1.一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路，其特征在于：包括充電模塊、與所述充電模塊相連接的升壓電路模塊、與所述升壓電路模塊相連接的MOS管電路模塊、與所述MOS管電路模塊相連接的第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)、與所述第二雙路推制式開(kāi)關(guān)相連接的LED接口端子、與所述第一雙路推制式開(kāi)關(guān)相連接的負(fù)載電路、與所述第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)相連接的功耗模塊，還設(shè)有與所述功耗模塊相連接的功耗控制電路、在所述充電模塊與MOS管電路模塊之間還設(shè)有充電信號(hào)控制電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路，其特征在于：所述充電模塊上設(shè)有正極輸出端子、負(fù)極輸出端子和充電信號(hào)輸出端子，所述充電模塊的正極輸出端子、負(fù)極輸出端子與升壓電路模塊相連接，所述充電信號(hào)控制電路包括第一三極管、第二三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻，所述第一三極管的基極通過(guò)第一電阻連接在充電模塊的充電信號(hào)輸出端子上，所述第一三極管的發(fā)射極接地，所述第一三極管的集電極通過(guò)第二電阻連接在第二三極管的基極上，所述第二三極管的發(fā)射極連接在充電模塊的充電信號(hào)輸出端子上，所述第二三極管的集電極通過(guò)第三電阻連接在MOS管電路模塊上，所述第四電阻連接在第一三極管的基極與地線(xiàn)之間，所述第五電阻連接在第二三極管的集電極與地線(xiàn)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路，其特征在于：所述功耗控制電路包括第三三極管、第四三極管、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第一單向二極管、第二單向二極管、第三單向二極管、控制開(kāi)關(guān)和第四單向二極管，所述第三三極管的集電極通過(guò)第一單向二極管、第二單向二極管的并聯(lián)電路后連接在功耗模塊的正極上，所述第三三極管的基極通過(guò)第六電阻連接在第四三極管的集電極上，所述第三三極管的發(fā)射極連接在MOS管電路模塊與第一雙路推制式開(kāi)關(guān)的連接點(diǎn)上，所述第七電阻連接在第三三極管的發(fā)射極與基極之間，所述第四三極管的發(fā)射極與功耗模塊的負(fù)極上，所述第四三極管的基極通過(guò)第八電阻、控制開(kāi)關(guān)串聯(lián)電路后連接在第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)的引腳上，所述第九電阻連接在第四三極管的基極與發(fā)射極之間，所述第三單向二極管的正極連接在第八電阻與控制開(kāi)關(guān)的連接點(diǎn)上，第三單向二極管的負(fù)極與升壓電路模塊上，所述第四單向二極管的正極連接在第一雙路推制式開(kāi)關(guān)和第二雙路推制式開(kāi)關(guān)的引腳上，所述第四單向二極管的負(fù)極與第三單向二極管的負(fù)極相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路，其特征在于：所述升壓電路模塊的主芯片型號(hào)為 9908，所述第三單向二極管的負(fù)極連接在9908芯片的第三引腳上，在9908芯片的第三引腳與地線(xiàn)之間設(shè)有第十電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種超低待機(jī)功耗升壓電路帶充電滅所有功能電路，其特征在于：所述MOS管電路模塊為4435ASMOS管，所述第一三極管和第四三極管為NPN型三極管，所述第二三極管和第三三極管為PNP型三極管。