本發(fā)明涉及一種用于封裝電子元件的電子元件封裝用層疊片以及電子器件的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，作為電子器件的顯示器裝置，有機(jī)EL(Electro Luminescence)顯示裝置被廣泛使用。通常，該有機(jī)EL顯示裝置是通過用封裝材料封裝基板上的有機(jī)EL元件來制造的。

例如，在專利文獻(xiàn)1中所記載的方法中，在形成有多個有機(jī)EL元件的整個玻璃基板上，粘貼具有光硬化性樹脂層的板片狀封裝材料，并通過紫外線照射使光硬化性樹脂硬化。然后，按各有機(jī)EL元件進(jìn)行分割，獲得由已硬化的光硬化性樹脂來封裝有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置。

并且，例如，專利文獻(xiàn)2中所記載的方法中，在形成有多個有機(jī)EL元件的整個基板上制作封裝膜，接著，通過激光的照射來去除與有機(jī)EL元件的端子部對應(yīng)的部份的封裝膜。然后，按各有機(jī)EL元件進(jìn)行分割，獲得由封裝膜來封裝有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利公開2004-139977號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利公開2006-66364號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

在專利文獻(xiàn)1中記載的方法中，需要另外去除與有機(jī)EL元件的端子部對應(yīng)的部份的封裝材料。另外，由于封裝材料整體形成于玻璃基板上，因此按各有機(jī)EL元件進(jìn)行分割時，有可能損傷封裝材料。

另一方面，在專利文獻(xiàn)2中記載的方法中，通過激光照射而去除與有機(jī)EL元件的端子部對應(yīng)的部份的封裝膜，但該方法中，有可能損傷有機(jī)EL元件的端子部，或者封裝膜有可能殘留于有機(jī)EL元件的端子部，從而在有機(jī)EL顯示裝置的可靠性方面存在問題。進(jìn)而，由于需要激光照射工序，因此制造成本提高。進(jìn)一步地，由于封裝膜整體形成于玻璃基板上，因此按各有機(jī)EL元件進(jìn)行分割時，有可能損傷封裝膜。

上述的問題并不限定于有機(jī)EL顯示裝置，在需要封裝的其它種類的顯示裝置、其它電子器件，例如太陽能電池模塊等中也同樣構(gòu)成問題。

本發(fā)明是鑒于這種實(shí)際情況而完成的，其目的在于提供一種能夠高效地制造可靠性高的電子器件的方法。

(二)技術(shù)方案

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方式提供一種電子元件封裝用層疊片(發(fā)明1)，其特征在于，具備：長尺寸的剝離片；以及封裝材料，其在所述長尺寸的剝離片上、多個層疊于彼此不同的位置，且具有對應(yīng)于被封裝件即電子元件的形狀(發(fā)明1)。另外，在本說明書中，“板片”包含膠帶的概念。

根據(jù)上述發(fā)明(發(fā)明1)，能夠使用預(yù)先形成為與電子元件對應(yīng)的形狀的封裝材料來封裝該電子元件，因此例如，無需去除與有機(jī)EL元件等電子元件的端子部對應(yīng)的部份的封裝材料，不會因去除操作而損傷電子元件的端子部，且封裝材料也不會殘留于電子元件的端子部，另外，將在基材上被封裝的多個電子元件，按各電子元件進(jìn)行分割時，也不會損傷封裝材料。從而，根據(jù)上述發(fā)明(發(fā)明1)，能夠高效地制造可靠性高的電子器件。

上述發(fā)明(發(fā)明1)中，優(yōu)選在所述長尺寸的剝離片的寬度方向兩側(cè)部設(shè)置有保護(hù)材料，所述封裝材料設(shè)置于所述長尺寸的剝離片上的、與所述保護(hù)材料不同的位置(發(fā)明2)。

上述發(fā)明(發(fā)明2)中，優(yōu)選所述保護(hù)材料的厚度與所述封裝材料的厚度相同，或者比所述封裝材料厚(發(fā)明3)。

上述發(fā)明(發(fā)明2、3)中，優(yōu)選所述保護(hù)材料由與所述封裝材料相同的材料構(gòu)成(發(fā)明4)。

上述發(fā)明(發(fā)明1)中，也可以在所述封裝材料的、與所述剝離片側(cè)相反的一側(cè)，層疊具有與被封裝件即電子元件對應(yīng)的形狀的阻氣性薄膜(發(fā)明5)。

上述發(fā)明(發(fā)明5)中，優(yōu)選在所述長尺寸的剝離片的寬度方向兩側(cè)部設(shè)置有保護(hù)材料，所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體設(shè)置于所述長尺寸的剝離片上的、與所述保護(hù)材料不同的位置(發(fā)明6)。

上述發(fā)明(發(fā)明6)中，優(yōu)選所述保護(hù)材料的厚度與所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體的厚度相同，或者比所述層疊體厚(發(fā)明7)。

上述發(fā)明(發(fā)明6、7)中，優(yōu)選所述保護(hù)材料由與所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體相同的材料構(gòu)成(發(fā)明8)。

