本發(fā)明屬于一種vmid電壓產(chǎn)生器，尤指一種在待機狀態(tài)時超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生器。

背景技術：

1、圖1為驅動器的電路架構及其電壓區(qū)間示意圖。如圖1所示，驅動器ic?100亦可以為應用在液晶面板上的源驅動器ic(source?driver?ic)，其主要架構包括正壓運算放大器(positive?operational?amplifier，pop)11及負壓運算放大器(negative?operationalamplifier,nop)12。正壓運算放大器11產(chǎn)生vmid至avdd之間的電壓，供后面的液晶面板使用，而負壓運算放大器12產(chǎn)生0v至vmid之間的電壓，供后面的液晶面板使用。面板上液晶的跨壓不同，便可顯示出不同的灰階。

2、在中小尺寸液晶面板的源驅動器ic應用中，由于液晶翻轉電壓在6v以內，故以全正半壓的液晶面板架構來說，avdd應用上會在12v以內，vmid為介于0v至avdd之間的電壓，例如，vmid可以是一個等于或接近于avdd/2的中值電壓。不同于大尺寸液晶面板的源驅動器ic使用高壓的電子組件(例如32v)，中小尺寸液晶面板的源驅動器ic會使用中壓的電子組件(例如6v)，來進行電路設計。

3、在中小尺寸液晶面板的源驅動器ic中，其ic內部通常需要有一個vmid電壓產(chǎn)生器來產(chǎn)生vmid電壓。請參閱圖2為傳統(tǒng)的vmid電壓產(chǎn)生器的架構圖。如圖2所示，vmid電壓產(chǎn)生器200包括能隙參考電路21及運算放大器22。能隙參考電路21提供參考電壓及參考電流至運算放大器22，運算放大器22產(chǎn)生vmid電壓并根據(jù)參考電壓及參考電流以提供推力驅使vmid電壓。

4、源驅動器ic的操作模式包含有正常模式(normal?mode)及待機模式(standbymode)。在正常模式(normal?mode)時，源驅動器ic會將內部大部分的電路開啟，該開啟的電路包含有vmid電壓產(chǎn)生器200，則開啟運作的vmid電壓產(chǎn)生器200將會正常提供vmid電壓。在待機模式(standby?mode)時，源驅動器ic會將內部大部分的電路關閉以便降低耗電，然，由于電子組件耐壓的問題，源驅動器ic仍需繼續(xù)提供vmid電壓。因此，以往源驅動器ic操作在待機模式(standby?mode)時，仍需透過vmid電壓產(chǎn)生器20來提供vmid電壓。

5、另，實際的電路設計為例，能隙參考電路21及運算放大器22在正常模式(normalmode)開啟操作時，能隙參考電路21耗電約50ua，運算放大器22耗電約450ua，則總耗電為500ua；能隙參考電路21及運算放大器22在待機模式(standby?mode)開啟操作時，能隙參考電路21耗電可降至20ua，運算放大器22耗電可降至80ua，則總耗電降為100ua。

6、于是，熟知電子電路技術領域者，應該懂得傳統(tǒng)的能隙參考電路21及運算放大器22由高耗電的電路組件所組成，即使操作在待機模式(standby?mode)，只要能隙參考電路21及運算放大器22被開啟運作，vmid電壓產(chǎn)生器200就會存在不少的耗電(如在待機模式的共耗電仍有100ua)，導致液晶面板或源驅動器ic在待機模式很難再進一步降低功耗。

技術實現(xiàn)思路

1、以往驅動器ic操作在待機模式時，利用傳統(tǒng)的vmid電壓產(chǎn)生器中的能隙參考電路及運算放大器來產(chǎn)生vmid電壓，然而，能隙參考電路及運算放大器由高耗電的電子組件所組成，因此，驅動器ic在待機模式時仍會消耗不少的功耗。有鑒于此，本發(fā)明在vmid電壓產(chǎn)生器中增設一超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路。當驅動器ic操作在待機模式時，關閉能隙參考電路及運算放大器，開啟超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，以選擇超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路來提供vmid電壓，由于超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路運作時耗電非常低，故可大幅降低驅動器ic待機的功耗。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種低待機耗電的vmid電壓產(chǎn)生器，其特征在于，vmid電壓產(chǎn)生器應用在一驅動器ic上，用以提供vmid電壓至驅動器ic，vmid電壓產(chǎn)生器包含：高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，由高耗電的電子組件所組成；以及超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，由超低耗電的電子組件所組成，其中高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路的輸出與超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路的輸出共連接至輸出節(jié)點，輸出節(jié)點產(chǎn)生有vmid電壓；其中，驅動器ic操作在正常模式時，高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被開啟，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被關閉，vmid電壓由高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生；驅動器ic操作在待機模式時，高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被關閉，而超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被開啟，vmid電壓由超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生。

