N型雙面電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種N型雙面電池。
【背景技術(shù)】
[0002]N型電池和P型電池都屬于太陽(yáng)能電池，其中，N型電池N型電池相對(duì)于P型電池具有少子壽命高，電池效率更高，無(wú)光致衰減效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于雙面透光的N型電池，其背面也能吸收周圍散射的光線，從而產(chǎn)生額外的電能，因此N型雙面電池的發(fā)電量要遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的P型單面電池。
[0003]目前，N型雙面電池工藝中，采用氣體攜帶三溴化硼蒸汽的方式進(jìn)行擴(kuò)散，為了保證硼源有足夠的空間散布到硅片上，將會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能受到限制。且上述擴(kuò)散方式中，在非擴(kuò)硼面也會(huì)不可避免的沾染到硼源，形成PN結(jié)。從而，后期需要額外的清洗步驟去除，影響了生產(chǎn)加工的效率。
[0004]另外，對(duì)于P型表面(擴(kuò)硼面)的鈍化及減反射，主要通過(guò)制作氮化硅或氧化硅實(shí)現(xiàn)的。但是，其中，氮化硅的方式由于氮化硅帶正電荷，對(duì)P型表面的鈍化效果很差；氧化硅采用的是熱氧化硅的方式，該方式是800°c以上的高溫過(guò)程，能耗高且容易破壞已形成的PN結(jié)形貌，工藝較難把控。
[0005]因此，針對(duì)上述問(wèn)題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種N型雙面電池，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的N型雙面電技術(shù)方案如下:
[0008]一種N型雙面電池，其包括:N型硅片襯底、P型層、第一鈍化減反膜、N+層、第二鈍化減反膜、柵線電極；
[0009]所述P型層、第一鈍化減反膜依次設(shè)置于所述N型硅片襯底的上表面，所述第一鈍化減反膜包括氧化鋁和氮化硅，所述氧化鋁和氮化硅依次層疊設(shè)置于所述P型層上；
[0010]所述N+層、第二鈍化減反膜依次設(shè)置于所述N型硅片襯底的下表面，所述第二鈍化減反膜為氮化硅鈍化減反膜；
[0011 ] 所述柵線電極為若干條，所述柵線電極分別分布于所述第一鈍化減反膜和第二鈍化減反膜上，所述柵線電極包括主柵線電極和副柵線電極，位于第一鈍化減反膜和第二鈍化減反膜上的主柵線電極對(duì)稱設(shè)置。
[0012]作為本實(shí)用新型的N型雙面電池的改進(jìn)，所述N型硅片襯底的上、下表面上分別形成有絨面。
[0013]作為本實(shí)用新型的N型雙面電池的改進(jìn)，所述絨面具有三棱錐結(jié)構(gòu)。
[0014]作為本實(shí)用新型的N型雙面電池的改進(jìn)，所述第一鈍化減反膜的厚度為70?90nm，所述第一鈍化減反膜中氧化銷的厚度為5?30nm，氮化娃的厚度為40?85nm。
[0015]作為本實(shí)用新型的N型雙面電池的改進(jìn)，所述主柵線電極的根數(shù)為2?5根，寬度為0.5mm?2.5mm ;所述副柵線電極的根數(shù)為50?150根，寬度為30um?150um。
[0016]基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本實(shí)用新型介紹的N型雙面電的制作方法的技術(shù)方案如下:
[0017]一種N型雙面電池的制作方法，其包括如下步驟:
[0018]S1.利用堿溶液對(duì)N型硅片的上、下表面進(jìn)行處理；
[0019]S2.通過(guò)旋涂或絲網(wǎng)印刷的方式在所述N型硅片的上表面均勻涂上硼源，并在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散；
[0020]S3.去除硼硅玻璃，并在擴(kuò)散硼的表面制作掩膜；
[0021]S4.在N型硅片的下表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，在下表面形成高低結(jié)結(jié)構(gòu)；
[0022]S5.去所述除磷硅玻璃，以及所述步驟S3中制作的掩膜；
[0023]S6.在擴(kuò)散硼的表面制作氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜，在擴(kuò)散磷的表面制作氮化硅鈍化減反膜；
[0024]S7.分別在所述氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜以及氮化硅鈍化減反膜上制作電極，獲得所述N型雙面電池。
[0025]優(yōu)選地，所述步驟SI中，利用NaOH溶液去除損傷層，并在N型硅片的上、下表面進(jìn)行制絨處理。
[0026]優(yōu)選地，所述步驟S2中，在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散是在氧氣和氮?dú)庑纬傻幕旌蠚鈿夥障逻M(jìn)行的，其中，氧氣與氮?dú)獾捏w積比為1:5?1:20 ;
[0027]在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散的條件為:擴(kuò)散溫度為850?1100 °C，擴(kuò)散時(shí)間為45min?2h，擴(kuò)散方阻為40?100 Ω 0
