的上表面形成P型層。
[0056]其中，由于采用旋涂或絲網(wǎng)印刷的方式，如此保證了每片硅片的相應(yīng)表面上能夠均勻覆蓋等量硼源，保證了擴(kuò)散的均勻性。同時(shí)，本實(shí)施方式中，當(dāng)存在多個(gè)硅片時(shí)，多個(gè)硅片在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散，各個(gè)硅片之間無需保留大量的空間，如此保證了所在爐管具有較高的產(chǎn)能。
[0057]進(jìn)一步地，在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散時(shí)，是在氧氣和氮?dú)庑纬傻幕旌蠚鈿夥障逻M(jìn)行的，其中，氧氣與氮?dú)獾捏w積比為1:5?1:20。進(jìn)一步地，在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散的條件為:擴(kuò)散溫度為850?1100°C，擴(kuò)散時(shí)間為45min?2h，擴(kuò)散方阻為40?100 Ω。
[0058]如圖4所示，S3.去除硼硅玻璃，并在擴(kuò)散硼的表面制作掩膜。
[0059]其中，硼硅玻璃是在進(jìn)行硼擴(kuò)散過程中形成的副產(chǎn)物，可采用HF溶液清洗去除硼硅玻璃。并采用PECVD法在擴(kuò)散硼的表面制作氧化硅或氮化硅形成的掩膜，以對(duì)擴(kuò)散硼的表面進(jìn)行保護(hù)，防止后續(xù)制作步驟影響到擴(kuò)散硼的表面。
[0060]如圖5所示，S4.在N型硅片的下表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，在下表面形成高低結(jié)結(jié)構(gòu)。[0061 ] 其中，高低結(jié)結(jié)構(gòu)為N型雙面電池的N+層，進(jìn)一步地，進(jìn)行磷擴(kuò)散采用三氯氧磷作為磷源。進(jìn)行磷擴(kuò)散的條件為:擴(kuò)散溫度為800?900°C，擴(kuò)散時(shí)間為30min?2h，擴(kuò)散方阻為20?60 Ω。
[0062]如圖6所示，S5.去所述除磷硅玻璃，以及所述步驟S3中制作的掩膜。
[0063]其中，磷硅玻璃是在進(jìn)行磷擴(kuò)散過程中形成的副產(chǎn)物，可采用HF溶液清洗去除硼硅玻璃。此外，在去除磷硅玻璃的同時(shí)，HF溶液將步驟S3中制作的掩膜也一同去除，從而暴露出制作的P型層。
[0064]如圖7-9所示，S6.在擴(kuò)散硼的表面制作氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜，在擴(kuò)散磷的表面制作氮化硅鈍化減反膜。
[0065]其中，本實(shí)施方式采用氧化鋁與氮化硅的疊層鈍化的方式，其中，氧化鋁起到鈍化作用，氮化硅起到保護(hù)及調(diào)整光學(xué)參數(shù)，降低反射率的作用。具體地，可采用PECVD或ALD法制作氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜，采用PECVD法制作氮化硅鈍化減反膜。進(jìn)一步地，氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜的厚度為70?90nm，其中氧化鋁的厚度為5?30nm，氮化娃的厚度為40?85nm。
[0066]如圖10所示，S7.分別在所述氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜以及氮化硅鈍化減反膜上制作電極，獲得所述N型雙面電池。
[0067]其中，采用絲網(wǎng)印刷的方式，分別在所述氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜以及氮化硅鈍化減反膜上制作柵線狀的電極，并燒結(jié)。優(yōu)選地，氧化鋁和氮化硅形成的鈍化減反膜以及氮化硅鈍化減反膜上的電極的位置相對(duì)設(shè)置。
[0068]進(jìn)一步如圖8、10所示，基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本實(shí)用新型還提供一種根據(jù)如上所述制作方法制作的N型雙面電池，其包括:N型硅片襯底10、P型層20、第一鈍化減反膜30、N+層40、第二鈍化減反膜50、柵線電極60。
[0069]具體地，N型硅片襯底10的上下表面具有絨面，該絨面具有三棱錐結(jié)構(gòu)。
[0070]所述P型層20、第一鈍化減反膜30依次設(shè)置于所述N型硅片襯底10的上表面，所述第一鈍化減反膜30包括氧化鋁31和氮化硅32，所述氧化鋁31和氮化硅32依次層疊設(shè)置于所述P型層20上。氧化鋁31和氮化硅32通過層疊方式形成的第一鈍化減反膜30具有較好的鈍化效果。本實(shí)施方式中，所述第一鈍化減反膜30的厚度為70?90nm，所述第一鈍化減反膜30中氧化鋁31的厚度為5?30nm，氮化硅32的厚度為40?85nm。