上述發(fā)明(發(fā)明1～4)中，優(yōu)選在所述封裝材料的、與所述剝離片側(cè)相反的一側(cè)，層疊第二長尺寸的剝離片(發(fā)明9)。

上述發(fā)明(發(fā)明1～9)中，優(yōu)選所述封裝材料至少在所述長尺寸的剝離片的長度方向上設(shè)置有多個(發(fā)明10)。

上述發(fā)明(發(fā)明10)中，所述封裝材料也可以在所述長尺寸的剝離片的寬度方向上設(shè)置有多個(發(fā)明11)。

上述發(fā)明(發(fā)明1～11)中，優(yōu)選被封裝件即所述電子元件為有機(jī)EL元件(發(fā)明12)。

上述發(fā)明(發(fā)明1～12)中，優(yōu)選所述封裝材料由選自酸改性聚烯烴類樹脂、硅烷改性聚烯烴類樹脂、離聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及橡膠類樹脂的組中的至少一種構(gòu)成(發(fā)明13)。

上述發(fā)明(發(fā)明1～13)中，優(yōu)選所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體，在厚度50μm換算的、溫度40℃、相對濕度90％RH的環(huán)境下的水蒸氣透過率為20g/(m2·day)以下(發(fā)明14)。

本發(fā)明的第二方式提供一種所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明4)的制造方法，其特征在于，在所述長尺寸的剝離片的一面，以與所述剝離片大致相同的大小，形成由構(gòu)成所述封裝材料的材料構(gòu)成的封裝材料層，并將所述封裝材料層進(jìn)行半切，去除多余的部份，以形成所述封裝材料及所述保護(hù)材料(發(fā)明15)。

本發(fā)明的第三方式提供一種所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明8)的制造方法，其特征在于，在所述長尺寸的剝離片的一面，以與所述剝離片大致相同的大小，將由構(gòu)成所述封裝材料的材料構(gòu)成的封裝材料層和由構(gòu)成所述阻氣性薄膜的材料構(gòu)成的阻氣材料層按上述順序?qū)盈B形成，并將所述阻氣材料層以及封裝材料層進(jìn)行半切，去除多余的部份，以形成所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體、以及所述保護(hù)材料(發(fā)明16)。

本發(fā)明的第四方式是提供一種電子器件的制造方法，其特征在于，在所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明1～4)中的所述封裝材料的與所述剝離片側(cè)相反的一側(cè)，層疊具有與被封裝件即電子元件對應(yīng)的形狀的阻氣性薄膜，并從所述剝離片剝離所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體，以使所述封裝材料接觸到被封裝件即電子元件的方式，將所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體疊加于所述電子元件，并封裝所述電子元件(發(fā)明17)。

本發(fā)明的第五方式提供一種電子器件的制造方法，其特征在于，將所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明1～4)中的所述封裝材料疊加于被封裝件即電子元件，并在任意階段從所述封裝材料剝離所述剝離片，在所述封裝材料的與所述電子元件側(cè)相反的一側(cè)，層疊具有與被封裝件即電子元件對應(yīng)的形狀的阻氣性薄膜，并封裝所述電子元件(發(fā)明18)。

本發(fā)明的第六方式提供一種電子器件的制造方法，其特征在于，準(zhǔn)備阻氣性薄膜層疊片，該阻氣性薄膜層疊片通過具有與被封裝件即電子元件對應(yīng)的形狀的阻氣性薄膜，以與所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明1～4)中的所述長尺寸的剝離片上的所述封裝材料相同地排列，并多個層疊于長尺寸的支撐片上而成，層疊所述電子元件封裝用層疊片中的所述長尺寸的剝離片上的所述封裝材料和所述阻氣性薄膜層疊片中的所述長尺寸的支撐片上的所述阻氣性薄膜，從所述封裝材料剝離所述剝離片，以使所述封裝材料接觸到被封裝件即電子元件的方式，將所述支撐片上的所述阻氣性薄膜及所述封裝材料的層疊體疊加于所述電子元件，并封裝所述電子元件，在任意階段從所述阻氣性薄膜剝離所述支撐片(發(fā)明19)。

本發(fā)明的第七方式提供一種電子器件的制造方法，其特征在于，在所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明1～4)中的所述封裝材料的與所述剝離片側(cè)相反的一側(cè)層疊長尺寸的阻氣性薄膜，并從所述封裝材料剝離所述剝離片，將所述長尺寸的阻氣性薄膜上的所述封裝材料疊加于所述電子元件，并封裝所述電子元件，將所述長尺寸的阻氣性薄膜切割成對應(yīng)于所述電子元件的形狀，并去除不需要的部份(發(fā)明20)。

本發(fā)明的第八方式提供一種電子器件的制造方法，其特征在于，從所述剝離片剝離所述電子元件封裝用層疊片(發(fā)明5～8)中的所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體，以使所述封裝材料接觸到被封裝件即電子元件的方式，將所述封裝材料及所述阻氣性薄膜的層疊體疊加于所述電子元件，并封裝所述電子元件(發(fā)明21)。

