用于在電壓之間切換的系統(tǒng)和方法背景領(lǐng)域各種實(shí)施方式涉及電子電路，并且特別地，涉及在電壓之間切換的系統(tǒng)和方法。相關(guān)技術(shù)的描述一些存儲(chǔ)器系統(tǒng)在運(yùn)行期間使用通常由電壓泵產(chǎn)生的多個(gè)電壓。具體地，存儲(chǔ)器系統(tǒng)在編程和擦除操作期間使用第一電壓泵產(chǎn)生高電壓并且在讀操作期間使用第二電壓泵產(chǎn)生較低的電壓。即，在編程/擦除操作期間第一電壓泵產(chǎn)生高電壓并且第二電壓泵關(guān)閉（即，0V）。相反地，在讀操作期間第二電壓泵產(chǎn)生較低的電壓并且第一電壓泵關(guān)閉（即，0V）。當(dāng)?shù)谝浑妷罕煤?或第二電壓泵各自均關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)器系統(tǒng)經(jīng)歷大量的泄漏電流。為了克服與泄漏電流相關(guān)的問題，增加電壓泵的尺寸，這樣就增加了管芯的面積。附圖簡述為了將容易地理解本發(fā)明的優(yōu)勢，將通過參考附圖中示出的特定的實(shí)施方式來給出以上簡單描述的本發(fā)明的更具體的描述。應(yīng)當(dāng)理解到，這些附圖描述僅是本發(fā)明的典型的實(shí)施方式，并非因此被認(rèn)為是對本發(fā)明范圍的限制，將通過使用附圖來描述和解釋另外的特征和細(xì)節(jié)，其中：圖1是用于在電壓之間切換的電路的一個(gè)實(shí)施方式的原理圖；圖2是用于在電壓之間切換的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的框圖；圖3是用于在電壓之間切換的方法的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖；以及圖4是圖1中的系統(tǒng)的操作的一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖。詳細(xì)描述在描述中參考“一個(gè)實(shí)施方式（oneembodiment）”或者“一個(gè)實(shí)施方式（anembodiment）”意味著結(jié)合一個(gè)實(shí)施方式描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)、或者特性被包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式中。位于本描述中的不同位置中的短語“在一個(gè)實(shí)施方式中（inoneembodiment）”不一定指相同的實(shí)施方式。在以下的詳細(xì)描述中，為了說明的目的，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本申請的主題的全面理解。然而，對本領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言，將明顯的是，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下，也可以實(shí)踐已公開的實(shí)施方式、所要求的主題及其等同物。詳細(xì)描述包括對附圖的參考，附圖構(gòu)成詳細(xì)描述的一部分。附圖示出了按照示例性的實(shí)施方式的圖解說明。這些實(shí)施方式，本文中還可以稱為“實(shí)施例”，被足夠詳細(xì)地描述以使那些本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本文描述的所要求的主題的實(shí)施方式?？梢越M合各個(gè)實(shí)施方式，可以利用其它的實(shí)施方式，或者可以做出結(jié)構(gòu)、邏輯和電氣上的變化而不偏離所要求的主題的范圍和精神。應(yīng)該理解到，本文描述的實(shí)施方式并非意在限制主題的范圍，而是使本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`、做出和/或使用該主題。本文描述的各種實(shí)施方式包括在多個(gè)電壓之間切換的系統(tǒng)。一個(gè)系統(tǒng)包括輸出端、耦合至該輸出端的第一開關(guān)和耦合至該輸出端的第二開關(guān)。系統(tǒng)還包括耦合至第一開關(guān)并且被配置成耦合至第一電壓源的第一控制傳輸門和耦合至第二開關(guān)并且被配置成耦合至第二電壓源的第二控制傳輸門。還提供在多個(gè)電壓之間切換的裝置。一個(gè)裝置包括被配置成輸出第一對互補(bǔ)電壓的第一電平位移器和被配置成輸出第二對互補(bǔ)電壓的第二電平位移器。