技術(shù)特征：
1.一種信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，包括：數(shù)據(jù)鏈路，包括初級(jí)通道，初級(jí)通道可切換地可連接于至少兩個(gè)次級(jí)通道；基于FET的開(kāi)關(guān)，包括FET晶體管，F(xiàn)ET晶體管具有柵極端、背柵端、源極端和漏極端，基于FET的開(kāi)關(guān)配置為在柵極端響應(yīng)控制信號(hào)而運(yùn)行于信號(hào)通過(guò)模式，在信號(hào)通過(guò)模式中，通過(guò)在源極端和漏極端之間將信號(hào)的第一部分耦合，以及由于與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容上的交流耦合而分流交流信號(hào)的另一部分，從而在源極端和漏極端之間通過(guò)交流信號(hào)，和運(yùn)行于另一模式，在所述另一模式中源極端與漏極端之間的信號(hào)傳輸被實(shí)質(zhì)性阻斷；偏置電路，配置為以跟隨器信號(hào)偏置FET晶體管的背柵端，并抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載；以及襯底，其中與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容由直流電壓偏置通過(guò)電阻被抵消，電阻位于為傳輸?shù)奖硸哦说碾娏鞯拇?lián)電阻路徑中，從而為背柵端提供高通濾波器。2.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：固有電容分別導(dǎo)致到基于FET的開(kāi)關(guān)的柵鄰近側(cè)、以及到基于FET的開(kāi)關(guān)的離襯底更近另一側(cè)的交流耦合，其中偏置電路進(jìn)一步配置為通過(guò)信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路來(lái)驅(qū)動(dòng)背柵端，以利用驅(qū)動(dòng)背柵端來(lái)偏置FET晶體管的背柵端。3.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括控制器電路，控制器電路配置為在柵極端選擇性地生成控制信號(hào)，以控制工作模式和控制致動(dòng)電壓施加到偏置電路上，從而根據(jù)受控的工作模式在背柵端上選擇性地發(fā)生電壓偏置。4.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，偏置電路進(jìn)一步配置為通過(guò)被動(dòng)地偏置背柵端來(lái)偏置FET晶體管的背柵端；或通過(guò)進(jìn)一步地包括直流偏置信號(hào)，直流偏置信號(hào)電性地耦合以向背柵端提供直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載。5.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，偏置電路進(jìn)一步配置為通過(guò)被動(dòng)地將背柵端向參考電壓偏置，從而從源極端向漏極端所看到的有效地使信號(hào)負(fù)載的阻抗影響由與基于FET的開(kāi)關(guān)有關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載的抵消，以偏置FET晶體管的背柵端。6.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，偏置電路進(jìn)一步配置為通過(guò)信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)背柵端，以利用驅(qū)動(dòng)背柵端來(lái)偏置FET晶體管的背柵端。7.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括P型襯底和其中的P型電阻區(qū)，P型電阻區(qū)配置為通過(guò)電流，以在位于相鄰于P型襯底的P型阱區(qū)中的背柵端上發(fā)生直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載。8.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括電阻，電阻配置為通過(guò)電流，以在位于隔離阱區(qū)中的背柵端上發(fā)生直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載。9.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括襯底、第一電阻和第二電阻；第一電阻配置為通過(guò)電流，以向位于隔離阱區(qū)中的背柵端提供直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載；第二電阻配置為偏置N型隔離層，N型隔離層在P型阱區(qū)下圍繞著P型阱區(qū)，其包括背柵端以將P型阱區(qū)與襯底隔離，從而有利于降低在高頻的信號(hào)的負(fù)載。10.如權(quán)利要求9所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括深N阱區(qū)，深N阱區(qū)配置為與P型阱區(qū)形成結(jié)，背柵端在P型阱區(qū)中接收由第一電阻傳輸?shù)碾娏?