(三)有益效果

根據(jù)本發(fā)明的電子元件封裝用層疊片及電子器件的制造方法，能夠高效地制造可靠性高的電子器件。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片的立體圖。

圖2中，(a)是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片的平面圖，(b)是同一電子元件封裝用層疊片的剖面圖((a)的A-A剖面圖)。

圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片的立體圖。

圖4中，(a)是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片的平面圖，(b)是同一電子元件封裝用層疊片的剖面圖((a)的B-B剖面圖)。

圖5是本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片的平面圖。

圖6是對本發(fā)明的一個實(shí)施方式的電子器件的制造方法進(jìn)行說明的圖。

圖7是對本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子器件的制造方法進(jìn)行說明的圖。

圖8是對本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子器件的制造方法進(jìn)行說明的圖。

圖9是對本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子器件的制造方法進(jìn)行說明的圖。

圖10是對本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子器件的制造方法進(jìn)行說明的圖。

具體實(shí)施方式

下面，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

在此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，將電子元件作為被封裝件。作為電子元件的種類，只要是成為封裝對象者，則并無特別限定，例如可列舉有機(jī)EL元件、液晶元件、發(fā)光二極體(LED元件)、電子紙用元件、太陽能電池元件等。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式中所制造的電子器件為通過封裝如上所述的電子元件而成的電子器件，例如可列舉出顯示裝置用模塊、太陽能電池模塊等。

[第一實(shí)施方式]

如圖1及圖2所示，本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A構(gòu)成為，具備：長尺寸的第一剝離片11a；多個封裝材料12，其層疊于第一剝離片11a上的寬度方向中央部的長度方向上的彼此不同的位置；保護(hù)材料13，其層疊于第一剝離片11a上的寬度方向兩側(cè)部；第二長尺寸的剝離片11b，其層疊于封裝材料12及保護(hù)材料13的與第一剝離片11a側(cè)相反的一側(cè)。另外，在此“長尺寸”是指表示相對于寬度的長度為10倍以上的情況。

本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A為長尺寸，通常，從卷曲成卷狀的狀態(tài)放出使用(參照圖1)。

(1)封裝材料

在本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A中，封裝材料12具有與被封裝件即電子元件對應(yīng)的形狀。在此，“與電子元件對應(yīng)的形狀”優(yōu)選具有封裝電子元件時足夠的大小、且在封裝之后無需去除封裝材料12的形狀。若通過具有該形狀的封裝材料12來封裝電子元件，則例如無需去除與有機(jī)EL元件等電子元件的端子部對應(yīng)的部份的封裝材料，能夠簡化工序，并且不會因去除操作而損傷電子元件的端子部，且封裝材料不會殘留于電子元件的端子部。并且，將在基材上被封裝的多個電子元件按各電子元件進(jìn)行分割時，不會損傷封裝材料。從而，根據(jù)本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A，能夠高效地制造可靠性高的電子器件。

在本實(shí)施方式中，封裝材料12在俯視時呈四邊形，但并不限定于此，按照被封裝件即電子元件的形狀能夠設(shè)為所希望的形狀。例如，封裝材料12在俯視時可以是圓形，也可以是所希望的多邊形，還可以是從該些形狀切出一部份的形狀。

在本實(shí)施方式中，僅在電子元件封裝用層疊片1A的長度方向上連續(xù)地設(shè)置有多個封裝材料12，但并不限定于此，例如，如圖5所示，不僅可設(shè)置在電子元件封裝用層疊片1A的長度方向上，也可以在寬度方向上設(shè)置多個。

構(gòu)成封裝材料12的材料，只要按照被封裝件即電子元件的種類而適當(dāng)?shù)剡x擇即可，可由單層構(gòu)成，也可由多層構(gòu)成。作為構(gòu)成封裝材料12的材料，通常可以使用熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、能量線硬化性樹脂等。

作為熱塑性樹脂，例如可列舉酸改性聚烯烴類樹脂、硅烷改性聚烯烴類樹脂、離聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚酯類樹脂、聚氨酯類樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯類樹脂、酰胺類樹脂、苯乙烯類樹脂、硅烷類樹脂、橡膠類樹脂等。其中，優(yōu)選粘合力高、水蒸氣透過率比較低的酸改性聚烯烴類樹脂、硅烷改性聚烯烴類樹脂、離聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及橡膠類樹脂。該些可單獨(dú)使用1種，或者能夠混合2種以上使用。另外，在本說明書中，(甲基)丙烯酸類表示丙烯酸以及甲基丙烯酸酸兩者。其它類似用語也是同樣的。

封裝材料12的厚度只要是能夠封裝被封裝件即電子元件的厚度即可，按照電子元件的厚度或形狀可適當(dāng)?shù)卮_定。一般來說，封裝材料12的厚度優(yōu)選為1～500μm，尤其優(yōu)選為5～300μm，進(jìn)一步優(yōu)選為10～100μm。