該裝置還包括耦合至第一電平位移器并且被配置成接收第一對互補(bǔ)電壓和輸出第一電壓的第一傳輸門，以及耦合至第二電平位移器并且被配置成接收第二對互補(bǔ)電壓和輸出第二電壓的第二傳輸門。在本實(shí)施方式中，第一電壓和第二電壓構(gòu)成由該裝置輸出的第三對互補(bǔ)電壓。各種其它的實(shí)施方式提供在多個(gè)電壓之間切換的方法。一種方法包括在第一傳輸門接收第一對互補(bǔ)電壓和在第二傳輸門接收第二對互補(bǔ)電壓。該方法還包括選擇這兩對互補(bǔ)電壓中的最小電壓并且輸出包括最小電壓的第三對互補(bǔ)電壓。現(xiàn)在轉(zhuǎn)至附圖，圖1是用于在多個(gè)電壓之間切換的電路100的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。至少在圖示的實(shí)施方式中，電路100包括耦合至電平位移器120和電平位移器130的反相器110、耦合至電平位移器120的傳輸門140、耦合至電平位移器130的傳輸門150、耦合至電平位移器120和電平位移器130的開關(guān)160、耦合至電平位移器120和電平位移器130的開關(guān)170以及耦合至開關(guān)160和開關(guān)170的輸出端180。反相器110可以是本領(lǐng)域中已知的或者將來開發(fā)的任何反相設(shè)備。即，反相器110可以是能夠接收信號(hào)并輸出反相信號(hào)的系統(tǒng)和/或設(shè)備。例如，當(dāng)反相器110接收邏輯0信號(hào)時(shí)，反相器110輸出邏輯1信號(hào)。類似地，當(dāng)反相器110接收邏輯1信號(hào)時(shí)，反相器110輸出邏輯0信號(hào)。反相器110的輸出端被配置成將輸出信號(hào)傳送至電平位移器120和電平位移器130。電平位移器120包括耦合至反相器110的輸出端的輸入端1210。電平位移器120還包括耦合至反相器110的輸入端的輸入端1220和耦合至負(fù)電壓Vbb的輸入端1230。在各種實(shí)施方式中，Vpwr是在大約1.6V至大約1.95V的范圍內(nèi)的正電壓。在一個(gè)實(shí)施方式中，Vpwr包括大約1.8V的電壓。在各種實(shí)施方式中，Vbb是在大約-2.2V至大約-1.0V的范圍內(nèi)的負(fù)電壓。在一個(gè)實(shí)施方式中，Vbb包括大約-1.8V的電壓。電平位移器120還包括輸出端1240和輸出端1250。當(dāng)電平位移器120從反相器110接收邏輯1信號(hào)時(shí)，電平位移器120被配置成通過輸出端1240輸出Vbb并且通過輸出端1250輸出Vpwr。另外，當(dāng)電平位移器120從反相器110接收邏輯0信號(hào)時(shí)，電平位移器120被配置成通過輸出端1240輸出Vpwr并且通過輸出端1250輸出Vbb。相應(yīng)地，輸出端1240和1250是互補(bǔ)輸出端?；パa(bǔ)輸出端1240和1250均被提供到傳輸門140。電平位移器130包括耦合至反相器110的輸入端的輸入端1310和耦合至反相器110的輸出端的輸入端1320。電平位移器130還包括耦合至負(fù)電壓Vneg的輸入端1330。在各種實(shí)施方式中，Vneg是在大約-4.5V至大約-3.0V的范圍內(nèi)的負(fù)電壓。在一個(gè)實(shí)施方式中，Vneg包括大約-4.0V的電壓。電平位移器130還包括輸出端1340和輸出端1350。當(dāng)電平位移器130從反相器110接收邏輯1信號(hào)時(shí)，電平位移器130被配置成通過輸出端1340輸出Vpwr并且通過輸出端1350輸出Vneg。另外，當(dāng)電平位移器130從反相器110接收邏輯0信號(hào)時(shí)，電平位移器130被配置成通過輸出端1340輸出Vneg并且通過輸出端1350輸出Vpwr。相應(yīng)地，輸出端1340和1350是互補(bǔ)輸出端?；パa(bǔ)輸出端1340和1350均被提供到傳輸門150。傳輸門140包括耦合至輸出端1240的輸入節(jié)點(diǎn)1410、耦合至輸入節(jié)點(diǎn)1410的開關(guān)1420、耦合至輸入節(jié)點(diǎn)1410和輸出端1250的開關(guān)1430以及耦合至開關(guān)1420和開關(guān)1430的輸出節(jié)點(diǎn)1440。在一個(gè)實(shí)施方式中，開關(guān)1420包括含有源極、漏極和柵極的高電壓P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（pMOSFET）。