本發(fā)明涉及布線基板的制造方法以及布線基板。

背景技術(shù)：
日本特開平9-321434號(hào)公報(bào)中記載了用于電子部件安裝的多層布線基板的現(xiàn)有例。多層布線基板具有配置于芯基板兩面的多個(gè)絕緣層以及多個(gè)布線層。在這種布線基板中，例如在芯基板的各個(gè)面上設(shè)置相同數(shù)量的絕緣層以及布線層。在布線基板的上表面形成保護(hù)膜，從該保護(hù)膜的開口露出的布線圖案的一部分作為用于將半導(dǎo)體裝置（LSI）等電子部件連接的電極使用。從形成于布線基板的下表面的保護(hù)膜的開口露出的布線圖案的一部分作為將布線基板連接到安裝基板上的電極使用。上述的布線基板、例如在芯基板的上方搭載半導(dǎo)體芯片并在芯基板的下方連接安裝基板的布線基板中，在上方和下方之間，在布線圖案的布線密度方面產(chǎn)生差。該密度差是布線基板翹曲的要因之一。產(chǎn)生了翹曲的布線基板會(huì)阻礙將布線基板的電極和半導(dǎo)體裝置的電極相互連接。也就是說，引起布線基板與半導(dǎo)體裝置之間的連接不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于，提供一種可減少連接不良的布線基板制造方法以及布線基板。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種方式，提供一種布線基板的制造方法，包括：在芯基板的第1面上交替層積多個(gè)第1布線圖案和多個(gè)第1絕緣層，在所述芯基板的位于所述第1面相反側(cè)的第2面上交替層積多個(gè)第2布線圖案和多個(gè)第2絕緣層，將所述第2絕緣層之中的最外層的第2絕緣層除外的所述第2絕緣層的數(shù)量與所述第1絕緣層的數(shù)量不同；在所述第1絕緣層之中的最外層的第1絕緣層上形成通孔，使所述第1布線圖案之中的最外層的第1布線圖案的一部分露出；將所述最外層的第2絕緣層薄化，使所述第2布線圖案之中的最外層的第2布線圖案露出；形成第1晶種層和第2晶種層，所述第1晶種層將所述最外層的第1絕緣層、所述露出的最外層的第1布線圖案、以及所述通孔的內(nèi)表面覆蓋，所述第2晶種層將所述最外層的第2絕緣層以及所述露出的最外層的第2布線圖案覆蓋；形成第1抗蝕層和第2抗蝕層，所述第1抗蝕層將所述第1晶種層覆蓋并且在與所述通孔對(duì)應(yīng)的位置具有開口，所述第2抗蝕層將所述第2晶種層覆蓋；利用所述第1晶種層，在所述通孔內(nèi)形成電柱，在所述最外層的第1絕緣層上形成通過所述電柱與所述最外層的第1布線圖案連接的布線圖案；以及將所述第1抗蝕層和所述第2抗蝕層去除，將在所述最外層的第1絕緣層上露出的所述第1晶種層和所述第2晶種層去除。本發(fā)明的另一方式，通過一種布線基板的制造方法，包括：在芯基板的第1面上交替層積多個(gè)第1布線圖案和多個(gè)第1絕緣層，在所述芯基板的位于所述第1面相反側(cè)的第2面上交替層積多個(gè)第2布線圖案和多個(gè)第2絕緣層，將所述第2絕緣層之中的最外層的第2絕緣層除外的所述第2絕緣層的數(shù)量與所述第1絕緣層的數(shù)量不同；在所述第1絕緣層之中的最外層的第1絕緣層上形成通孔，使所述第1布線圖案之中的最外層的第1布線圖案的一部分露出；在所述通孔內(nèi)形成電柱，并且在所述最外層的第1絕緣層上形成通過所述電柱與所述最外層的第1布線圖案連接的布線圖案；將所述最外層的第2絕緣層薄化，使所述第2布線圖案之中的最外層的第2布線圖案露出。