欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路的制作方法

文檔序號(hào):11055183閱讀:1162來(lái)源:國(guó)知局
一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路的制造方法與工藝

本實(shí)用新型屬于升壓電路控制技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),是涉及一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路。



背景技術(shù):

升壓電路由于電路自身結(jié)構(gòu)原因,待機(jī)功耗(表現(xiàn)為待機(jī)漏電流)一般相對(duì)較大。因?yàn)槭巧龎?,輸出端微小的電流就要求輸入端需提供較大的電流,因而漏電流會(huì)相對(duì)較大。如何讓升壓電路在負(fù)載不工作時(shí)漏電流盡可能少,這就對(duì)設(shè)計(jì)提出一個(gè)重大的挑戰(zhàn)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的是提供一種使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng)的超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路,旨在解決傳統(tǒng)技術(shù)中升壓電路在負(fù)載不工作時(shí)漏電流較大的技術(shù)不足。

本實(shí)用新型提供了一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路,包括充電模塊、與所述充電模塊相連接的升壓電路模塊、與所述升壓電路模塊相連接的MOS管電路模塊、與所述MOS管電路模塊相連接的第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)、與所述第二雙路推制式開(kāi)關(guān)相連接的LED接口端子、與所述第一雙路推制式開(kāi)關(guān)相連接的負(fù)載電路、與所述第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)相連接的功耗模塊,還設(shè)有與所述功耗模塊相連接的功耗控制電路、在所述充電模塊與MOS管電路模塊之間還設(shè)有充電信號(hào)控制電路。

所述充電模塊上設(shè)有正極輸出端子、負(fù)極輸出端子和充電信號(hào)輸出端子,所述充電模塊的正極輸出端子、負(fù)極輸出端子與升壓電路模塊相連接,所述充電信號(hào)控制電路包括第一三極管、第二三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻,所述第一三極管的基極通過(guò)第一電阻連接在充電模塊的充電信號(hào)輸出端子上,所述第一三極管的發(fā)射極接地,所述第一三極管的集電極通過(guò)第二電阻連接在第二三極管的基極上,所述第二三極管的發(fā)射極連接在充電模塊的充電信號(hào)輸出端子上,所述第二三極管的集電極通過(guò)第三電阻連接在MOS管電路模塊上,所述第四電阻連接在第一三極管的基極與地線(xiàn)之間,所述第五電阻連接在第二三極管的集電極與地線(xiàn)之間。

所述功耗控制電路包括第三三極管、第四三極管、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第一單向二極管、第二單向二極管、第三單向二極管、控制開(kāi)關(guān)和第四單向二極管,所述第三三極管的集電極通過(guò)第一單向二極管、第二單向二極管的并聯(lián)電路后連接在功耗模塊的正極上,所述第三三極管的基極通過(guò)第六電阻連接在第四三極管的集電極上,所述第三三極管的發(fā)射極連接在MOS管電路模塊與第一雙路推制式開(kāi)關(guān)的連接點(diǎn)上,所述第七電阻連接在第三三極管的發(fā)射極與基極之間,所述第四三極管的發(fā)射極與功耗模塊的負(fù)極上,所述第四三極管的基極通過(guò)第八電阻、控制開(kāi)關(guān)串聯(lián)電路后連接在第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)的引腳上,所述第九電阻連接在第四三極管的基極與發(fā)射極之間,所述第三單向二極管的正極連接在第八電阻與控制開(kāi)關(guān)的連接點(diǎn)上,第三單向二極管的負(fù)極與升壓電路模塊上,所述第四單向二極管的正極連接在第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)的引腳上,所述第四單向二極管的負(fù)極與第三單向二極管的負(fù)極相連接。

所述升壓電路模塊的主芯片型號(hào)為9908,所述第三單向二極管的負(fù)極連接在9908芯片的第三引腳上,在9908芯片的第三引腳與地線(xiàn)之間設(shè)有第十電阻。

所述MOS管電路模塊為4435ASMOS管,所述第一三極管和第四三極管為NPN型三極管,所述第二三極管和第三三極管為PNP型三極管。

本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)合理,其在負(fù)載不工作時(shí)通過(guò)功耗控制電路可有效的實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗,解決了傳統(tǒng)技術(shù)中升壓電路在負(fù)載不工作時(shí)漏電流較大的技術(shù)不足,使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)一并參見(jiàn)圖1,為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例提供的一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路,包括充電模塊1、與所述充電模塊1相連接的升壓電路模塊2、與所述升壓電路模塊2相連接的MOS管電路模塊3、與所述MOS管電路模塊3相連接的第一雙路推制式開(kāi)關(guān)SW2和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)SW3、與所述第二雙路推制式開(kāi)關(guān)SW3相連接的LED接口端子4、與所述第一雙路推制式開(kāi)關(guān)SW2相連接的負(fù)載電路5、與所述第一雙路推制式開(kāi)關(guān)SW2和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)SW3相連接的功耗模塊6,還設(shè)有與所述功耗模塊6相連接的功耗控制電路7、在所述充電模塊1與MOS管電路模塊3之間還設(shè)有充電信號(hào)控制電路8。

所述充電模塊1上設(shè)有正極輸出端子、負(fù)極輸出端子和充電信號(hào)輸出端子,所述充電模塊的正極輸出端子、負(fù)極輸出端子與升壓電路模塊相連接,所述充電信號(hào)控制電路8包括第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5,所述第一三極管Q1的基極通過(guò)第一電阻R1連接在充電模塊1的充電信號(hào)輸出端子上,所述第一三極管Q1的發(fā)射極接地,所述第一三極管Q1的集電極通過(guò)第二電阻R2連接在第二三極管Q2的基極上,所述第二三極管Q2的發(fā)射極連接在充電模塊1的充電信號(hào)輸出端子上,所述第二三極管Q2的集電極通過(guò)第三電阻R3連接在MOS管電路模塊3上,所述第四電阻R4連接在第一三極管Q1的基極與地線(xiàn)之間,所述第五電阻R5連接在第二三極管Q2的集電極與地線(xiàn)之間。