[0071]所述N+層40、第二鈍化減反膜50依次設(shè)置于所述N型硅片襯底10的下表面，也即述N型硅片襯底10的背面。且所述第二鈍化減反膜50可以為氮化硅鈍化減反膜。
[0072]所述柵線電極60為若干條，所述柵線電極60分別分布于所述第一鈍化減反膜30和第二鈍化減反膜50上，以便引出形成的電流。所述柵線電極60具體包括主柵線電極和副柵線電極優(yōu)選地，位于第一鈍化減反膜30和第二鈍化減反膜50上的主柵線電極對(duì)稱設(shè)置。其中，所述主柵線電極的根數(shù)為2?5根，寬度為0.5mm?2.5mm ;所述副柵線電極的根數(shù)為50?150根，寬度為30um?150um。
[0073]從而，本實(shí)用新型的N型雙面電池效率高、使用壽命長(zhǎng)，且其采用效果更好的氧化鋁與氮化硅疊層鈍化的方式，其中，氧化鋁起到鈍化作用，氮化硅起到保護(hù)及調(diào)整光學(xué)參數(shù)，降低反射率的作用。
[0074]綜上所述，本實(shí)用新型的N型雙面電池的制作方法工藝簡(jiǎn)單，有效地提高了電池的效率。其能夠保證擴(kuò)散的均勻性，且使得擴(kuò)散時(shí)爐管的產(chǎn)能得到提高。同時(shí)，還能夠有效控制硼源的涂布范圍，在非擴(kuò)散區(qū)域不會(huì)沾染到硼源，省去了后期的額外清洗步驟。
[0075]此外，此外，本發(fā)明的N型雙面電池的鈍化層制作方法屬于低溫工藝，不會(huì)破壞PN結(jié)。且其采用鈍化效果更好的氧化鋁與氮化硅疊層鈍化的方式，其中，氧化鋁起到鈍化作用，氮化硅起到保護(hù)及調(diào)整光學(xué)參數(shù)，降低反射率的作用。
[0076]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。
[0077]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種N型雙面電池，其特征在于，所述N型雙面電池包括:N型硅片襯底、P型層、第一鈍化減反膜、N+層、第二鈍化減反膜、柵線電極； 所述P型層、第一鈍化減反膜依次設(shè)置于所述N型硅片襯底的上表面，所述第一鈍化減反膜包括氧化鋁和氮化硅，所述氧化鋁和氮化硅依次層疊設(shè)置于所述P型層上； 所述N+層、第二鈍化減反膜依次設(shè)置于所述N型硅片襯底的下表面，所述第二鈍化減反膜為氮化硅鈍化減反膜； 所述柵線電極為若干條，所述柵線電極分別分布于所述第一鈍化減反膜和第二鈍化減反膜上，所述柵線電極包括主柵線電極和副柵線電極，位于第一鈍化減反膜和第二鈍化減反膜上的主柵線電極對(duì)稱設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池，其特征在于，所述N型硅片襯底的上、下表面上分別形成有絨面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型雙面電池，其特征在于，所述絨面具有三棱錐結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池，其特征在于，所述第一鈍化減反膜的厚度為70?90nm，所述第一鈍化減反膜中氧化銷的厚度為5?30nm，氮化娃的厚度為40?85nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面電池，其特征在于，所述主柵線電極的根數(shù)為2?5根，寬度為0.5mm?2.5mm ;所述副柵線電極的根數(shù)為50?150根，寬度為30um?150umo
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種N型雙面電池，其包括：N型硅片襯底、P型層、第一鈍化減反膜、N+層、第二鈍化減反膜、柵線電極；P型層、第一鈍化減反膜依次設(shè)置于N型硅片襯底的上表面，第一鈍化減反膜包括氧化鋁和氮化硅，氧化鋁和氮化硅依次層疊設(shè)置于P型層上；N+層、第二鈍化減反膜依次設(shè)置于N型硅片襯底的下表面，第二鈍化減反膜為氮化硅鈍化減反膜；柵線電極為若干條，柵線電極分別分布于第一鈍化減反膜和第二鈍化減反膜上。本實(shí)用新型的N型雙面電池效率高、使用壽命長(zhǎng)，且其采用效果更好的氧化鋁與氮化硅疊層鈍化的方式，其中，氧化鋁起到鈍化作用，氮化硅起到保護(hù)及調(diào)整光學(xué)參數(shù)，降低反射率的作用。
【IPC分類】H01L21/228, H01L31/0352, H01L31/18, H01L31/068, H01L31/0216
【公開號(hào)】CN204706574
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520028371
【發(fā)明人】魏青竹, 陸俊宇, 連維飛, 倪志春
【申請(qǐng)人】中利騰暉光伏科技有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2015年1月15日