，以發(fā)生直流電壓偏置，其中第二電阻配置為向深N阱區(qū)傳輸電流以向深N阱區(qū)中提供另一直流偏置電壓。11.一種信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，包括：復(fù)用器，配置為可切換地連接數(shù)據(jù)鏈路，數(shù)據(jù)鏈路包括初級(jí)通道與兩個(gè)次級(jí)通道；襯底；對(duì)于每個(gè)通道，基于FET的開(kāi)關(guān)包括FET晶體管，F(xiàn)ET晶體管包括柵極端、背柵端、源極端和漏極端，該基于FET的開(kāi)關(guān)配置為在柵極端響應(yīng)控制信號(hào)而運(yùn)行于信號(hào)通過(guò)模式，在信號(hào)通過(guò)模式中，通過(guò)在源極端和漏極端之間將信號(hào)的第一部分耦合，以及由于與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容上的交流耦合而分流交流信號(hào)的另一部分，從而在源極端和漏極端之間通過(guò)交流信號(hào)，和運(yùn)行于另一模式，在所述另一模式中源極端與漏極端之間的信號(hào)傳輸被實(shí)質(zhì)性阻斷；偏置電路，配置為以跟隨器信號(hào)偏置FET晶體管的背柵端，其中，響應(yīng)于在柵極端的控制信號(hào)，所述初級(jí)通道連接所述數(shù)據(jù)鏈路的兩個(gè)次級(jí)通道中的一個(gè)，偏置電路偏置FET晶體管的背柵端以抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載；以及襯底，其中與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容通過(guò)電阻由直流電壓偏置被抵消，電阻位于為傳輸?shù)奖硸哦说碾娏鞯拇?lián)電阻路徑中，從而為背柵端提供高通濾波器。12.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：跟隨器信號(hào)追蹤于交流信號(hào)的第一部分，并進(jìn)一步包括直流偏置信號(hào)，直流偏置信號(hào)電性地耦合以在背柵端發(fā)生直流電壓偏置，并從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載。13.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：固有電容分別導(dǎo)致到基于FET的開(kāi)關(guān)的柵鄰近側(cè)、以及到基于FET的開(kāi)關(guān)的離襯底更近另一側(cè)的交流耦合。14.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：偏置電路進(jìn)一步配置為通過(guò)信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路以跟隨器信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)背柵端，以利用驅(qū)動(dòng)背柵端來(lái)偏置FET晶體管的背柵端。15.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括襯底和電阻，電阻配置為通過(guò)電流，以在位于鄰近襯底的隔離阱區(qū)中的背柵端上發(fā)生直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載。16.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括電阻，電阻配置為通過(guò)電流，以在位于隔離阱區(qū)中的背柵端上發(fā)生直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載。17.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括第一電阻和第二電阻；第一電阻配置為通過(guò)電流，以向位于隔離阱區(qū)中的背柵端提供直流電壓偏置，從而助利于抵消由與基于FET的開(kāi)關(guān)相關(guān)的固有電容所引起的負(fù)載；并進(jìn)一步包括深N阱區(qū)，深N阱區(qū)配置為與P型阱區(qū)形成結(jié)，P型阱區(qū)包括背柵端；第二電阻配置為向深N阱區(qū)傳輸電流以向深N阱區(qū)中提供另一直流偏置電壓。18.如權(quán)利要求17所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，進(jìn)一步包括電荷泵，電荷泵配置為向深N阱區(qū)提供偏置電壓。19.如權(quán)利要求18所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：進(jìn)一步包括電荷泵，電荷泵配置為通過(guò)第二電阻向深N阱區(qū)提供偏置電壓，所述偏置電壓高于信號(hào)開(kāi)關(guān)電路的正供電電壓。20.如權(quán)利要求17所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：進(jìn)一步包括電荷泵，電荷泵配置為向包含背柵端的P型阱區(qū)提供偏置電壓。21.如權(quán)利要求20所述的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于：通過(guò)電荷泵提供的偏置電壓為負(fù)電壓。