所述功耗控制電路7包括第三三極管Q3、第四三極管Q4、第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第一單向二極管D1、第二單向二極管D2、第三單向二極管D3、控制開(kāi)關(guān)D4和第四單向二極管SW1,所述第三三極管Q3的集電極通過(guò)第一單向二極管D1、第二單向二極管D2的并聯(lián)電路后連接在功耗模塊6的正極上,所述第三三極管Q3的基極通過(guò)第六電阻R6連接在第四三極管Q4的集電極上,所述第三三極管Q3的發(fā)射極連接在MOS管電路模塊3與第一雙路推制式開(kāi)關(guān)SW2的連接點(diǎn)上,所述第七電阻R7連接在第三三極管Q3的發(fā)射極與基極之間,所述第四三極管Q4的發(fā)射極與功耗模塊6的負(fù)極上,所述第四三極管Q4的基極通過(guò)第八電阻R8、控制開(kāi)關(guān)SW1串聯(lián)電路后連接在第一雙路推制式開(kāi)關(guān)SW2和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)SW3的引腳上,所述第九電阻R9連接在第四三極管Q4的基極與發(fā)射極之間,所述第三單向二極管D3的正極連接在第八電阻R8與控制開(kāi)關(guān)SW1的連接點(diǎn)上,第三單向二極管D3的負(fù)極與升壓電路模塊2上,所述第四單向二極管D4的正極連接在第一雙路推制式開(kāi)關(guān)SW2和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)SW3的引腳上,所述第四單向二極管D4的負(fù)極與第三單向二極管D3的負(fù)極相連接。

所述升壓電路模塊的主芯片型號(hào)為9908,所述第三單向二極管D3的負(fù)極連接在9908芯片的第三引腳上,在9908芯片的第三引腳與地線(xiàn)之間設(shè)有第十電阻。

所述MOS管電路模塊為4435ASMOS管,所述第一三極管和第四三極管為NPN型三極管,所述第二三極管和第三三極管為PNP型三極管。

其工作原理簡(jiǎn)述如下:如原理圖所示,升壓IC及其相關(guān)的外圍元器件組成常規(guī)的升壓電路模塊,將3.7V的鋰電池升壓為6V供負(fù)載工作;升壓后經(jīng)MOS管電路模塊U2,再通過(guò)開(kāi)關(guān)控制到負(fù)載輸出;開(kāi)關(guān)有雙路推制式SW2,SW3和控制開(kāi)關(guān)SW1;升壓IC U1 3腳為使能腳位(高電平有效),當(dāng)所有開(kāi)關(guān)都處于OFF狀態(tài)時(shí)(負(fù)載不在工作狀態(tài)),U1 3腳被電阻R10拉地,此時(shí)為低電平,U1不工作,待機(jī)功耗幾乎為零;當(dāng)任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài),電池通過(guò)D3或D4,使U1 3腳變?yōu)楦唠娖?,U1立刻進(jìn)入工作狀態(tài),升壓后供負(fù)載工作;由于開(kāi)關(guān)SW2和SW3為雙路開(kāi)關(guān),信號(hào)控制與負(fù)載供電可以分開(kāi)同步控制;另外SW1為單路開(kāi)關(guān),負(fù)載供電控制通過(guò)Q4和Q3實(shí)現(xiàn),開(kāi)關(guān)導(dǎo)通后,Q4基極為高電平,Q4導(dǎo)通,Q3基極為低電平,Q3導(dǎo)通,電源通過(guò)Q3,D1和D2為負(fù)載進(jìn)行供電;本電路是通過(guò)只有負(fù)載處于工作狀態(tài)時(shí)升壓電路才會(huì)工作來(lái)達(dá)到超低待機(jī)功耗的目的;并且不管開(kāi)關(guān)是單路還是雙路,是推制還是接觸式,都能實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗;

此電路的充電模塊有3個(gè)輸出端,分別是充電的正極電源VCC和地AGND,還有充電信號(hào)D+;當(dāng)電池處于充電時(shí),充電信號(hào)D+通過(guò)電阻R1使Q1導(dǎo)通,Q2基極為低電平,Q2導(dǎo)通,MOS管G極為高電平,MOS管截止(U2是P型MOS管,低電平導(dǎo)通),因此供電給負(fù)載的回路被截?cái)啵胸?fù)載停止工作,從而達(dá)到充電滅所有負(fù)載功能的目的。

本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)合理,其在負(fù)載不工作時(shí)通過(guò)功耗控制電路可有效的實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗,解決了傳統(tǒng)技術(shù)中升壓電路在負(fù)載不工作時(shí)漏電流較大的技術(shù)不足,使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
網(wǎng)友詢(xún)問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1
大厂| 湖南省| 乌拉特后旗| 和硕县| 鹤山市| 铁力市| 武义县| 安泽县| 安岳县| 仙桃市| 临泽县| 肃宁县| 高清| 兰溪市| 红原县| 延川县| 汪清县| 台山市| 贵港市| 西昌市| 榆中县| 建水县| 海宁市| 额济纳旗| 泗洪县| 朔州市| 浦北县| 高雄市| 长宁县| 保亭| 文登市| 普安县| 潼关县| 阳高县| 平阴县| 锦州市| 华坪县| 紫金县| 布尔津县| 东城区| 洛浦县|