線圖是設(shè)計圖，而印刷電路已經(jīng)是印刷在 陶瓷基板上的實際導(dǎo)電電路，本實用新型案例用于印刷電路的導(dǎo)電材料為含銀材料；在圖 7所示中相關(guān)指定位置，用銀膠將合適電阻值的R1 (標(biāo)注為R1左邊的實心長方塊）和Res (標(biāo)注為Res右邊的實心長方塊）固定在指定位置，進(jìn)行烘烤固化；
[0077] 第二步，固晶工藝流程：
[0078] 在如圖7所示相關(guān)位置，將設(shè)定數(shù)量的裸晶發(fā)光二極管（LED)用導(dǎo)熱絕緣材料固 定在指定位置，并進(jìn)行烘烤固化，本實用新型案例使用上述導(dǎo)熱絕緣材料是導(dǎo)熱硅膠，然 后，在如圖7所示相關(guān)位置，用導(dǎo)熱導(dǎo)電材料將四個裸晶整流二極管(標(biāo)注為MB6S字母周 邊四個實心小方塊)、一個裸晶線性驅(qū)動1C芯片（標(biāo)注為RC001B字母上方的一個實心小方 塊)、一個裸晶MOSFET (標(biāo)注為M0S字母上方的實心方塊）固定在指定位置，并進(jìn)行烘烤固 化，本實用新型案例中上述導(dǎo)熱導(dǎo)電材料為銀膠；
[0079] 第三步，焊線工藝流程：
[0080] 在上述已經(jīng)完成對裸晶LED、裸晶線性驅(qū)動1C芯片及其它裸晶器件固晶的基板 上，如?圖7所示，在各器件的指定位置上，焊接導(dǎo)電導(dǎo)線，以連接基板上的印刷電路線路， 完成基板上的全部電路接通，本實用新型案例中上述導(dǎo)電導(dǎo)線使用金線；
[0081] 第四步，測試工藝流程：
[0082] 在已經(jīng)完成上述工藝流程的基板上，接通220V電壓的電源線，確認(rèn)已完成工藝流 程達(dá)到要求，同時，通過測試獲取相關(guān)光學(xué)和電學(xué)參數(shù)，驗證產(chǎn)品是否達(dá)到所設(shè)計的要求；
[0083] 第五步，圍壩工藝流程：
[0084] 在完成上述所有工藝流程并測試合格后，如圖7所示，在上述基板上使用導(dǎo)熱絕 緣不透明材料注在設(shè)定位置上，制成直徑為24mm的外圈層和直徑為7mm的內(nèi)圈層，圈層高 度大約為1mm，然后進(jìn)行烘烤固化；本實用新型案例中所述導(dǎo)熱絕緣不透明材料為導(dǎo)熱不 透明硅膠；另外設(shè)定內(nèi)圈層同時覆蓋住裸晶線性驅(qū)動1C芯片表面也是解決裸晶1C芯片表 面需要覆蓋的方法之一；
[0085] 第六步，點膠工藝流程：
[0086] 按設(shè)計要求和公知流程配制含相關(guān)比例熒光粉的導(dǎo)熱絕緣透明材料，在上述已完 成圍壩的基板上，使用所述含熒光粉的導(dǎo)熱絕緣透明材料注入在內(nèi)外圈層形成的空間內(nèi)至 圈層高度，如圖8所示，并進(jìn)行烘烤固化，本實用新型實施案例中所述含熒光粉的導(dǎo)熱絕緣 透明材料為含熒光粉的導(dǎo)熱透明硅膠；
[0087] 第七步，分板和測試工藝流程：
[0088] 本實用新型案例中由四個單位基板連接成一片同時完成上述流程，再將上述四個 單位基板進(jìn)行分板，即每個單位基板不再和其它單位基板相連接。對上述已經(jīng)完成全部工 藝流程的基板，接通對應(yīng)220V電壓的電源線，測試獲取相關(guān)光學(xué)和電學(xué)參數(shù)，確認(rèn)已完成 全部工藝流程達(dá)到相應(yīng)要求，并根據(jù)相關(guān)參數(shù)進(jìn)行分檢分類。
[0089] 上述第一至第三和第五至第六共五步工藝流程為基本工藝流程，是完成全裸晶封 裝的必要工藝流程，而第四和第七步工藝流程則為輔助流程，主要是保證產(chǎn)品質(zhì)量和最終 產(chǎn)品使用，不是全裸晶封裝必須具有的工藝流程。
[0090] 在本實用新型實施案例中，有功率為6W的全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組 件作為典型實施案例，具體器件來源和參數(shù)設(shè)定如下：
[0091] 27顆裸晶LED :來自三安光電股份有限公司產(chǎn)品型號為S-30BBHUP-B的裸晶高壓 LED,；
[0092] R1阻值為820千歐姆，Res阻值為9. 1歐姆，均來自臺灣R0YAL0HM厚生廠家；