在本實(shí)施方式中，開關(guān)1420的源極被耦合至節(jié)點(diǎn)1410，開關(guān)1420的漏極被耦合至節(jié)點(diǎn)1440，以及開關(guān)1420的柵極被耦合至開關(guān)160，開關(guān)1420的柵極被耦合至Vbb。在一個(gè)實(shí)施方式中，開關(guān)1430包括含有源極、漏極和柵極的高電壓N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（nMOSFET）。在本實(shí)施方式中，開關(guān)1430的源極被耦合至節(jié)點(diǎn)1410，開關(guān)1430的漏極被耦合至節(jié)點(diǎn)1440，以及開關(guān)1430的柵極被耦合至輸出端1250。傳輸門150包括耦合至輸出端1340的輸入節(jié)點(diǎn)1510、耦合至輸入節(jié)點(diǎn)1510的開關(guān)1520、耦合至輸入節(jié)點(diǎn)1510和輸出端1350的開關(guān)1530以及耦合至開關(guān)1520和開關(guān)1530的輸出節(jié)點(diǎn)1540。在一個(gè)實(shí)施方式中，開關(guān)1520包括含有源極、漏極和柵極的高電壓pMOSFET。在本實(shí)施方式中，開關(guān)1520的源極被耦合至節(jié)點(diǎn)1510，開關(guān)1520的漏極被耦合至節(jié)點(diǎn)1540，以及開關(guān)1520的柵極被耦合至開關(guān)170，開關(guān)1520的柵極被耦合至Vneg。在一個(gè)實(shí)施方式中，開關(guān)1530包括含有源極、漏極和柵極的高電壓nMOSFET。在本實(shí)施方式中，開關(guān)1530的源極被耦合至節(jié)點(diǎn)1510，開關(guān)1530的漏極被耦合至節(jié)點(diǎn)1540，以及開關(guān)1530的柵極被耦合至輸出端1350。在一個(gè)實(shí)施方式中，開關(guān)160包括含有漏極、柵極和源極的高電壓nMOSFET。在本實(shí)施方式中，開關(guān)160的漏極被耦合至開關(guān)1420的柵極，開關(guān)160的柵極被耦合至輸出端1540，以及開關(guān)160的源極被耦合至輸出端180。在一個(gè)實(shí)施方式中，開關(guān)170包括含有漏極、柵極和源極的高電壓nMOSFET。在本實(shí)施方式中，開關(guān)170的漏極被耦合至開關(guān)1520的柵極，開關(guān)170的柵極被耦合至輸出端1440，以及開關(guān)170的源極被耦合至輸出端180。顯著地，開關(guān)170和160被交叉耦合至傳輸門140和150。此外，輸出節(jié)點(diǎn)1440和1540是互補(bǔ)輸出端，這樣互補(bǔ)輸出電壓被提供到開關(guān)160和170。以下的電路100的操作的實(shí)施例可以有益于理解電路100的各種實(shí)施方式。然而，電路100不局限于以下的實(shí)施例。在第一實(shí)施例中，反相器110接收邏輯1信號(hào)（例如，Vpwr）并且（通過輸入端1210）將邏輯0信號(hào)（例如，0V）輸出至電平位移器120和（通過輸入端1320）將該邏輯0信號(hào)輸出至電平位移器130。電平位移器120通過輸出端1240輸出Vpwr（VBBOUT）并且通過輸出端1250輸出Vbb（VBBOUTB）。類似地，電平位移器130通過輸出端1340輸出Vneg（VNEGOUT）并且通過輸出端1350輸出Vpwr（VNEGOUTB）。在節(jié)點(diǎn)1410處的Vpwr接通pMOSFET1420并且斷開nMOSFET1430，這樣導(dǎo)致傳輸門140在輸出端1440（VNEGSEL）處輸出Vpwr。在節(jié)點(diǎn)1510（VNEGOUT）處的Vneg斷開pMOSFET1520并且接通nMOSFET1530，這樣導(dǎo)致傳輸門150在輸出端1540（VBBSEL）處輸出Vneg。在開關(guān)170的柵極處的Vpwr接通開關(guān)170并且在開關(guān)160的柵極處的Vneg斷開開關(guān)160。隨著開關(guān)170接通并且開關(guān)160斷開，電路100將在輸出端180處輸出Vneg。在第二實(shí)施例中，反相器110接收邏輯0信號(hào)（例如，0V）并且（通過輸入端1220）將邏輯1信號(hào)（例如，Vpwr）輸出至電平位移器120和（通過輸入端1310）將該邏輯1信號(hào)輸出至電平位移器130。電平位移器120通過輸出端1240（VBBOUT）輸出Vbb并且通過輸出端1250（VBBOUTB）輸出Vpwr。