技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及用于MOS的自適應(yīng)本體偏置的動態(tài)閾值發(fā)生器，具體涉及一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括一個具有本體的晶體管和一個本體偏置電路。該本體偏置電路包括用于估計該晶體管的閾值電壓的一個閾值估計電路和用于將該晶體管的該閾值電壓與一個參考閾值電壓進(jìn)行比較并基于此產(chǎn)生一個比較信號的一個比較電路。一個偏置調(diào)整電路根據(jù)該比較信號產(chǎn)生對該晶體管的本體進(jìn)行偏置的一個本體偏置電壓，該本體偏置電壓是當(dāng)其被施加于該晶體管的本體上時將其閾值電壓調(diào)整為等于該參考閾值電壓的一個電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：陳敏;劉文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司
文檔號碼：201510472776
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.04
技術(shù)公布日：2017.05.24