[0093] 裸晶整流二極管產(chǎn)品型號為MB6S，購自深圳市斯達(dá)特來電子科技有限公司；
[0094] 裸晶M0SFET產(chǎn)品型號為2N60,購自華潤華晶微電子有限公司；
[0095] 裸晶線性驅(qū)動1C芯片為自有產(chǎn)品，其詳細(xì)參數(shù)已在本實用新型實施案例中披露。
[0096] 上述典型實施案例6W組件的產(chǎn)品測試結(jié)果：顯色指數(shù)為84. 4,光通量為616. 1LM， 光效為102. 39LM/W，電壓為220. 01V，電流為0. 03029A，功率為6. 017W，功率因素為0. 9029。 [0097] 本實用新型實施案例已完成對在多種功率情況下的試驗和測試，具體參數(shù)和測試 結(jié)果不再 列舉。
[0098] 上文參照附圖描述了本實用新型的【具體實施方式】和典型實施案例，但本領(lǐng)域中的 普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以對具體實施 方式作各種變更和替換，這些變更和替換都落在本實用新型權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件，其特征是，用特定電路和半導(dǎo)體封 裝技術(shù)將裸晶LED和裸晶驅(qū)動電源器件作為一個整體封裝在導(dǎo)熱絕緣材料基板上； 上述特定電路是在導(dǎo)熱絕緣材料基板上交流電母線兩端各連接兩個裸晶整流二極管 的負(fù)極和正極，經(jīng)過四個裸晶整流二極管形成的直流電正極連接串聯(lián)裸晶發(fā)光二極管的正 極，同時連接一個電阻Rl再連接裸晶IC芯片的VCC焊盤；裸晶IC芯片的GATE焊盤連接裸 晶MOSFET的G焊盤；裸晶IC芯片的Sense焊盤連接裸晶MOSFET的S焊盤，同時連接電阻 Rcs再連接地線；裸晶IC芯片的GND焊盤連接地線；裸晶MOSFET的D焊盤，連接裸晶發(fā)光 二極管LED負(fù)極； 上述特定電路中裸晶IC芯片和裸晶MOSFET具有足夠的物理距離以避免MOSFET的散 熱影響裸晶IC芯片的正常工作，同時裸晶IC芯片表面需要有導(dǎo)熱絕緣不透明材料覆蓋以 免影響其正常工作。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件，其特征是導(dǎo)熱絕 緣材料基板為陶瓷基板。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件，其特征是裸晶IC 芯片為線性驅(qū)動IC芯片，基本必要部分包括VCC端有內(nèi)部鉗位電路和UVLO;還包括接地線 端；還包括內(nèi)部控制和驅(qū)動部分及驅(qū)動極GATE端和電流采樣/設(shè)置SENSE端。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件，其特征是裸晶 LED為裸晶高壓LED。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件，其特征是覆蓋裸 晶IC芯片表面的導(dǎo)熱絕緣不透明材料為導(dǎo)熱不透明硅膠。
【專利摘要】一種全裸晶封裝可調(diào)光光電一體LED照明組件，其特征是：在導(dǎo)熱絕緣材料基板上交流電母線兩端各連接兩個整流二極管，形成直流電正極連接串聯(lián)發(fā)光二極管(LED)正極，同時連接一個電阻R1再連接線性驅(qū)動IC芯片的VCC焊盤；IC芯片的GATE焊盤連接MOSFET的G焊盤(柵極)；IC芯片的Sense焊盤連接MOSFET的S焊盤(源極)，同時連接電阻Rcs再連接地線；IC芯片的GND焊盤連接地線；MOSFET的漏極連接LED負(fù)極。其中IC芯片和MOSFET的位置距離要足夠大能及時散熱和IC芯片表面要有導(dǎo)熱絕緣非透明覆蓋層以避免IC芯片功能受影響。
【IPC分類】H01L33/48, H05K7/20, H01L33/64
【公開號】CN204946925
【申請?zhí)枴緾N201520479179
【發(fā)明人】李克堅, 桑鈞晟
【申請人】中山昂帕微電子技術(shù)有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年7月3日