封裝材料12對玻璃板(鈉鈣玻璃)的粘合力優(yōu)選為3N/25mm以上，尤其優(yōu)選為5N/25mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為10N/25mm以上。由于粘合力在上述范圍內(nèi)，因此經(jīng)由封裝材料12，將玻璃板或樹脂薄膜等基材和電子元件牢固地貼合，能夠可靠地封裝電子元件，并且水份不會浸入到基材與封裝材料12之間，并且能夠防止于封裝材料12與電子元件之間產(chǎn)生浮起或剝離等。此外，粘合力的上限并無特別限定，通常優(yōu)選為500N/25mm以下。

在此，將粘合力設(shè)定為，當(dāng)貼合之后，在23℃、50％RH的環(huán)境下放置24小時后，在相同環(huán)境下，使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(ORIENTEC CO.,Ltd制，Tensilon)，以剝離速度300mm/分鐘、剝離角度180°的條件進(jìn)行剝離試驗(yàn)所測定的值。

(2)保護(hù)材料

本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A在其寬度方向兩側(cè)部具有保護(hù)材料13。由于電子元件封裝用層疊片1A具有這種保護(hù)材料13，因此，即使在以卷狀卷曲電子元件封裝用層疊片1A的情況下，也能夠減小施加在封裝材料12上的卷壓，并能夠抑制在封裝材料12產(chǎn)生卷痕(疊加卷曲的其它封裝材料12的輪廊的壓痕)或褶皺。

在本實(shí)施方式中，保護(hù)材料13呈長尺寸的帶狀，但并不限定于該形狀。例如，根據(jù)長尺寸的帶部，也可以為具有進(jìn)入到多個封裝材料12彼此之間的突起部的形狀。另外，也可以為間斷的帶狀。另外，在本發(fā)明中，保護(hù)材料13并非必需的結(jié)構(gòu)要素，也可以從電子元件封裝用層疊片1A省略保護(hù)材料13。

構(gòu)成保護(hù)材料13的材料只要發(fā)揮上述效果則并無特別限定。例如，可以由與封裝材料12相同的材料構(gòu)成，也可以由可涂布或印刷的所希望的材料構(gòu)成，還可以由所希望的基材以及粘著劑層所構(gòu)成的粘著片構(gòu)成。優(yōu)選地，若考慮制造的簡易性，則由與封裝材料12相同的材料構(gòu)成，且在形成封裝材料12的同時形成。關(guān)于該制造方法將進(jìn)行后述。

優(yōu)選地，保護(hù)材料13的厚度與封裝材料12的厚度相同，或者比封裝材料12厚。由此，能夠有效地抑制在封裝材料12上產(chǎn)生卷痕或褶皺。

(3)剝離片

作為第一剝離片11a及第二剝離片11b，只要能夠支撐封裝材料12、且能夠從封裝材料12容易剝離者即可，并無特別限定。

作為第一剝離片11a及第二剝離片11b，例如可使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯薄膜、離聚物樹脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亞胺薄膜、氟樹脂薄膜以及它們的交聯(lián)薄膜等。另外，也可以為它們的層疊薄膜。

優(yōu)選在上述第一剝離片11a及第二剝離片11b中的封裝材料12側(cè)的面實(shí)施剝離處理。作為剝離處理中使用的剝離劑，例如可列舉有醇酸類、硅酮類、氟類、不飽和聚酯類、聚烯烴類、石蠟類的剝離劑。

當(dāng)使用電子元件封裝用層疊片1A時，在第二剝離片11b首先被剝離，且隨后第一剝離片11a被剝離的情況下，優(yōu)選將第二剝離片11b設(shè)為剝離力較小的輕剝離型剝離片，且將第一剝離片11a設(shè)為剝離力較大的重剝離型剝離片。

關(guān)于第一剝離片11a及第二剝離片11b的厚度并無特別限制，通常為10～200μm左右，優(yōu)選為20～100μm左右。

另外，本發(fā)明中第二剝離片11b并非必需的結(jié)構(gòu)要素，也可以從電子元件封裝用層疊片1A省略第二剝離片11b。在該情況下，優(yōu)選地，當(dāng)放出呈卷狀卷曲的電子元件封裝用層疊片1A時，為了避免封裝材料12附著于第一剝離片11a的背面(未卷曲狀態(tài)的電子元件封裝用層疊片1A中第一剝離片11a的與封裝材料12側(cè)的面相反一側(cè)的面)，對第一剝離片11a的背面也實(shí)施剝離處理，或者在封裝材料12的表面(未卷曲狀態(tài)的電子元件封裝用層疊片1A中封裝材料12的與第一剝離片11a側(cè)的面相反一側(cè)的面)形成凹凸，并減小封裝材料12與第一剝離片11a的背面的接觸面積。例如，能夠通過壓花加工而形成該封裝材料12的表面凹凸。只要封裝材料12未附著在第一剝離片11a的背面，則凹凸形狀并無特別限定。

