技術(shù)特征：

1.一種低待機(jī)耗電的vmid電壓產(chǎn)生器，其特征在于，該vmid電壓產(chǎn)生器應(yīng)用在一驅(qū)動器ic上，用以提供vmid電壓至該驅(qū)動器ic，該vmid電壓產(chǎn)生器包含：

2.如權(quán)利要求1所述的低待機(jī)耗電的vmid電壓產(chǎn)生器，其特征在于，該第一電壓、該第二電壓與該vmid電壓的該預(yù)定值透過調(diào)整該第一電阻、該第二電阻及該第三電阻的大小來設(shè)定。

3.如權(quán)利要求1所述的低待機(jī)耗電的vmid電壓產(chǎn)生器，其特征在于，更包括有由高耗電的電子組件所組成的高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，該高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路的輸出連接至該輸出節(jié)點(diǎn)；其中，該驅(qū)動器ic操作在正常模式時，該高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被開啟，該超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被關(guān)閉，該vmid電壓由該高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生；該驅(qū)動器ic操作在待機(jī)模式時，該高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被關(guān)閉，而該超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被開啟，該vmid電壓由該超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生。

4.如權(quán)利要求3所述的低待機(jī)耗電的vmid電壓產(chǎn)生器，其特征在于，該高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低待機(jī)耗電的VMID電壓產(chǎn)生器，其應(yīng)用在一驅(qū)動器IC上，對驅(qū)動器IC提供VMID電壓。VMID電壓產(chǎn)生器包含高耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路及超低耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路。高耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路由高耗電的電子組件所組成。超低耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路由超低耗電的電子組件所組成。驅(qū)動器IC操作在正常模式時，開啟高耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路，關(guān)閉超低耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路，VMID電壓由高耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生。驅(qū)動器IC操作在待機(jī)模式時，關(guān)閉高耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路，開啟超低耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路，VMID電壓由超低耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生。則，在待機(jī)時，選擇以超低耗電的VMID電壓產(chǎn)生電路來提供VMID電壓，故可大幅降低驅(qū)動器IC待機(jī)的功耗。

技術(shù)研發(fā)人員：邱珦益,謝沛杉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南寧初芯集成電路設(shè)計有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9