類似地，電平位移器130通過輸出端1340（VNEGOUT）輸出Vpwr并且通過輸出端1350（VNEGOUTB）輸出Vneg。在節(jié)點(diǎn)1410處的Vbb斷開pMOSFET1420并且接通nMOSFET1430，這樣導(dǎo)致傳輸門140在輸出端1440處（VNEGSEL）輸出Vbb。在節(jié)點(diǎn)1510（VNEGOUT）處的Vpwr接通pMOSFET1520并且斷開nMOSFET1530，這樣導(dǎo)致傳輸門150在輸出端1540（VBBSEL）處輸出Vpwr。在開關(guān)170的柵極處的Vbb斷開開關(guān)170并且在開關(guān)160的柵極處的Vpwr接通開關(guān)160。隨著開關(guān)170斷開并且開關(guān)160接通，電路100將在輸出端180處輸出Vbb。在Vbb和Vneg均是零V的第三實(shí)施例中，反相器110接收邏輯0信號(hào)（例如，Vpwr）并且（通過輸入端1210）將邏輯1信號(hào)（例如，0V）輸出至電平位移器120和（通過輸入端1320）將該邏輯1信號(hào)輸出至電平位移器130。電平位移器120通過輸出端1240（VBBOUT）輸出Vbb并且通過輸出端1250（VBBOUTB）輸出Vpwr。類似地，電平位移器130通過輸出端1340（VNEGOUT）輸出Vpwr并且通過輸出端1350（VNEGOUTB）輸出Vneg。在節(jié)點(diǎn)1410處的Vbb斷開pMOSFET1420并且接通nMOSFET1430，這樣導(dǎo)致傳輸門140在輸出端1440（VNEGSEL）處輸出Vbb。在節(jié)點(diǎn)1510（VNEGOUT）處的Vpwr接通pMOSFET1520并且斷開nMOSFET1530，這樣導(dǎo)致傳輸門150在輸出端1540（VBBSEL）處輸出Vpwr。在開關(guān)170的柵極處的Vbb斷開開關(guān)170并且在開關(guān)160的柵極處的Vpwr接通開關(guān)160。隨著開關(guān)170斷開并且開關(guān)160接通，電路100將在輸出端180處輸出Vbb。雖然已經(jīng)參考正負(fù)電壓論述了電路100的各種實(shí)施方式，但是電路100不局限于此。具體地，可以反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的極性。此外，各種實(shí)施方式考慮僅使用正電壓或者僅使用負(fù)電壓。同樣地，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，各種MOSFET器件的極性將依賴于在電路100的任何特定的應(yīng)用中使用的電壓的極性。圖2是用于在電壓之間切換的系統(tǒng)200的一個(gè)實(shí)施方式的框圖。至少在圖示的實(shí)施方式中，系統(tǒng)200包括耦合至切換電路100（參見圖1）的VNEG泵210和VBB泵220。VNEG泵210被配置成給切換電路100提供Vneg并且VBB泵220被配置成給切換電路100提供Vbb。切換電路100，如以上所討論的，將接收用于反相器110的vnegbben（參見圖1）、Vpwr、Vgnd、Vneg和Vbb并且在VNEG_VBB輸出Vneg和Vbb中的較小者。圖3是用于在切換電路（例如，電路100）中的多個(gè)電壓之間切換的方法300的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。至少在圖示的實(shí)施方式中，方法300開始于接收邏輯信號(hào)（例如，邏輯0或者邏輯1信號(hào)）（方框305）。在一個(gè)實(shí)施方式中，邏輯信號(hào)是來自于反相器（例如，反相器110）、被在第一電平位移器（例如，電平位移器120）和/或第二電平位移器（例如，電平位移器130）接收的或者可以是從另一器件接收的邏輯信號(hào)。響應(yīng)于接收邏輯信號(hào)，輸出第一對互補(bǔ)電壓信號(hào)（方框310）和/或輸出第二對互補(bǔ)電壓信號(hào)（方框315）。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一對互補(bǔ)電壓信號(hào)包括第一負(fù)電壓（例如，Vbb）和正電壓（例如，Vpwr）和/或第二對互補(bǔ)電壓信號(hào)包括第二負(fù)電壓（例如，Vneg）和正電壓（Vpwr）。例如，第一電平位移器（例如，電平位移器120）可以輸出第一對互補(bǔ)電壓信號(hào)和/或第二電平位移器（例如，電平位移器130）可以輸出第二對互補(bǔ)電壓信號(hào)。