] 作為基板2,只要是具有上述吸光系數(shù)或者紫外線透過率的基板，就沒有特別的限 定，具體地說，可W使用石英玻璃基板，有機化用玻璃基板，液晶玻璃基板，碳化娃(SiC)基 板和神化嫁（GaAs)基板等化合物半導體基板，聚苯二甲酸乙二醇醋（PO Iy ethylene phthalate:陽T)、聚碳酸醋(PC)、聚糞二甲酸乙二醇醋(PEN)等透明樹脂基板等。
[0034] 在本實施方式的清洗裝置1中，臭氧水供給部5具有向基板2的清洗面2a供給臭氧 水的臭氧水噴嘴化。另外，臭氧水供給部5具有制造臭氧水并向臭氧水噴嘴化供給的臭氧水 制造部5a。臭氧水制造部5a使臭氧溶解于純水中而制造臭氧水。作為臭氧水制造部5a，可W 使用經(jīng)由氣體透過膜而使臭氧氣體溶解于純水中的裝置、或在填充塔內(nèi)使臭氧氣體和純水 逆流接觸而讓臭氧氣體溶解于純水中的裝置。純水根據(jù)基板2的種類和用途W(wǎng)及清洗目的 的不同，可W使用合適純度的純水，但例如在基板2為液晶玻璃基板的情況下，可W優(yōu)選使 用換算成25°C的電阻率為IOMQ -cmW上的純水。
[0035] 臭氧水制造部5a所制造的臭氧水的濃度優(yōu)選為50~300ppm，更優(yōu)選為100~ 200ppm。另外，為了抑制臭氧的自分解而有效地利用臭氧，優(yōu)選在臭氧水中，添加二氧化碳 等作為自分解抑制劑。
[0036] 臭氧水供給部5所供給的臭氧水的溫度并沒有特別的限定，可W為15°C~25°C左 右(常溫）。在常溫下使用臭氧水時，能夠削減用于清洗的裝置和能量。另外，臭氧水也可W 加熱，在此情況下，優(yōu)選設定為15~50°C、更優(yōu)選設定為常溫(20~30°C)左右，由此可W在 短時間內(nèi)得到更純凈化的基板表面。
[0037] 作為臭氧水噴嘴化，可W使用噴射臭氧水的噴射噴嘴、或者對臭氧水進行噴霧的 噴淋噴嘴。臭氧水噴嘴化通過配管而與臭氧水制造部5a連接。在臭氧水制造部5a制造的臭 氧水經(jīng)由該配管而供給至臭氧水噴嘴5b。供給的臭氧水從臭氧水噴嘴化向清洗面2a供給。 臭氧水噴嘴5b優(yōu)選具有加壓裝置，在此情況下，加壓裝置可W對臭氧水進行加壓而向清洗 面2a供給。向清洗面2a供給的臭氧水的流速優(yōu)選為0.5~5m/s左右，由此，可W提高清洗效 率。
[0038] 另外，臭氧水供給部5優(yōu)選具有超聲波施加裝置。在此情況下，超聲波施加裝置向 臭氧水施加超聲波，從而臭氧水噴嘴化將施加了超聲波的臭氧水向清洗面2a供給。超聲波 的頻率優(yōu)選為30kHz W上，更優(yōu)選為100~2，000曲Z，進一步優(yōu)選為700~1，500曲Z。在向臭 氧水施加超聲波的情況下，促進自由基活性種的發(fā)生，從而可W提高清洗效果。
[0039] 在本實施方式的清洗裝置1中，紫外線照射部6向基板2的清洗面2a的相反側(cè)的面 (W下也稱為紫外線照射面)2b照射包含250~260皿的波長的紫外線。紫外線照射部6優(yōu)選 照射至少包含波長254nm的紫外線。波長250~260nm的紫外線、特別是波長254皿的紫外線 與其它波長的可見光線乃至紫外線相比，被純水中的臭氧分子吸收的吸收率更高。因此，通 過照射包含上述優(yōu)選的波長范圍的紫外線，可W促進上述式（1)、（2)所示的自由基活性種 的生成反應。其結(jié)果是，可W有效地除去被除去物3。
[0040] 紫外線照射部6W至少照射波長250~260nm的紫外線為宜，不僅上述波長的紫外 線，而且除此W外的波長的光、例如波長在185nm附近的紫外線、波長在220~40化m的范圍 的除250~260nmW外的波長的紫外線、紫外線W外的可見光線和紅外線的波長區(qū)域的光也 可W照射。在此情況下，紫外線照射部6所照射的光的發(fā)光峰值波長的區(qū)域并沒有特別的限 定，但優(yōu)選至少在250~260nm的范圍具有發(fā)光峰值波長。
