技術(shù)特征：
1.一種用于在多個電壓之間切換的系統(tǒng)，包括：輸出端；第一開關(guān)，其耦合至所述輸出端；第二開關(guān)，其耦合至所述輸出端；耦合至第一電壓源的第一電平位移器和耦合至第二電壓源的第二電平位移器；第一控制傳輸門，其耦合至所述第一開關(guān)并且被配置成通過所述第一電平位移器耦合至所述第一電壓源，以及被配置成通過所述第一電平位移器從所述第一電壓源接收第一負(fù)電壓和正電壓；以及第二控制傳輸門，其耦合至所述第二開關(guān)并且被配置成通過所述第二電平位移器耦合至所述第二電壓源，以及被配置成通過所述第二電平位移器從所述第二電壓源接收第二負(fù)電壓和所述正電壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：所述第一負(fù)電壓包括編程電壓；以及所述第二負(fù)電壓包括偏置電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述第一控制傳輸門、所述第二控制傳輸門、所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)被配置成給所述輸出端提供所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的較小者。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述第一控制傳輸門、所述第二控制傳輸門、所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)被配置成利用所述正電壓給所述輸出端提供所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的較小者。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：所述第一電平位移器包括第一電壓輸出端和第二電壓輸出端；以及所述第一控制傳輸門包括：第一節(jié)點，其耦合至所述第一電壓輸出端，第二節(jié)點，其耦合至所述第二開關(guān)，第一P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管pMOSFET器件，其包括第一柵極、第一源極和第一漏極，所述第一柵極耦合至所述第一開關(guān)，所述第一源極耦合至所述第一節(jié)點，所述第一漏極耦合至所述第二節(jié)點，以及第一N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管nMOSFET器件，其包括第二柵極、第二源極和第二漏極，所述第二柵極耦合至所述第二電壓輸出端，所述第二源極耦合至所述第一節(jié)點，所述第二漏極耦合至所述第二節(jié)點。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中：所述第二電平位移器包括第三電壓輸出端和第四電壓輸出端；以及所述第二控制傳輸門包括：第三節(jié)點，其耦合至所述第三電壓輸出端，第四節(jié)點，其耦合至所述第一開關(guān)，第二pMOSFET器件，其包括第三柵極、第三源極和第三漏極，所述第三柵極耦合至所述第二開關(guān)，所述第三源極耦合至所述第三節(jié)點，所述第三漏極耦合至所述第四節(jié)點，以及第二nMOSFET器件，其包括第四柵極、第四源極和第四漏極，所述第四柵極耦合至所述第四電壓輸出端，所述第四源極耦合至所述第三節(jié)點，所述第四漏極耦合至所述第四節(jié)點。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中：所述第一開關(guān)是包括第五柵極、第五源極和第五漏極的第三nMOSFET器件，所述第五柵極耦合至所述第四節(jié)點，所述第五源極耦合至所述輸出端，所述第五漏極耦合至所述第一柵極；以及所述第二開關(guān)是包括第六柵極、第六源極和第六漏極的第四nMOSFET器件，所述第六柵極耦合至所述第二節(jié)點，所述第六源極耦合至所述輸出端，所述第六漏極耦合至所述第三柵極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中：所述第一pMOSFET器件和所述第二pMOSFET器件是高電壓pMOSFET器件；以及所述第一nMOSFET器件、所述第二nMOSFET器件、所述第三nMOSFET器件和所述第四nMOSFET器件是高電壓nMOSFET器件。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中：所述第一電壓輸出端和所述第二電壓輸出端互補；以及所述第三電壓輸出端和所述第四電壓輸出端互補。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中：所述第一電平位移器包括第一負(fù)電壓輸入端和第一邏輯輸入端；以及所述第二電平位移器包括第二負(fù)電壓輸入端和第二邏輯輸入端。