方法300還包括響應(yīng)于接收第一對互補(bǔ)電壓信號(hào)和/或第二對互補(bǔ)電壓信號(hào)來輸出第三對互補(bǔ)電壓信號(hào)（方框320）。在一個(gè)實(shí)施方式中，第三對互補(bǔ)電壓信號(hào)包括負(fù)電壓（例如，Vbb或者Vneg）和正電壓（例如，Vpwr）。例如，第一傳輸門（例如，傳輸門140）可以接收第一對互補(bǔ)電壓信號(hào)并輸出負(fù)電壓，第二傳輸門（例如，傳輸門150）可以接收第二對互補(bǔ)電壓信號(hào)并輸出正電壓。在另一實(shí)施例中，第一傳輸門可以接收第一對互補(bǔ)電壓信號(hào)并輸出正電壓，第二傳輸門可以接收第二對互補(bǔ)電壓信號(hào)并輸出負(fù)電壓。第三對互補(bǔ)電壓信號(hào)被用于斷開第一開關(guān)并接通第二開關(guān)（方框325），這樣導(dǎo)致輸出最小電壓（方框330）。在一個(gè)實(shí)施例中，正電壓（例如，Vpwr）被用于接通第一開關(guān)（例如，開關(guān)160），負(fù)電壓（例如，Vbb）被用于斷開第二開關(guān)（例如，開關(guān)170）以輸出Vbb。在另一實(shí)施例中，正電壓（例如，Vpwr）被用于接通第二開關(guān)（例如，開關(guān)170），負(fù)電壓（例如，Vneg）被用于斷開第一開關(guān)（例如，開關(guān)160）以輸出Vneg。以這種方式，系統(tǒng)（例如，電路100）將輸出最小電壓（例如，最小負(fù)電壓）?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)至圖4，圖4是電路100的操作的一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖400。如圖4所示，在任何給定時(shí)間的最小電壓是電路100的輸出（例如，Vneg_Vbb）。在本實(shí)施例中，在T0，Vneg是0V并且Vbb是0V，因此Vneg_Vbb是0V。在從T0到T1的區(qū)間中（例如，從0μs到100μs），Vneg在該區(qū)間的第一部分保持在0V，下降到-4.0V，然后返回到0V。在相同的區(qū)間，Vbb下降到-1.8V然后在該區(qū)間的剩余部分返回至0V。因此，當(dāng)Vbb處于-1.8V并且Vneg處于0V時(shí)，在該區(qū)間上,電路100的輸出（Vneg_Vbb）下降到-1.8V，當(dāng)Vneg和Vbb均是0V時(shí)增加到0V，當(dāng)Vneg下降到-4.0V并且Vbb處于0V時(shí)下降到-4.0V，以及當(dāng)Vneg和Vbb均是0V時(shí)增加到0V。在T1到T2的區(qū)間中（例如，從100μs到200μs），Vneg在該區(qū)間的第一部分保持在0V并在該區(qū)間的剩余部分下降到-4.0V。還在該區(qū)間，Vbb下降到-1.8V、增加至0V、并且在該區(qū)間的剩余部分下降到-1.8V。因此，當(dāng)Vbb處于-1.8V并且Vneg處于0V時(shí)，在該區(qū)間上,電路100的輸出（Vneg_Vbb）下降到-1.8V，當(dāng)Vneg和Vbb均是0V時(shí)增加到0V，當(dāng)Vneg下降到-4.0V并且Vbb處于-1.8V時(shí)的該區(qū)間的剩余部分下降到-4.0V。在T2到T3的區(qū)間中（例如，從200μs到400μs），Vneg在該區(qū)間的第一部分保持在-4.0V并在該區(qū)間的剩余部分增加到0V。另外，Vbb在該區(qū)間的一部分保持在-1.8V并在該區(qū)間的剩余部分增加到0V。因此，在該區(qū)間上，當(dāng)Vneg處于-4.0V并且當(dāng)Vbb處于-1.8V然后處于0V時(shí)，電路100的輸出（Vneg_Vbb）保持在-4.0V。當(dāng)在該區(qū)間的剩余部分Vneg和Vbb均是0V時(shí)輸出（Vneg_Vbb）增加到0V，并且在隨后的區(qū)間保持在0V。雖然已經(jīng)在本發(fā)明的前面的詳細(xì)描述中提出了至少一個(gè)示例性的實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解到，存在大量的變形。還應(yīng)該理解，單個(gè)示例性的實(shí)施方式或者多個(gè)示例性的實(shí)施方式僅是實(shí)施例，并非意在以任何方式限制本發(fā)明的范圍、適用性或者配置。