[0028]優(yōu)選地，所述步驟S3中，采用HF溶液清洗去除硼硅玻璃，并采用PECVD法在擴(kuò)散硼的表面制作氧化硅或氮化硅形成的掩膜。
[0029]優(yōu)選地，所述步驟S4中，進(jìn)行磷擴(kuò)散的條件為:擴(kuò)散溫度為800?900°C，擴(kuò)散時(shí)間為30min?2h，擴(kuò)散方阻為20?60 Ω。
[0030]優(yōu)選地，所述步驟S6中，采用PECVD或ALD法制作氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜，采用PECVD法制作氮化硅鈍化減反膜。
[0031]優(yōu)選地，所述步驟S7中，采用絲網(wǎng)印刷的方式，分別在所述氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜以及氮化硅鈍化減反膜上制作柵線狀的電極，并燒結(jié)。
[0032]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的N型雙面電池效率高、使用壽命長(zhǎng)，且其采用效果更好的氧化鋁與氮化硅疊層鈍化的方式，其中，氧化鋁起到鈍化作用，氮化硅起到保護(hù)及調(diào)整光學(xué)參數(shù)，降低反射率的作用。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中N型硅片的側(cè)視剖面圖；
[0034]圖2為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中N型硅片上表面均勻涂上硼源后的側(cè)視剖面圖；
[0035]圖3為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中N型硅片上表面形成P型層后的側(cè)視剖面圖；
[0036]圖4為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中P型層上制作掩膜后的側(cè)視剖面圖；
[0037]圖5為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中N型硅片下表面形成N+層后的側(cè)視剖面圖；
[0038]圖6為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中去除掩膜后的側(cè)視剖面圖；
[0039]圖7為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中在擴(kuò)散硼的表面制作氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜后的側(cè)視剖面圖；
[0040]圖8為圖7中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖；
[0041]圖9為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中擴(kuò)散磷的表面制作氮化硅鈍化減反膜后的側(cè)視剖面圖；
[0042]圖10為本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作過(guò)程中制作電極后的側(cè)視剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0044]本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作方法包括如下步驟:
[0045]S1.利用堿溶液對(duì)N型硅片的上、下表面進(jìn)行處理；
[0046]S2.通過(guò)旋涂或絲網(wǎng)印刷的方式在所述N型硅片的上表面均勻涂上硼源，并在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散；
[0047]S3.去除硼硅玻璃，并在擴(kuò)散硼的表面制作掩膜；
[0048]S4.在N型硅片的下表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，在下表面形成高低結(jié)結(jié)構(gòu)；
[0049]S5.去所述除磷硅玻璃，以及所述步驟S3中制作的掩膜；
[0050]S6.在擴(kuò)散硼的表面制作氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜，在擴(kuò)散磷的表面制作氮化硅鈍化減反膜；
[0051]S7.分別在所述氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜以及氮化硅鈍化減反膜上制作電極，獲得所述N型雙面電池。
[0052]下面針對(duì)如上所述各個(gè)步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0053]如圖1所示，S1.利用堿溶液對(duì)N型硅片的上、下表面進(jìn)行處理。
[0054]其中，步驟SI的目的在于在N型硅片上進(jìn)行制絨處理，以提高制作的N型雙面電池陷光性以及對(duì)于太陽(yáng)光的利用率。具體地，所述步驟SI中，利用NaOH溶液去除損傷層，并在N型硅片的上、下表面進(jìn)行制絨處理。經(jīng)過(guò)制絨處理，N型硅片的上、下表面上分別形成絨面，該絨面具有三棱錐結(jié)構(gòu)。
[0055]如圖2、3所示，S2.通過(guò)旋涂或絲網(wǎng)印刷的方式在所述N型硅片的上表面均勻涂上硼源，并在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散，從而在N型硅片