本發(fā)明的又一方式，提供一種布線基板，具備：芯基板，包含第1面和該第1面相反側(cè)的第2面；在所述芯基板的所述第1面上交替層積的多個(gè)布線圖案和多個(gè)絕緣層；在所述芯基板的所述第2面上交替層積的多個(gè)布線圖案和多個(gè)絕緣層，在所述第2面上層積的所述絕緣層的數(shù)量比在所述第1面上層積的絕緣層的數(shù)量少；以及絕緣膜，將層積在所述第2面上的所述絕緣層之中的最外層的絕緣層的表面覆蓋，并且使層積在所述第2面上的所述布線圖案之中的最外層的布線圖案的表面露出。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，能夠提供一種可減少連接不良的布線基板的制造方法以及布線基板。通過以下說明結(jié)合附圖示例性地闡釋本發(fā)明的原理，將清楚本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)。通過參考目前優(yōu)選實(shí)施例的以下說明及其附圖可最好地理解本發(fā)明及其目的和優(yōu)點(diǎn)。附圖說明圖1是表示半導(dǎo)體裝置的概略剖視圖。圖2A～2D、3A-3E、以及4A～4E是表示布線基板的制造工序的概略剖視圖。圖5A～5C是表示其他布線基板的制造工序的概略剖視圖。圖6是表示其他布線基板的概略剖視圖。圖7是表示其他布線基板的概略剖視圖。具體實(shí)施方式下面參照附圖來說明一實(shí)施方式。并且，附圖用于說明概要結(jié)構(gòu)，并不表示實(shí)際的大小、比率。如圖1所示，半導(dǎo)體裝置10（半導(dǎo)體封裝體）包括布線基板11和搭載在該布線基板11的表面（圖1中上表面）上的半導(dǎo)體芯片12。布線基板11包括芯基板21。例如，芯基板21是所謂的玻璃環(huán)氧基板，通過使在作為加強(qiáng)材的玻璃纖維布（玻璃織布）中含浸的、作為主要成分含有環(huán)氧樹脂的熱固性的絕緣性樹脂固化而成。芯基板21包括第1面（圖1中的上表面21a）和位于第1面相反側(cè)的第2面（圖1中的下表面21b）。在芯基板21的預(yù)定位置上形成有將芯基板21的上表面21a和下表面21b之間貫穿的多個(gè)貫穿孔22。在貫穿孔22內(nèi)形成有將芯基板21的上表面21a與下表面21b之間貫穿的貫穿電極23。貫穿電極23的材料為例如銅（Cu）。在芯基板21的上表面21a依次層積有布線圖案41、絕緣層31、布線圖案42、絕緣層32、布線圖案43、絕緣層33、布線圖案44。在芯基板21的下表面21b依次層積有布線圖案61、絕緣層51、布線圖案62、絕緣層52、布線圖案63。因此，在本實(shí)施方式的布線基板11中，芯基板21的上方的絕緣層以及布線圖案的層數(shù)與芯基板21的下方的絕緣層以及布線圖案的層數(shù)互不相同。絕緣層31～33以及絕緣層51、52的材料為例如環(huán)氧樹脂類的絕緣樹脂。布線圖案41～44以及布線圖案61～63的材料為例如銅。布線圖案42通過將絕緣層31的上表面與下表面之間貫穿的電柱45a而與布線圖案41電氣連接。同樣地，布線圖案43通過電柱45b而與布線圖案42電氣連接，布線圖案44通過電柱45c而與布線圖案43電氣連接。最外層的絕緣層33的表面以及布線圖案44的表面被阻焊層（solderresist）等保護(hù)膜71覆蓋。在保護(hù)膜71的預(yù)定位置上形成有開口71a，布線圖案44作為與半導(dǎo)體芯片12連接的電極44a而從開口71a形成。在電極44a上倒裝接合有半導(dǎo)體芯片12的凸點(diǎn)（bump）12a。在半導(dǎo)體芯片12與布線基板11的保護(hù)膜71之間填充有底部填充樹脂（underfillresin）。該底部填充樹脂13提高電極44a與凸點(diǎn)12a之間的連接強(qiáng)度。另外，底部填充樹脂13能夠抑制布線圖案44的腐蝕等，防止布線基板11與半導(dǎo)體芯片12之間的連接的信賴性下降。底部填充樹脂13的材料為例如環(huán)氧樹脂。