[0041] 作為紫外線照射部6的光源，只要產(chǎn)生上述波長的紫外線就沒有限定，例如可W使 用低壓水銀燈、高壓水銀燈、真空紫外燈、氣氣燈、發(fā)光二極管(LED)等。紫外線照射部6的紫 外線照射照度對自由基活性種的生成濃度(生成量)產(chǎn)生較大的影響，因而優(yōu)選的是能夠W 穩(wěn)定的照度照射紫外線、發(fā)光壽命長且運行成本低的光源。作為運樣的光源，優(yōu)選使用低壓 水銀燈。另外，例如在基板2為大型基板的情況下，從對基板2照射的紫外線照度的部分的均 勻性和清洗裝置的小型化的角度考慮，優(yōu)選使用LEDnLm)由于發(fā)光壽命長且照射光的直線 性也優(yōu)良，因而通過使用L邸也可W降低運行成本。
[0042] 為了高效地除去被除去物3,紫外線照射部6所照射的紫外線照度優(yōu)選為2~20mW/ m2,更優(yōu)選為3~8mW/m2。附著于基板2的清洗面上的被除去物3在通過向臭氧水照射紫外線 所產(chǎn)生的自由基活性種的作用下而發(fā)生分解，從而通過溶解于臭氧水中而得W除去。
[0043] 從紫外線照射部6的光源至紫外線照射面2b的距離可W根據(jù)基板2的吸光系數(shù)和 臭氧水的濃度、所使用的光源的種類等而進行適當?shù)脑O定。考慮到在空氣中，紫外線照度與 距光源的距離的平方成反比，該距離例如設定為幾百mmW下，優(yōu)選設定為5~20mm。由此，只 要是紫外線發(fā)光照度為2~20mW/m 2左右的紫外線光源，就可W將清洗面2a的紫外線照度設 定為3mW/m2 W上，由此可W使清洗效率得W提高。
[0044] 根據(jù)本實施方式的清洗裝置1，通過將紫外線照射部6配置于基板2的清洗面2a的 相反側(cè)的面化側(cè)，便可W將紫外線照射部6設置在多個輸送漉7之間。因此，可W使清洗裝置 1小型化。再者，通過將紫外線照射部設置在清洗面2a的相反側(cè)的面化側(cè)，便可W減小紫外 線照射部6的光源與玻璃基板2的距離，因而可W提高紫外線照射效率。另外，在將紫外線照 射部6設置在基板2的上方的情況下，例如臭氧水滴瓣起而與紫外線照射部6光源接觸，從而 有可能發(fā)生紫外線照射部6的光源破損的事故，在此情況下，有可能使基板2發(fā)生破損。與此 相對照，在本實施方式的清洗裝置1中，將紫外線照射部6設置在基板2的下方，因而容易采 取防水措施。
[0045] 另外，在將紫外線照射部6設置于清洗面2a的上方的情況下，為了防止臭氧水滴的 附著，例如有時也采用石英玻璃管保護紫外線光源。在石英玻璃管和基板2的距離靠近時， 清洗時包含清洗過的有機物的水滴飛瓣而附著于石英玻璃管上，該附著的水滴再次落在基 板2上，從而有可能對基板2再污染。與此相對照，在本實施方式的清洗裝置1中，將紫外線照 射部6設置在基板2的下方，因而不會有運樣的擔屯、。再者，在本實施方式的清洗裝置1中，將 紫外線照射部6設置在基板2的下方，因而與將紫外線照射部6設置在基板2的上方的情況相 比，用于保持紫外線照射部6的力也可W較小。因此，可W使裝置構(gòu)成變得簡單。
[0046] 接著參照圖4,就使用本實施方式的清洗裝置的清洗方法進行說明。圖4所示的本 實施方式的清洗方法具有W下工序:保持所述基板的工序S100,向保持的所述基板的清洗 面供給臭氧水的工序S200, W及在使所述基板的清洗面與臭氧水接觸的狀態(tài)下向所述基板 的清洗面2a的相反側(cè)的面照射包含250~260nm的波長的紫外線的工序S300。
[0047] 使用本實施方式的清洗裝置1的基板的清洗采用W下的方法進行。首先，在輸送漉 7上載置并保持作為清洗對象的基板2,使輸送漉7工作而輸送基板2。然后，向輸送的基板的 清洗面2a上，一邊在工序S200從臭氧水噴嘴加供給臭氧，一邊在工序S300采用紫外線照射 部6從紫外線照射面化側(cè)照射紫外線。此時，臭氧水噴嘴化的臭氧水供給流量依賴于作為清 洗對象的基板2的面積，但從清洗性能的角度考