(4)電子元件封裝用層疊片的制造

作為電子元件封裝用層疊片1A的優(yōu)選的制造方法的一例，首先，在第一剝離片11a的一個表面即具有剝離性的面(剝離面)，以與該第一剝離片11a大致相同的大小，形成由構(gòu)成封裝材料12的材料所構(gòu)成的封裝材料層。

封裝材料層的形成方法只要按照構(gòu)成封裝材料12的材料的種類適當(dāng)?shù)剡x擇即可，例如可列舉有熔融擠出法、壓延法、干式法、溶液法等。在溶液法的情況下，將構(gòu)成封裝材料12的材料溶解于有機(jī)溶劑的溶液，通過公知的涂布方法進(jìn)行涂布，并適當(dāng)?shù)馗稍锼@得的涂膜即可。

接著，以形成所述形狀的封裝材料12及保護(hù)材料13的方式半切封裝材料層。即，以不切斷第一剝離片11a的方式僅切斷封裝材料層。此時，只要不切斷第一剝離片11a，切口也可以進(jìn)入到第一剝離片11a。只要通過通常的方法進(jìn)行上述半切即可，例如，能夠使用沖孔裝置等進(jìn)行。

然后，去除在進(jìn)行半切時生成的封裝材料層的多余部份，具體而言，去除封裝材料12與保護(hù)材料13之間的部份以及多個封裝材料12彼此之間的部份。由此，可獲得在第一剝離片11a的剝離面層疊有多個封裝材料12及保護(hù)材料13的層疊體。

最后，以該第二剝離片11b的剝離面與封裝材料12及保護(hù)材料13接觸的方式，將第二剝離片11b層疊于上述封裝材料12及保護(hù)材料13的露出面(與第一剝離片11a側(cè)相反一側(cè)的面)，獲得電子元件封裝用層疊片1A。

通過上述制造方法而獲得的電子元件封裝用層疊片1A中，保護(hù)材料13由與封裝材料12相同的材料構(gòu)成。

作為電子元件封裝用層疊片1A的制造方法，并未限定于上述方法。例如，也可以將構(gòu)成封裝材料12的材料涂布或印刷于第一剝離片11a的剝離面，以形成所述形狀的封裝材料12及保護(hù)材料13，并將第二剝離片11b層疊于所形成的封裝材料12及保護(hù)材料13上。該方法中，可通過涂布或印刷與構(gòu)成封裝材料12的材料不同的材料而形成保護(hù)材料13，也可以通過粘著膠帶等形成。

(5)電子器件的制造

作為使用電子元件封裝用層疊片1A來制造電子器件的方法，可列舉各種方法，例如能夠例示以下方法。

(5-1)

如圖6中的(a)所示，除了電子元件封裝用層疊片1A之外，還準(zhǔn)備具有對應(yīng)于被封裝件即電子元件3的形狀，例如具有與封裝材料12幾乎相同形狀的阻氣性薄膜14。并且，剝離電子元件封裝用層疊片1A中的第二剝離片11b。然后，如圖6中的(b)所示，將上述阻氣性薄膜14層疊于封裝材料12的與第一剝離片11a側(cè)的相反一側(cè)。

另一方面，如圖6中的(c)所示，準(zhǔn)備多個電子元件3形成于基材2上的結(jié)構(gòu)。作為基材2，可以是玻璃板、塑料板、陶瓷板等硬質(zhì)材質(zhì)，也可以是樹脂薄膜等柔性材質(zhì)。

如圖6中的(c)所示，從第一剝離片11a剝離出封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體，并以封裝材料12與電子元件3接觸的方式，將上述層疊體疊加于電子元件3。能夠通過公知方法進(jìn)行該工序。例如，使第一剝離片11a在電子元件3上的附近呈銳角折彎并移動，由此在電子元件3上，從第一剝離片11a剝離上述層疊體，并使用輥等向電子元件3側(cè)推壓上述層疊體，以使該層疊體疊加于電子元件3。

然后，如圖6中的(d)所示，通過加熱加壓或真空層疊等，并由上述封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體來封裝電子元件3。最后按各電子元件3將基材2進(jìn)行分割。由此，獲得由封裝材料12及阻氣性薄膜14來封裝電子元件3而成的電子器件。

由于上述封裝材料12及阻氣性薄膜14具有對應(yīng)于電子元件3的形狀，因此無需去除與電子元件3的端子部對應(yīng)的部份的封裝材料12及阻氣性薄膜14，能夠簡化工序，并且不會因去除操作而損傷電子元件3的端子部，且封裝材料12或阻氣性薄膜14不會殘留于電子元件3的端子部。并且，按各電子元件3，對于基材2上被封裝的多個電子元件3進(jìn)行分割時，也不會損傷封裝材料12及阻氣性薄膜14。從而，根據(jù)本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A，能夠高效地制造可靠性高的電子器件。

(5-2)

如圖7中的(a)所示，剝離電子元件封裝用層疊片1A中的第二剝離片11b。然后，如圖7中的(b)所示，準(zhǔn)備多個電子元件3形成于基材2上的結(jié)構(gòu)，并將層疊于第一剝離片11a上的封裝材料12以該狀態(tài)疊加于電子元件3。另一方面，準(zhǔn)備具有對應(yīng)于被封裝件即電子元件3的形狀的阻氣性薄膜14。

