公共電極之間連接有兩個第二薄膜晶體管，所述兩個第二薄膜晶體管設置于第η列 像素單元之外，分別位于第η列第1行和第η列第Μ行的像素單元的外側;所述兩個第二薄膜 晶體管的漏極分別連接到所述第η個第二公共電極，源極分別連接到所述第η個第一公共電 極，位于第η列第1行像素單元外側的第二薄膜晶體管的柵極連接到第1行像素單元對應的 掃描線，位于第η列第Μ行像素單元外側的第二薄膜晶體管的柵極連接到第Μ行像素單元對 應的掃描線。9. 根據(jù)權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第η個第一公共電極和第η 個第二公共電極之間連接有Μ個第二薄膜晶體管，所述Μ個第二薄膜晶體管分別設置于第η 列第1行至第η列第Μ行的像素單元中；所述Μ個第二薄膜晶體管的柵極分別一一對應地連接 到第η列第1行至第η列第Μ行像素單元對應的掃描線，漏極分別連接到所述第η個第二公共 電極，源極分別連接到所述第η個第一公共電極。10. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述多個第一公共電極 之間相互電性連接;所述多個第二公共電極之間相互電性連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板，包括由多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出的M行×N列像素單元，每一像素單元中設置有一第一薄膜晶體管和一像素電極；所述陣列基板還包括公共電極層，公共電極層沿行方向或列方向被劃分為交替間隔且一一對應的多個第一公共電極和多個第二公共電極，每一第二公共電極輸入有公共電壓，并通過至少一個第二薄膜晶體管將公共電壓提供給對應的第一公共電極；所述數(shù)據(jù)線通過第一薄膜晶體管向像素電極充電時產(chǎn)生壓降ΔV，所述第二公共電極通過第二薄膜晶體管向第一公共電極充電時產(chǎn)生壓降ΔVcom，所述第二薄膜晶體管的參數(shù)被配置為使得ΔVcom與ΔV相等或近似于相等；其中，M、N為大于1的整數(shù)。
【IPC分類】H01L27/12
【公開號】CN105633093
【申請?zhí)枴緾N201511005152
【發(fā)明人】唐岳軍, 李得俊, 崔宏青
【申請人】武漢華星光電技術有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年12月28日