行詳細(xì)描述。
[0056] 我們選擇了線性驅(qū)動(dòng)1C芯片RC001B (中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖登記號(hào) BS. 14500659X，布圖設(shè)計(jì)申請(qǐng)日2014年6月27日，公告日期：2014年12月17日，公告號(hào) 9835,布圖設(shè)計(jì)創(chuàng)作完成日：2013年5月21日），圖1所示為RC001B的典型應(yīng)用電路圖，圖 2所示為RC001B的裸晶表面結(jié)構(gòu)圖和焊盤標(biāo)識(shí)，裸晶的相關(guān)資料單顆晶元大小厚度、電極 大小成分等如下：
[0058] RC001B的電學(xué)特性如下：
[0059] 除專門標(biāo)注外，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件為Vcc = 10V，TA = 25° C
[0061] 通過實(shí)驗(yàn)確定了基于RC001B并適合全裸晶封裝的LED照明線性驅(qū)動(dòng)電源優(yōu)化方 案，確定了特定電路，上述特定電路的電路原理如圖3所示，上述特定電路只保留了整流 橋、線性1C芯片、M0SFET和兩顆電阻R1和Res ;
[0062] 上述特定電路中并未使用線性恒流LED驅(qū)動(dòng)1C芯片RC001B的全部功能，圖4顯示 線性恒流LED驅(qū)動(dòng)1C芯片中和本實(shí)用新型中涉及LED照明線性驅(qū)動(dòng)優(yōu)化方案及特定電路 相關(guān)的必要部分，包括VCC端有內(nèi)部鉗位電路（Clamp)和UVLO (Under Voltage Lockout); 還包括接地線端（GND);還包括內(nèi)部控制（Control)和驅(qū)動(dòng)（Driver)部分及驅(qū)動(dòng)極GATE端 和電流采樣/設(shè)置SENSE端。上述內(nèi)部控制和驅(qū)動(dòng)部分涉及具體機(jī)制，對(duì)本實(shí)用新型來說 線性恒流LED驅(qū)動(dòng)1C芯片具有上述相應(yīng)功能實(shí)現(xiàn)上述特定電路是基本和必須的，而實(shí)現(xiàn)相 應(yīng)功能的任何具體機(jī)制都是等效的。
[0063] 在上述特定電路中，當(dāng)交流電母線開啟，交流電通過整流橋成為直流電導(dǎo)向串聯(lián) 的LED，同時(shí)線性驅(qū)動(dòng)1C芯片通過連接直流電的啟動(dòng)電阻（R1)充電，達(dá)到設(shè)定V時(shí)由內(nèi)部 鉗位電路（Clamp)使VCC電壓穩(wěn)定在一定數(shù)值，并在降到UVL0 (Under Voltage Lockout) 閥值電壓時(shí)自動(dòng)關(guān)閉線性驅(qū)動(dòng)1C芯片；
[0064] 如圖5所示，上述特定電路中整流橋后的峰值電壓必須大于所設(shè)置的串聯(lián)裸晶 LED電壓VLED，橋后電壓有波峰和波谷。該裸晶1C芯片根據(jù)正弦波變化上升達(dá)到VLED時(shí) 自動(dòng)導(dǎo)通串聯(lián)的裸晶LED，當(dāng)電壓繼續(xù)上升而VLED保持不變，多余壓降由M0SFET承擔(dān)，在電 壓下降時(shí)VLED保持不變，由M0SFET承擔(dān)的多余壓降逐步減少，當(dāng)?shù)陀赩LEAD時(shí)，輸出電流 則為零。只有當(dāng)電壓達(dá)到VLED時(shí)，才有輸出電流，這時(shí)串聯(lián)的LED才會(huì)亮。在一個(gè)電壓正 弦波周期中導(dǎo)通時(shí)間和波長(zhǎng)時(shí)間比為導(dǎo)通比，設(shè)定VLED數(shù)值非常重要，數(shù)值過高則導(dǎo)通比 低，即發(fā)光時(shí)間短，LED利用率低；數(shù)值過低也降低效率，并在升壓時(shí)造成MOSFET的更多功 耗，因此VLED設(shè)定根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)整優(yōu)化。
[0065] 在上述特定電路中，線性驅(qū)動(dòng)1C芯片通過Res電阻對(duì)LED電流取樣并和1C內(nèi)部 參考電壓Vref比較產(chǎn)生控制信號(hào)，達(dá)到LED恒流輸出的目標(biāo)。通過串聯(lián)LED的峰值電流為 Ipeak=Vref/Rcs，而線性驅(qū)動(dòng)1C芯片的Vref在1C設(shè)計(jì)和生產(chǎn)時(shí)已經(jīng)固定，RC001B的Vref 為400mV，由此設(shè)定Res就能通過線性驅(qū)動(dòng)1C芯片控制LED導(dǎo)通時(shí)的峰值電流Ipeak。
[0066] 上述特定電路中流過串聯(lián)LED的電流為平均電流ILED=Ipeak*D (導(dǎo)通比)，在 D=0. 5左右時(shí)，可以得到0. 9以上的功率因子（PF)，但這種情況下輸出電流會(huì)隨輸入電壓增 大而增大，同時(shí)輸出電流的紋波也比較大。