在芯基板21的下方側(cè)，布線圖案62通過將絕緣層51的上表面與下表面之間貫穿的電柱65a而與布線圖案61電氣連接。同樣地，布線圖案63通過電柱65b而與布線圖案62電氣連接。在絕緣層52的表面形成有絕緣膜53a。絕緣膜53a將布線圖案63之間、布線圖案63與絕緣層52的端部之間覆蓋。絕緣膜53a的膜厚與布線圖案63的厚度相等。絕緣膜53a的表面與布線圖案63的表面齊平。絕緣膜53a的材料為例如環(huán)氧樹脂類的絕緣樹脂。絕緣膜53a的表面以及布線圖案63的表面被阻焊層等保護(hù)膜72覆蓋。在保護(hù)膜72的預(yù)定位置上形成有開口72a，布線圖案63作為外部連接用墊63a從開口72a露出。半導(dǎo)體裝置10在外部連接用墊63a通過凸點(diǎn)（焊球等）與安裝基板（省略圖示）連接的狀態(tài)下被安裝到安裝基板上。在布線基板11中，芯基板21的上方的絕緣層31～33的層數(shù)比芯基板21的下方的絕緣層51、52的層數(shù)多。通過像這樣使上方的絕緣層31～33和下方的絕緣層51、52之間的層數(shù)不同，能夠利用因制造時(shí)的固化收縮而產(chǎn)生的絕緣層31～33以及絕緣層51、52的體積變化來調(diào)整布線基板11的翹曲。另外，在布線基板11中，芯基板21的上方的布線圖案41～44的層數(shù)比芯基板21的下方的布線圖案61～63的層數(shù)多。例如，布線圖案41～44根據(jù)半導(dǎo)體芯片12的凸點(diǎn)12a的數(shù)量以及間距細(xì)致地進(jìn)行圖案形成。另一方面，布線圖案61～63是為了向安裝基板傳輸信號(hào)、以及為了設(shè)置具有接地水平的電位的接地層（groundplane）或相對(duì)于接地電位具有預(yù)定電位的電源層而形成的。接地層以及電源層以在芯基板21的整個(gè)下表面21b上擴(kuò)散的方式圖案形成（無縫隙地進(jìn)行圖案形成）。也就是說，上方的布線圖案41～44具有與下方的布線圖案61～63不同的布線密度。因此，通過上方的布線圖案41～44和下方的布線圖案61～63之間的層數(shù)的不同，能夠調(diào)整布線基板11的翹曲。在布線基板11中，芯基板21的上方的布線圖案41～44以及絕緣層31～33的層數(shù)和芯基板21的下方的布線圖案61～63以及絕緣層51、52的層數(shù)被決定成使得布線基板11的翹曲為與半導(dǎo)體芯片12相適應(yīng)的形狀。因此，通過使布線基板11的翹曲符合半導(dǎo)體芯片12，從而布線基板11的電極44a與半導(dǎo)體芯片12的凸點(diǎn)12a之間的連接信賴性提高。另外，布線圖案以及絕緣層的層數(shù)根據(jù)變更層數(shù)來計(jì)測到的布線基板11的翹曲的結(jié)果、或者仿真結(jié)果等來決定。接著，說明布線基板11的制造方法。在圖1所示的布線基板11的制造方法中，使用圖2A所示的芯基板21。芯基板21是例如玻璃環(huán)氧基板。在芯基板21上形成貫穿孔22，在貫穿孔22內(nèi)形成貫穿電極23。貫穿電極23的形成使用例如電解電鍍法。接著，在芯基板21的上表面21a形成與貫穿電極23的一端連接的布線圖案41，在芯基板21的下表面21b形成與貫穿電極23的另一端連接的布線圖案61。布線圖案41、61的形成使用例如半加成法（SemiAdditiveProcess）或減成法（SubtractiveProcess）。接著，如圖2B所示，在芯基板21的上表面21a形成絕緣層31，在芯基板21的下表面21b形成絕緣層51。例如，用樹脂膜對(duì)芯基板21的兩面21a、21b進(jìn)行了層壓之后，一邊對(duì)樹脂膜進(jìn)行按壓一邊實(shí)施熱處理，使樹脂膜固化，從而形成絕緣層31、51。絕緣層31、51的厚度為例...