其次，如圖7中的(c)所示，從封裝材料12剝離第一剝離片11a，在露出的封裝材料12上層疊上述阻氣性薄膜14。然后，如圖7中的(d)所示，通過加熱加壓或真空層疊等，由上述封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體來封裝電子元件3。最后，按各電子元件3將基材2進(jìn)行分割。由此，可獲得由封裝材料12及阻氣性薄膜14來封裝電子元件3而成的電子器件。通過本制造方法，也能夠以與上述制造方法相同的方式高效地制造可靠性高的電子器件。

另外，在上述制造方法中，在封裝材料12疊加于電子元件3之后剝離第一剝離片11a，但并非限定于此，也可以一邊剝離第一剝離片11a，一邊將封裝材料12疊加于電子元件3(參照(5-1)的制造方法)。

(5-3)

如圖8中的(a)所示，除了電子元件封裝用層疊片1A之外，還準(zhǔn)備阻氣性薄膜層疊片4，該阻氣性薄膜層疊片4通過具有對應(yīng)于被封裝件即電子元件3的形狀的阻氣性薄膜14以與電子元件封裝用層疊片1A中的第一剝離片11a上的封裝材料12相同的方式排列，并在長尺寸的支撐片41上層疊多個而成。另外，剝離電子元件封裝用層疊片1A中的第二剝離片11b。

其次，如圖8中的(b)所示，將電子元件封裝用層疊片1A中的第一剝離片11a上的封裝材料12和阻氣性薄膜層疊片4中的支撐片41上的阻氣性薄膜14進(jìn)行層疊。

另一方面，如圖8中的(c)所示，準(zhǔn)備多個電子元件3形成于基材2上的結(jié)構(gòu)。并且，如圖8中的(c)所示，從封裝材料12剝離第一剝離片11a，并以封裝材料12接觸到電子元件3的方式，將支撐片41上的阻氣性薄膜14及封裝材料12的層疊體疊加于電子元件3。

然后，如圖8中的(d)所示，通過加熱加壓或真空層疊等，并由上述封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體來封裝電子元件3，從阻氣性薄膜14剝離支撐片41。最后，按各電子元件3將基材2進(jìn)行分割。由此，可獲得由封裝材料12以及阻氣性薄膜14來封裝電子元件3而成的電子器件。通過本制造方法，仍與上述制造方法相同地，能夠高效地制造可靠性高的電子器件。

另外，在上述制造方法中，在封裝之后，從阻氣性薄膜14剝離支撐片41，但并非限定于此，也可以從于封裝之前從阻氣性薄膜14進(jìn)行剝離。

(5-4)

如圖9中的(a)所示，除了電子元件封裝用層疊片1A之外，還準(zhǔn)備長尺寸的阻氣性薄膜14’。并且，剝離電子元件封裝用層疊片1A中之第二剝離片11b。

其次，如圖9中的(b)所示，在電子元件封裝用層疊片1A中的第一剝離片11a上的封裝材料12上，層疊上述長尺寸的阻氣性薄膜14’。

另一方面，準(zhǔn)備如圖9中的(c)所示的在基材2上形成有多個電子元件3的結(jié)構(gòu)。并且，如圖9中的(c)所示，從上述封裝材料12剝離第一剝離片11a，并將長尺寸的阻氣性薄膜14’上的封裝材料12疊加于電子元件3。

然后，如圖9中的(d)所示，通過加熱加壓或真空層疊等，由上述封裝材料12及長尺寸的阻氣性薄膜14’的層疊體來封裝電子元件3。并且，如圖9中的(e)所示，將長尺寸的阻氣性薄膜14’切成對應(yīng)于電子元件3的形狀，并去除不需要的部份。最后，按各電子元件3將基材2進(jìn)行分割。由此，可獲得由封裝材料12及阻氣性薄膜14封裝電子元件3而成的電子器件。

由于上述封裝材料12具有對應(yīng)于電子元件3的形狀，因此無需去除與電子元件3的端子部對應(yīng)的部份的封裝材料12，能夠簡化工序，并且不會因去除操作而損傷電子元件3的端子部，且封裝材料12不會殘留于電子元件3的端子部。另外，按各電子元件3將在基材2上被封裝的多個電子元件3進(jìn)行分割時，也不會損傷封裝材料12。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1A，能夠高效地制造可靠性高的電子器件。

[第二實(shí)施方式]

圖3及圖4所示，本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1B構(gòu)成為，具備：長尺寸的剝離片11；多個封裝材料12，其在剝離片11上的寬度方向中央部的長度方向上，層疊于彼此不同的位置；阻氣性薄膜14，其層疊于封裝材料12的與剝離片11側(cè)相反的一側(cè)；保護(hù)材料13，其層疊于剝離片11上的寬度方向兩側(cè)部。

本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1B為長尺寸板片，通常，由呈卷狀卷曲的狀態(tài)放出而被使用(參照圖3)。

