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占空比調(diào)整電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):12620926閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種占空比調(diào)整電路,其特征在于,包括:與門、可控延遲單元、占空比檢測(cè)單元、動(dòng)態(tài)比較器和電荷泵;

所述與門的第一輸入端適于輸入第一時(shí)鐘信號(hào),所述與門的第二輸入端適于輸入第二時(shí)鐘信號(hào),所述與門的輸出端適于輸出第三時(shí)鐘信號(hào);

所述占空比檢測(cè)單元適于根據(jù)所述第三時(shí)鐘信號(hào)輸出檢測(cè)電壓,所述檢測(cè)電壓的電壓值與所述第三時(shí)鐘信號(hào)的占空比相關(guān);

所述動(dòng)態(tài)比較器的第一輸入端適于輸入所述檢測(cè)電壓,所述動(dòng)態(tài)比較器的第二輸入端適于輸入基準(zhǔn)電壓,所述動(dòng)態(tài)比較器的輸出端連接所述電荷泵的輸入端;

所述電荷泵的輸出端適于輸出調(diào)整電壓;

所述可控延遲單元適于根據(jù)所述調(diào)整電壓延遲所述第一時(shí)鐘信號(hào)以獲得所述第二時(shí)鐘信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述電荷泵包括:第一PMOS管、第一NMOS管、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一電容和第二電容;

所述第一PMOS管的源極連接電源電壓,所述第一PMOS管的漏極連接所述第一NMOS管的漏極和第一開關(guān)的第一端,所述第一PMOS管的柵極連接所述第一NMOS管的柵極后作為所述電荷泵的輸入端;

所述第一開關(guān)的第二端連接所述第二開關(guān)的第一端和所述第一電容的第一端;

所述第二開關(guān)的第二端連接所述第二電容的第一端后作為所述電荷泵的輸出端;

所述第一NMOS管的源極連接所述第一電容的第二端和所述第二電容的第二端和地電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述第一開關(guān)包括:第二PMOS管和第二NMOS管;

所述第二PMOS管的漏極連接所述第二NMOS管的漏極后作為所述第一開關(guān)的第一端。所述第二PMOS管的源極連接所述第二NMOS管的源極后作 為所述第一開關(guān)的第二端。

4.如權(quán)利要求2所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述第二開關(guān)包括:第三PMOS管和第三NMOS管;

所述第三PMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的漏極后作為所述第二開關(guān)的第一端。所述第三PMOS管的源極連接所述第三NMOS管的源極后作為所述第二開關(guān)的第二端。

5.如權(quán)利要求2所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述第一開關(guān)的控制信號(hào)和所述第二開關(guān)的控制信號(hào)均與所述第一時(shí)鐘信號(hào)頻率相同。

6.如權(quán)利要求5所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述第一開關(guān)的控制信號(hào)是所述第二開關(guān)的控制信號(hào)的反相信號(hào)。

7.如權(quán)利要求1所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述占空比檢測(cè)單元包括:濾波電阻和濾波電容;

所述濾波電阻的第一端適于輸入所述第三時(shí)鐘信號(hào),所述濾波電阻的第二端連接所述濾波電容的第一端并適于輸入所述檢測(cè)電壓;

所述濾波電容的第二端接地。

8.如權(quán)利要求1所述的占空比調(diào)整電路,其特征在于,所述動(dòng)態(tài)比較器包括:第一反相器、第二反相器、第一與非門、第二與非門、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管;

所述第一反相器的輸出端連接第一與非門的第一輸入端;所述第二反相器的輸出端連接第二與非門的第一輸入端;所述第一與非門的第二輸入端連接第二與非門的輸出端;所述第二與非門的第二輸入端連接所述第一與非門的輸出端后作為所述動(dòng)態(tài)比較器的輸出端;

所述第四PMOS管的源極連接電源電壓VDD,所述第四PMOS管的漏極連接第五PMOS管的源極和第六PMOS管的源極;

所述第五PMOS管的柵極適于輸入所述檢測(cè)電壓VD,所述第五PMOS 管的漏極連接所述第七PMOS管的源極和第四NMOS管的漏極;

所述第六PMOS管的柵極適于輸入所述基準(zhǔn)電壓VREF,所述第六PMOS管的漏極連接所述第八PMOS管的源極和第九NMOS管的漏極;

所述第四NMOS管的源極連接所述第五NMOS管的源極、第六NMOS管的源極、第七NMOS管的源極、第八NMOS管的源極和第九NMOS管的源極;

所述第七PMOS管的柵極連接第六NMOS管的柵極、第八PMOS管的漏極、第七NMOS管的漏極、第八NMOS管的漏極和所述第一反相器的輸入端,所述第七PMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的漏極、第六NMOS管的漏極、第八PMOS管的柵極、第七NMOS管的柵極和所述第二反相器的輸入端;

所述第四PMOS管的柵極、第四NMOS管的柵極、第五NMOS管的柵極、第八NMOS管的柵極和第九NMOS管的柵極均適于輸入時(shí)鐘信號(hào)。

9.一種模數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng),其特征在于,包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器和權(quán)利要求1至8任一權(quán)利要求所述的占空比調(diào)整電路,所述占空比調(diào)整電路提供所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器所需的時(shí)鐘信號(hào)。

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