[0067] 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)上述特定電路具有可控硅調(diào)光的功能，經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，主要是因?yàn)樵谶@ 一類電路中取消了典型應(yīng)用（圖1)中的濾波電容C1，當(dāng)在該特定電路中加回上述濾波電 容，則電路不再具有可控硅調(diào)光的功能。
[0068] 根據(jù)上述特定電路，可以設(shè)計(jì)用于印刷到基板的布線圖，圖6為基于上述特定電 路的典型布線圖。
[0069] 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)裸晶1C芯片和裸晶MOSFET在基板上位置必須保持足夠的物理距離，在 兩者有焊線連接的情況下，裸晶MOSFET產(chǎn)生的熱量嚴(yán)重影響到裸晶1C芯片的正常性能，導(dǎo) 致系統(tǒng)異常，當(dāng)兩者在陶瓷基板上位置分開足夠距離且沒有焊線相連接，則裸晶1C芯片性 能表現(xiàn)正常，由此可見全裸晶封裝對(duì)各器件物理和電氣性能的影響不同于各器件在單獨(dú)封 裝的情況。
[0070] 因此，預(yù)計(jì)帶有內(nèi)置MOSFET的線性驅(qū)動(dòng)1C芯片在進(jìn)行全裸晶封裝情況下的物理 和電氣性能也會(huì)區(qū)別于其單獨(dú)封裝時(shí)的表現(xiàn)，雖然他們?cè)陔娐吩砩虾筒粠?nèi)置MOSFET 線性驅(qū)動(dòng)1C芯片一樣，其典型應(yīng)用電路的核心部分都類似于圖1.。目前帶有內(nèi)置MOSFET 的線性驅(qū)動(dòng)1C芯片有BP5112 (上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司）、MT7601 (美芯晟科技(北京） 有限公司）、SM2082 (深圳市明微電子股份有限公司)等，這類內(nèi)置MOSFET線性驅(qū)動(dòng)1C芯片 在用于較高功率LED照明時(shí)散熱也帶來比較大的問題。
[0071] 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)裸晶1C芯片的表面需要有導(dǎo)熱絕緣不透明材料覆蓋，否則在有些情況 下光線會(huì)對(duì)裸晶1C芯片產(chǎn)生影響導(dǎo)致性能不正常，實(shí)驗(yàn)證明使用導(dǎo)熱不透明硅膠覆蓋解 決了上述問題。
[0072] 根據(jù)上述布線圖，將導(dǎo)電材料印刷到導(dǎo)熱絕緣材料基板上，成為對(duì)應(yīng)的印刷電路， 然后在上述印刷電路中，將裸晶LED和所有器件的裸晶包括1C芯片全部封裝到上述印刷電 路的相關(guān)位置，具體位置如圖7所顯示，根據(jù)需要所設(shè)定數(shù)量的裸晶LED (標(biāo)注為L(zhǎng)ED字母 上方的小實(shí)心長(zhǎng)方塊及分布在基板表面上同樣大小的小實(shí)心長(zhǎng)方塊)，四個(gè)裸晶整流二極 管(標(biāo)注為MB6S字母周邊四個(gè)實(shí)心小方塊)、一個(gè)裸晶線性驅(qū)動(dòng)1C芯片（標(biāo)注為RC001B字 母上方的一個(gè)實(shí)心小方塊)、一個(gè)裸晶MOSFET (標(biāo)注為M0S字母上方的實(shí)心方塊)，R1 (標(biāo)注 為R1字母左邊的實(shí)心長(zhǎng)方塊)和Res (標(biāo)注為Res字母右邊的實(shí)心長(zhǎng)方塊)。在全裸晶封裝 完成后，由此交流電母線兩端各連接兩個(gè)裸晶整流二極管的負(fù)極和正極，經(jīng)過四個(gè)裸晶整 流二極管形成的直流電正極連接串聯(lián)裸晶發(fā)光二極管（LED)的正極，同時(shí)連接一個(gè)電阻R1 再連接裸晶線性驅(qū)動(dòng)1C芯片的VCC焊盤；裸晶1C的GATE焊盤連接裸晶MOSFET的G焊盤 (柵極）;裸晶線性驅(qū)動(dòng)1C芯片的Sense焊盤連接裸晶MOSFET的S焊盤(源極)，同時(shí)連接電 阻Res再連接地線；裸晶線性驅(qū)動(dòng)1C芯片的GND焊盤連接地線；裸晶MOSFET的D焊盤(漏 極）連接裸晶LED負(fù)極；最終形成完整電路。
[0073] 經(jīng)過反復(fù)實(shí)驗(yàn)，確定本實(shí)用新型中的全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件的 制造工藝流程是：
[0074] 第一步，基板制造工藝流程：
[0075] 按所需規(guī)格制造導(dǎo)熱絕緣基板白板，本實(shí)用新型實(shí)施案例中使用陶瓷基板，則燒 制規(guī)格為單位面積28mmX28mm厚度為1mm的陶瓷白板片，每塊獨(dú)立陶瓷片含有四片單位陶 瓷片，相互之間留有切割線，以便后續(xù)分板，；
[0076] 根據(jù)實(shí)驗(yàn)確定適合全裸晶封裝的LED照明線性驅(qū)動(dòng)電源優(yōu)化方案，所確定特定電 路的電路原理圖如圖3,再根據(jù)上述特定電路電路原理圖確定布線圖，如圖6,將上述布線 圖以公知技術(shù)將導(dǎo)電材料印刷至上述基板白板上，再行烘烤固化成為印刷電路，也如圖6 所示，雖然布線圖和印刷電路圖形一模一樣，但布