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中：所述第一電平位移器被配置成響應(yīng)于接收邏輯1輸入，通過所述第一電壓輸出端給所述第一節(jié)點提供第一負(fù)電壓和通過所述第二電壓輸出端給所述第二柵極提供正電壓；所述第一電平位移器被配置成響應(yīng)于接收邏輯0輸入，通過所述第一電壓輸出端給所述第一節(jié)點提供所述正電壓和通過所述第二電壓輸出端給所述第二柵極提供所述第一負(fù)電壓；所述第二電平位移器被配置成響應(yīng)于接收邏輯1輸入，通過所述第三電壓輸出端給所述第三節(jié)點提供所述正電壓和通過所述第四電壓輸出端給所述第四柵極提供第二負(fù)電壓；以及所述第二電平位移器被配置成響應(yīng)于接收邏輯0輸入，通過所述第三電壓輸出端給所述第三節(jié)點提供第二負(fù)電壓和通過所述第四電壓輸出端給所述第四柵極提供所述正電壓。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，還包括：反相器，其耦合至所述第一電平位移器和所述第二電平位移器；以及第三電壓源，其被配置成提供所述正電壓，所述第三電壓源耦合至所述第一電平位移器和所述第二電平位移器。13.一種用于在多個電壓之間切換的裝置，包括：耦合至第一開關(guān)和第二開關(guān)的輸出端；第一電平位移器，其被配置成輸出第一對互補電壓，所述第一對互補電壓包括第一負(fù)電壓和正電壓；第二電平位移器，其被配置成輸出第二對互補電壓，所述第二對互補電壓包括第二負(fù)電壓和所述正電壓；第一傳輸門，其耦合至所述第一電平位移器并且被配置成接收所述第一對互補電壓和輸出第一電壓至所述第一開關(guān)；以及第二傳輸門，其耦合至所述第二電平位移器并且被配置成接收所述第二對互補電壓和輸出第二電壓至所述第二開關(guān)，其中所述第一電壓和所述第二電壓構(gòu)成第三對互補電壓，并且所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的較小者被提供給所述輸出端。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中：所述第一傳輸門包括：第一輸入節(jié)點，其被配置成接收所述第一對互補電壓中的一個，第一輸出節(jié)點，第一P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管pMOSFET器件，其包括第一柵極、第一源極和第一漏極，所述第一源極耦合至所述第一輸入節(jié)點，所述第一漏極耦合至所述第一輸出節(jié)點，以及第一N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管nMOSFET器件，其包括第二柵極、第二源極和第二漏極，所述第二柵極被配置成接收所述第一對互補電壓中的另一個，所述第二源極耦合至所述第一輸入節(jié)點，所述第二漏極耦合至所述第一輸出節(jié)點；以及所述第二傳輸門包括：第二輸入節(jié)點，其被配置成接收所述第二對互補電壓中的一個，第二輸出節(jié)點，第二nMOSFET器件，其包括第三柵極、第三源極和第三漏極，所述第三柵極被配置成接收所述第二對互補電壓中的另一個，所述第三源極耦合至所述第二輸入節(jié)點，所述第三漏極耦合至所述第二輸出節(jié)點，以及第二pMOSFET器件，其包括第四柵極、第四源極和第四漏極，所述第四源極耦合至所述第二輸入節(jié)點，所述第四漏極耦合至所述第二輸出節(jié)點。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中：所述第三對互補電壓包括第三負(fù)電壓和所述正電壓。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中：所述正電壓在1.6V和1.95V之間，包括兩端點；所述第一負(fù)電壓在-4.5V和-3.0V之間，包括兩端點；所述第二負(fù)電壓在-2.2V和-1.0V之間，包括兩端點；以及所述第三負(fù)電壓是所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的一個。17.一種用于在多個電壓之間切換的方法，包括：響應(yīng)于邏輯信號輸出第一對互補電壓和第二對互補電壓；在第一傳輸門接收所述第一對互補電壓；在第二傳輸門接收所述第二對互補電壓；選擇這兩對互補電壓中的最小電壓；以及輸出包括所述最小電壓的第三對互補電壓。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中：接收所述第一對互補電壓包括接收第一負(fù)電壓和正電壓；接收所述第二對互補電壓包括接收第二負(fù)電壓和所述正電壓；選擇所述最小電壓包括選擇所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的較小者；以及輸出所述第三對互補電壓包括輸出所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的一個以及所述正電壓。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：在第一開關(guān)接收所輸出的所述正電壓；在第二開關(guān)接收所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中被輸出的一個；以及輸出所述第一負(fù)電壓和所述第二負(fù)電壓中的所述一個。