1.雙電源控制電路，其特征在于，包括太陽能板C、可充電電池A、干電池B、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、T33降壓型電源芯片U1、三極管T1、三極管T3、MOS場效應晶體管Q1、燈LED、電感L1、開關(guān)SW、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻RL、單片機G，所述三極管T1的發(fā)射極連接地信號GND，所述三極管T1的基極通過電阻R2連接地信號GND，所述三極管T1的集電極連接單片機G,所述三極管T1的基極通過電阻R1連接二極管D1的正極，所述二極管D1的正極通過太陽能板C連接地信號GND，所述二極管D1的負極通過可充電電池A連接地信號GND，所述二極管D1的負極通過二極管D2連接開關(guān)SW的一端，所述開關(guān)SW的另一端通過電感L1連接T33降壓型電源芯片U1的1管腳，所述二極管D2的正極通過電阻R3連接三極管T3的基極，所述電阻R4的一端連接地信號GND，所述電阻R4的另一端連接三極管T3的基極，所述三極管T3的發(fā)射極連接地信號GND，所述三極管T3的集電極通過電阻R5連接T33降壓型電源芯片U1的3管腳，所述T33降壓型電源芯片U1的2管腳連接地信號GND，所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電阻RL連接燈LED的正極，所述燈LED的負極連接單片機G，所述三極管T3的集電極連接MOS場效應晶體管Q1的G極，所述MOS場效應晶體管Q1的S極通過連接二極管D3的負極，所述二極管D3的正極通過干電池B連接地信號GND，所述MOS場效應晶體管Q1的D極連接開關(guān)SW的一端，所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳連接單片機G。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙電源控制電路，其特征在于，還包括電容C2，所述T33降壓型電源芯片U1的3管腳通過電容C2連接地信號GND。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙電源控制電路，其特征在于，所述三極管T1、三極管T3都為NPN三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙電源控制電路，其特征在于，所述MOS場效應晶體管Q1為N溝道MOS場效應晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述雙電源控制電路，其特征在于，所述電容C2為極性電容。