本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1B中的剝離片11及封裝材料12，分別具有與所述電子元件封裝用層疊片1A中的第一剝離片11a及封裝材料12相同的構(gòu)成。

(1)阻氣性薄膜

阻氣性薄膜14用于對所獲得的電子器件賦予阻氣性，且防止/抑制氣體到達(dá)電子元件。應(yīng)阻隔的氣體種類由電子元件的種類而定，優(yōu)選在多數(shù)電子元件中阻隔水蒸氣。

在本實(shí)施方式中，阻氣性薄膜14具有與封裝材料12大致相同的大小及形狀。然而，并非限定于此，當(dāng)封裝電子元件時，只要是正常地發(fā)揮阻氣性的大小及形狀即可，例如，也可以形成比封裝材料12稍大。

作為阻氣性薄膜14的結(jié)構(gòu)并無特別的限定，例如，能夠使用于基材薄膜的單面或兩面直接或經(jīng)由其它層形成阻氣層者，以及在基材薄膜的中間設(shè)置阻氣層者等。其中，阻氣性薄膜14優(yōu)選在基材薄膜的單面或兩面直接或經(jīng)由其它層形成阻氣層。

作為所使用的基材薄膜并無特別限定，例如，可列舉由環(huán)烯烴樹脂、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸類樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、ABS樹脂、離聚物樹脂等樹脂構(gòu)成的樹脂薄膜，或者它們的層疊薄膜等。基材薄膜可以是延伸薄膜，也可以是無延伸薄膜。并且，基材薄膜也可以包含紫外線吸收劑等各種添加劑。

作為上述阻氣層的材料，只要能夠抑制氣體(水蒸氣)透過即可，例如鋁、鎂、鋅、錫等金屬、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、聚硅氮烷化合物、聚碳硅烷化合物、聚硅烷化合物、聚有機(jī)硅氧烷化合物、四有機(jī)硅烷化合物等硅烷化合物、氧化鋁、氧氮化鋁等鋁化合物、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等無機(jī)酸化物、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚三氟氯乙烯等樹脂等。上述材料可單獨(dú)使用1種，或者能夠組合2種以上使用。另外，阻氣層可由單層構(gòu)成，也可由多層構(gòu)成，當(dāng)由多層構(gòu)成的情況下，各層也可由不同的材料構(gòu)成。

阻氣性薄膜14的厚度并無特別的限制，從操作容易度觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為0.5～500μm，更優(yōu)選為1～200μm，進(jìn)一步優(yōu)選為5～100μm。

此外，如圖5所示，封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體不僅可以設(shè)置在電子元件封裝用層疊片1B的長度方向上，而且在寬度方向上也可以設(shè)置多個。

在此，封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體，在厚度50μm換算(將層疊體的厚度設(shè)為50μm時)的、溫度40℃、相對濕度90％RH的環(huán)境下的水蒸氣透過率W(JIS K7129A法)優(yōu)選為20g/(m2·day)以下為較佳，15g/(m2·day)以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10g/(m2·day)以下。由于水蒸氣透過率W于上述范圍內(nèi)，因此在封裝電子元件時，來自外部的水蒸氣在上述層疊體被有效阻斷，從而能夠防止/抑制所述水蒸氣到達(dá)電子元件，且電子元件不易受到水分的不良影響。

(2)保護(hù)材料

本實(shí)施方式中的保護(hù)材料13，作為其一個例子，通過將第一保護(hù)構(gòu)件13a和第二保護(hù)構(gòu)件13b層疊而成，但并非限定于此，例如，可以由單層構(gòu)成，也可以由基材及粘著劑層該2層構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，第一保護(hù)構(gòu)件13a優(yōu)選由與封裝材料12相同的材料構(gòu)成，第二保護(hù)構(gòu)件13b優(yōu)選由與阻氣性薄膜14相同的材料構(gòu)成。由此，通過后述方法能夠簡單地制造電子元件封裝用層疊片1B。

在電子元件封裝用層疊片1B中，仍與電子元件封裝用層疊片1A相同地，保護(hù)材料13并非必需的結(jié)構(gòu)要素，也可以從電子元件封裝用層疊片1B省略保護(hù)材料13。

(3)電子元件封裝用層疊片的制造

作為電子元件封裝用層疊片1B的優(yōu)選的制造方法的一個例子，首先，在剝離片11的一個表面且是具有剝離性的面(剝離面)，以與該剝離片11大致相同的大小，由構(gòu)成封裝材料12的材料所構(gòu)成的封裝材料層、以及由構(gòu)成阻氣性薄膜14的材料所構(gòu)成的阻氣材料層按該順序?qū)盈B形成。

封裝材料層以及阻氣材料層也可以共擠出成形，也可以在通過與電子元件封裝用層疊片1A的制造方法中說明的方法相同的方法形成封裝材料層之后，以相同的方法形成阻氣材料層，也可以預(yù)先層疊呈長尺寸的薄膜狀的阻氣材料層。

