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雙電源控制電路的制作方法

文檔序號:11654209閱讀:1627來源:國知局

本實用新型涉及雙電源控制電路。



背景技術:

現(xiàn)有的負載供電電路只有單電源供電,若單電源供電出現(xiàn)電力不足或者供電損壞,需要更換電源才能使得負載正常工作,更換電源需要時間,因此耽誤了時間就會使得負載無法正常運行,給人們帶來了不便。



技術實現(xiàn)要素:

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有產(chǎn)品中的不足,提供一種雙電源控制電路。

為了達到上述目的,本實用新型是通過以下技術方案實現(xiàn)的。

本實用新型的雙電源控制電路,包括太陽能板C、可充電電池A、干電池B、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、T33降壓型電源芯片U1、三極管T1、三極管T3、MOS場效應晶體管Q1、燈LED、電感L1、開關SW、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻RL、單片機G,所述三極管T1的發(fā)射極連接地信號GND,所述三極管T1的基極通過電阻R2連接地信號GND,所述三極管T1的集電極連接單片機G,所述三極管T1的基極通過電阻R1連接二極管D1的正極,所述二極管D1的正極通過太陽能板C連接地信號GND,所述二極管D1的負極通過可充電電池A連接地信號GND,所述二極管D1的負極通過二極管D2連接開關SW的一端,所述開關SW的另一端通過電感L1連接T33降壓型電源芯片U1的1管腳,所述二極管D2的正極通過電阻R3連接三極管T3的基極,所述電阻R4的一端連接地信號GND,所述電阻R4的另一端連接三極管T3的基極,所述三極管T3的發(fā)射極連接地信號GND,所述三極管T3的集電極通過電阻R5連接T33降壓型電源芯片U1的3管腳,所述T33降壓型電源芯片U1的2管腳連接地信號GND,所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電阻RL連接燈LED的正極,所述燈LED的負極連接單片機G,所述三極管T3的集電極連接MOS場效應晶體管Q1的G極,所述MOS場效應晶體管Q1的S極通過連接二極管D3的負極,所述二極管D3的正極通過干電池B連接地信號GND,所述MOS場效應晶體管Q1的D極連接開關SW的一端,所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳連接單片機G。

本實用新型還包括電容C2,所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電容C2連接地信號GND。

本實用新型三極管T1、三極管T3都為NPN三極管。

本實用新型的MOS場效應晶體管Q1為N溝道MOS場效應晶體管。

本實用新型的電容C2為極性電容。

本實用新型的有益效果如下:本實用新型為太陽能板C和可充電電池A及干電池B相互切換,為負載提供源源不斷的電力,解決了因單方面的電力不足或者電源損壞而影響產(chǎn)品的使用率,只要是雙電源供電方式的產(chǎn)品都能用,試用范圍廣,有效延長負載使用壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合說明書附圖對本實用新型的技術方案作進一步說明。

如圖1所示,雙電源控制電路,包括太陽能板C、可充電電池A、干電池B、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、T33降壓型電源芯片U1、三極管T1、三極管T3、MOS場效應晶體管Q1、燈LED、電感L1、開關SW、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻RL、單片機G,所述三極管T1的發(fā)射極連接地信號GND,所述三極管T1的基極通過電阻R2連接地信號GND,所述三極管T1的集電極連接單片機G,所述三極管T1的基極通過電阻R1連接二極管D1的正極,所述二極管D1的正極通過太陽能板C連接地信號GND,所述二極管D1的負極通過可充電電池A連接地信號GND,所述二極管D1的負極通過二極管D2連接開關SW的一端,所述開關SW的另一端通過電感L1連接T33降壓型電源芯片U1的1管腳,所述二極管D2的正極通過電阻R3連接三極管T3的基極,所述電阻R4的一端連接地信號GND,所述電阻R4的另一端連接三極管T3的基極,所述三極管T3的發(fā)射極連接地信號GND,所述三極管T3的集電極通過電阻R5連接T33降壓型電源芯片U1的3管腳,所述T33降壓型電源芯片U1的2管腳連接地信號GND,所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電阻RL連接燈LED的正極,所述燈LED的負極連接單片機G,所述三極管T3的集電極連接MOS場效應晶體管Q1的G極,所述MOS場效應晶體管Q1的S極通過連接二極管D3的負極,所述二極管D3的正極通過干電池B連接地信號GND,所述MOS場效應晶體管Q1的D極連接開關SW的一端,所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳連接單片機G。

如圖1所示,本實用新型還包括電容C2,所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電容C2連接地信號GND。

如圖1所示,三極管T1、三極管T3都為NPN三極管。

如圖1所示,所述MOS場效應晶體管Q1為N溝道MOS場效應晶體管。

如圖1所示,所述電容C2為極性電容。

工作原理:首先太陽光通過太陽能板C經(jīng)過二極管D1對可充電電池A進行充電,同時太陽能產(chǎn)生的電流經(jīng)過電阻R1和電阻R2對三極管T1導通,三極管T1導通后關閉單片機G,使其不能工作,無輸出狀態(tài),直到太陽光變很暗或消失時重新關閉三極管T1,單片機G開啟并工作。此時可充電電池A可充電池經(jīng)過二極管D2和開關SW及電感L1和T33降壓型電源芯片U1,然后T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電容C1濾波后對單片機G供電;其中電阻R3,電阻R4,電阻R5,三極管T3為低電壓保護電路,保護可充電電池A可充電池以免造成過放。當可充電電池A電力不足或沒有電之時,干電池B經(jīng)反向二極管D3,和MOS場效應晶體管Q1,對單片機G提供電源。

本實用新型為太陽能板C和可充電電池A及干電池B相互切換,為負載提供源源不斷的電力,解決了因單方面的電力不足或者電源損壞而影響產(chǎn)品的使用率,只要是雙電源供電方式的產(chǎn)品都能用,試用范圍廣,有效延長負載使用壽命。

需要注意的是,以上列舉的僅是本實用新型的一種具體實施例。顯然,本實用新型不限于以上實施例,還可以有許多變形。總之,本領域的普通技術人員能從本實用新型公開的內(nèi)容直接導出或聯(lián)想到的所有變形,均應認為是本實用新型的保護范圍。

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