3、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接輸出節(jié)點；以及第二電阻，其一端連接輸出節(jié)點而另一端接地；其中，透過第一電阻與第二電阻的分壓以在輸出節(jié)點上產(chǎn)生vmid電壓。

4、較佳地，vmid電壓設定有預定值，以vmid電壓的預定值調整第一電阻及第二電阻的大小。

5、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接第一節(jié)點；第二電阻，其一端連接第一節(jié)點而另一端接地；第一晶體管，為nmos晶體管，其汲極連接電壓源、閘極連接第一節(jié)點而源極連接輸出節(jié)點；及第二晶體管，為pmos晶體管，其汲極接地、閘極連接第一節(jié)點而源極連接輸出節(jié)點；其中第一節(jié)點上產(chǎn)生有第一電壓，vmid電壓介于va+vth_p1與va-vth_n1之間，va為第一電壓，vth_n1為第一晶體管的閥值電壓，而vth_p1為第二晶體管的閥值電壓。

6、較佳地，vmid電壓設定有預定值，以vmid電壓的預定值調整第一電阻及第二電阻的大小。

7、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接第一節(jié)點；第二電阻，其一端連接第二節(jié)點而另一端接地；第三電阻，連接在第一節(jié)點與第二節(jié)點間；第一晶體管，為nmos晶體管，其汲極連接電壓源、閘極連接第一節(jié)點而源極連接輸出節(jié)點；及第二晶體管，為pmos晶體管，其汲極接地、閘極連接第二節(jié)點而源極連接輸出節(jié)點；其中第一節(jié)點上產(chǎn)生有第一電壓，第二節(jié)點上產(chǎn)生第二電壓；其中vmid電壓設定有預定值，透過設定第一電壓及第二電壓的大小以將vmid電壓嵌制在預定值附近；其中第一電壓被設定接近且低于vmid+vgs_n1，而第二電壓被設定接近且高于vmid-vgs_p1，vgs_n1為第一晶體管的vgs電壓，而vgs_p1為第二晶體管的vgs電壓。

8、較佳地，第一電壓、第二電壓與vmid電壓的預定值透過調整第一電阻、第二電阻及第三電阻的大小來設定。

9、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接第一節(jié)點；第二電阻，其一端連接第二節(jié)點而另一端接地；第一晶體管，為nmos晶體管，其汲極連接電壓源、閘極連接第一節(jié)點而源極連接輸出節(jié)點；第二晶體管，為pmos晶體管，其汲極接地、閘極連接第二節(jié)點而源極連接輸出節(jié)點；第三晶體管，為nmos晶體管，其汲極與閘極共連接至第一節(jié)點而源極連接第三節(jié)點；第四晶體管，為pmos晶體管，其汲極與閘極共連接至第二節(jié)點而源極連接第三節(jié)點；其中第一節(jié)點上產(chǎn)生有第一電壓，第二節(jié)點上產(chǎn)生第二電壓，第三節(jié)點上產(chǎn)生第三電壓；其中第三晶體管的vgs電壓設計等于第四晶體管的vgs電壓；其中vmid電壓設定有預定值，預定值被設定等于第三電壓，vmid電壓被嵌制至預定值附近。

10、較佳地，第三晶體管的vgs電壓設定小于第一晶體管的vgs電壓，而第四晶體管的vgs電壓設定小于第二晶體管的vgs電壓。

11、較佳地，第一電壓、第二電壓及第三電壓透過調整第一電阻及第二電阻的大小來設定。

12、較佳地，高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：能隙參考電路，用以提供參考電壓及參考電流；以及運算放大器，運算放大器的輸入端連接能隙參考電路而輸出端連接輸出節(jié)點；其中，運算放大器在輸出節(jié)點上產(chǎn)生vmid電壓，且根據(jù)于參考電壓及參考電流以提供推力驅使vmid電壓。