相反，前面的詳細(xì)描述將給那些本領(lǐng)域中的技術(shù)人員提供用于實(shí)施本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式的方便的指示，應(yīng)當(dāng)理解，可以做出在示例性的實(shí)施方式中描述的元件的功能和布置上的各種改變而不偏離在所附權(quán)利要求及其合法等同物中闡述的本發(fā)明的范圍。如本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將理解的，本發(fā)明的各方面可以表現(xiàn)為裝置、系統(tǒng)或者方法。相應(yīng)地，本發(fā)明的各方面可以采用全部硬件的實(shí)施方式或者硬件和軟件方面相結(jié)合的實(shí)施方式，本文一般全部稱為“電路”、“模塊”或者“系統(tǒng)”。以上參考按照各種實(shí)施方式的流程圖說明和/或方法、裝置和系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖描述了本發(fā)明的各方面。將理解到，可以由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)施流程圖說明和/或結(jié)構(gòu)圖的每一塊，和流程圖說明和/或結(jié)構(gòu)圖中的多個(gè)塊的組合。這些計(jì)算機(jī)程序指令可以提供給通用計(jì)算機(jī)的處理器、專用計(jì)算機(jī)或者其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置以產(chǎn)生狀態(tài)機(jī)，以使通過計(jì)算機(jī)的處理器或者其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行的指令創(chuàng)建用于實(shí)施在流程圖和/或結(jié)構(gòu)圖方塊中規(guī)定的功能/動(dòng)作的方法。這些計(jì)算機(jī)程序指令還可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以指導(dǎo)計(jì)算機(jī)、其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置或者其它的設(shè)備以特定方式運(yùn)行，以使存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的指令產(chǎn)生包括指令的制造物品，所述指令實(shí)施在流程圖和/或結(jié)構(gòu)圖方框中規(guī)定的功能/動(dòng)作。計(jì)算機(jī)程序指令還可以被加載到計(jì)算機(jī)、其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置或者其它的設(shè)備上以使一系列的操作步驟被實(shí)現(xiàn)在計(jì)算機(jī)、其它的可編程裝置或者其它的設(shè)備上以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的過程，以使執(zhí)行在計(jì)算機(jī)或者其它的可編程裝置上的指令提供用于實(shí)施在流程圖和/或結(jié)構(gòu)圖方框中規(guī)定的功能/動(dòng)作的過程。在以上附圖中的流程圖和結(jié)構(gòu)圖說明了按照各種實(shí)施方式的裝置、系統(tǒng)和方法的可能的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)、功能和操作。就這一點(diǎn)而言，在流程圖或者結(jié)構(gòu)圖中的每一個(gè)方框可以表示模塊、部分或者代碼部分，代碼部分包括用于實(shí)施規(guī)定的邏輯功能的一個(gè)或多個(gè)可執(zhí)行指令。還應(yīng)該注意，在一些可選的實(shí)施方式中，在方框中指示的功能可以不按照附圖中指示的順序發(fā)生。例如，實(shí)際上，示出的兩個(gè)連續(xù)的方框可以實(shí)質(zhì)上同時(shí)執(zhí)行，或者方框有時(shí)可以以相反的順序來執(zhí)行，這取決于所涉及的功能。還將注意，可以由執(zhí)行規(guī)定的功能或動(dòng)作的基于專用硬件的系統(tǒng)或者專用硬件和計(jì)算機(jī)指令的組合來實(shí)施結(jié)構(gòu)圖和/或流程圖說明的每一個(gè)方框和結(jié)構(gòu)圖和/或流程圖說明中的方框的組合。雖然已經(jīng)詳細(xì)地闡述了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將理解的是，可以對那些實(shí)施方式做出修改和改編而不偏離如在以下權(quán)利要求中闡述的各種實(shí)施方式的范圍。