接著，以形成所述形狀的封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體、以及保護(hù)材料13(第一保護(hù)構(gòu)件13a及第二保護(hù)構(gòu)件13b的層疊體)的方式，半切阻氣材料層及封裝材料層。即，以不切斷剝離片11的方式，僅切斷阻氣材料層及封裝材料層。此時，只要不切斷剝離片11，則切口也可以進(jìn)入到剝離片11。

然后，去除在半切時所生成的阻氣材料層及封裝材料層的多余部份，具體而言，去除封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體與保護(hù)材料13之間的部份、以及多個阻氣性薄膜14及封裝材料12的層疊體彼此之間的部份。由此，可獲得在剝離片11的剝離面層疊有多個封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體、以及第一保護(hù)構(gòu)件13a及第二保護(hù)構(gòu)件13b的層疊體即保護(hù)材料13的電子元件封裝用層疊片1B。

在通過上述制造方法而獲得的電子元件封裝用層疊片1B中，第一保護(hù)構(gòu)件13a由與封裝材料12相同的材料構(gòu)成，第二保護(hù)構(gòu)件13b由與阻氣性薄膜14相同的材料構(gòu)成。

作為電子元件封裝用層疊片1B的制造方法并非限定于上述方法。例如，將構(gòu)成封裝材料12的材料，以形成所述形狀的封裝材料12及第一保護(hù)構(gòu)件13a的方式涂布或印刷于剝離片11a的剝離面之后，在這些封裝材料12及第一保護(hù)構(gòu)件13a上，涂布或印刷構(gòu)成阻氣性薄膜14的材料，或者也可以粘貼構(gòu)成阻氣性薄膜14的薄膜。該方法中，保護(hù)材料13也可以通過涂布或印刷與構(gòu)成封裝材料12及阻氣性薄膜14的材料不同的材料而形成。另外，例如，將構(gòu)成封裝材料12的材料，以形成所述形狀的封裝材料12的方式涂布或印刷于剝離片11a的剝離面，另一方面，也可以形成所述形狀的保護(hù)材料13的方式涂布或印刷所希望的材料，或者粘貼粘著膠帶。

(4)電子器件的制造

作為使用電子元件封裝用層疊片1B而制造電子器件的方法，例如，能夠例示以下方法。

如圖10中的(a)所示，準(zhǔn)備電子元件封裝用層疊片1B，并且準(zhǔn)備圖10中的(b)所示的、在基材2上形成有多個電子元件3的結(jié)構(gòu)。然后，如圖10中的(b)所示，從剝離片11剝離封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體，并以使封裝材料13接觸到電子元件3的方式將上述層疊體疊加于電子元件3。

接著，如圖10中的(c)所示，通過加熱加壓或真空層疊等，由上述封裝材料12及阻氣性薄膜14的層疊體來封裝電子元件3。最后，按各電子元件3將基材2進(jìn)行分割。由此，獲得由封裝材料12及阻氣性薄膜14來封裝電子元件3而成的電子器件。

上述封裝材料12及阻氣性薄膜14具有對應(yīng)于電子元件3的形狀，因此無需去除與電子元件3的端子部對應(yīng)的部份的封裝材料12及阻氣性薄膜14就能夠簡化工序，并且，不會因去除操作而損傷電子元件3的端子部，且封裝材料12或阻氣性薄膜14不會殘留于電子元件3的端子部。另外，將在基材2上被封裝的多個電子元件3按各電子元件3進(jìn)行分割時，也不會損傷封裝材料12及阻氣性薄膜14。另外，在電子元件封裝用層疊片1B中，無需如電子元件封裝用層疊片1A那樣另外準(zhǔn)備阻氣性薄膜14或長尺寸的阻氣性薄膜14’。從而，根據(jù)本實(shí)施方式的電子元件封裝用層疊片1B，能夠非常高效地制造可靠性高的電子器件。

以上電子元件封裝用層疊片1A、1B能夠應(yīng)用于顯示裝置用模塊、太陽能電池模塊等通過封裝電子元件而成的電子器件的制造中，也可以應(yīng)用于作為形成電子元件的基材而使用樹脂薄膜的柔性電子器件中。

以上說明的實(shí)施方式是為了容易理解本發(fā)明而記載的，并不是為了限定本發(fā)明而記載的。從而，上述實(shí)施方式中公開的各要素的主要內(nèi)容也包括屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的所有設(shè)計(jì)變更或等同物。

工業(yè)實(shí)用性

本發(fā)明的電子元件封裝用層疊片及電子器件的制造方法，例如在適合于制造通過封裝有機(jī)EL元件等而成的顯示裝置用模塊。

附圖標(biāo)記說明

1A、1B—電子元件封裝用層疊片

11—剝離片

11a—第一剝離片

11b—第二剝離片

12—封裝材料

13—保護(hù)材料

13a—第一保護(hù)構(gòu)件

13b—第二保護(hù)構(gòu)件

14—阻氣性薄膜

14’—長尺寸的阻氣性薄膜

2—基材

3—電子元件

4—阻氣性薄膜層疊片

41—支撐片