1.一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，具備：
開(kāi)關(guān)電路部，其具備并聯(lián)連接的、導(dǎo)通截止動(dòng)作特性不同的多種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，使主電流接通或斷開(kāi)；
驅(qū)動(dòng)電路，其具備拉電流端子和灌電流端子，按照對(duì)所述主電流的接通或斷開(kāi)進(jìn)行控制的控制信號(hào)，從所述拉電流端子輸出使各所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通的第一驅(qū)動(dòng)電壓，并且從所述灌電流端子輸出使各所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件截止的第二驅(qū)動(dòng)電壓；以及
阻抗元件，其插入安裝于該驅(qū)動(dòng)電路中的所述拉電流端子與所述灌電流端子之間，使將各所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或截止的動(dòng)作定時(shí)互不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述驅(qū)動(dòng)電路具備：第一輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)從所述拉電流端子輸出所述第一驅(qū)動(dòng)電壓；以及第二輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)從所述灌電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
并聯(lián)設(shè)置的、被所述驅(qū)動(dòng)電路一并進(jìn)行導(dǎo)通截止驅(qū)動(dòng)的所述多種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件之一是IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，其它半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件是MOS-FET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第一驅(qū)動(dòng)電壓是使所述多種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件中的各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所需的高電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，所述第二驅(qū)動(dòng)電壓是使所述多種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件中的各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件截止所需的比所述第一驅(qū)動(dòng)電壓低的低電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
5.一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，具備：
開(kāi)關(guān)電路部，其具備并聯(lián)連接的、導(dǎo)通截止動(dòng)作特性不同的第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，使主電流接通或斷開(kāi)；
驅(qū)動(dòng)電路，其具備拉電流端子和灌電流端子，按照對(duì)所述主電流的接通或斷開(kāi)進(jìn)行控制的控制信號(hào)，從所述拉電流端子輸出使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件分別導(dǎo)通的第一驅(qū)動(dòng)電壓，并且從所述灌電流端子輸出使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件分別截止的第二驅(qū)動(dòng)電壓；以及
定時(shí)調(diào)整用電阻元件，其插入安裝于該驅(qū)動(dòng)電路中的所述拉電流端子與所述灌電流端子之間，使將所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或截止的動(dòng)作定時(shí)互不相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的一方是IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，另一方是MOS-FET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述驅(qū)動(dòng)電路具備：
第一輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)向所述拉電流端子輸出所述第一驅(qū)動(dòng)電壓；以及
第二輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)與所述第一輸出開(kāi)關(guān)電路相反地向所述灌電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第一驅(qū)動(dòng)電壓是使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件分別導(dǎo)通所需的高電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，所述第二驅(qū)動(dòng)電壓是使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件分別截止所需的比所述第一驅(qū)動(dòng)電壓低的低電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述驅(qū)動(dòng)電路具備：
第一輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)向所述拉電流端子輸出所述第一驅(qū)動(dòng)電壓；
第二輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)與所述第一輸出開(kāi)關(guān)電路相反地向所述灌電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓；以及
第三輸出開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)與所述第一輸出開(kāi)關(guān)電路相反地向所述拉電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
在隨著從所述灌電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓而使得所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件被截止之前，所述第三輸出開(kāi)關(guān)電路向所述拉電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
在隨著所述第二輸出開(kāi)關(guān)電路導(dǎo)通而使得所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件被截止之后，所述第三輸出開(kāi)關(guān)電路從所述拉電流端子輸出所述第二驅(qū)動(dòng)電壓，以將該第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件保持為截止?fàn)顟B(tài)。
12.一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，具備：
開(kāi)關(guān)電路部，其具備并聯(lián)連接的、導(dǎo)通截止動(dòng)作特性不同的第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，使主電流接通或斷開(kāi)；
第一驅(qū)動(dòng)電路，其按照對(duì)所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通或截止進(jìn)行控制的控制信號(hào)來(lái)從第一輸出端子輸出使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或截止的驅(qū)動(dòng)電壓；
第二驅(qū)動(dòng)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)從第二輸出端子輸出使所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或截止的驅(qū)動(dòng)電壓；以及
定時(shí)調(diào)整用電容元件，其插入安裝于所述第一驅(qū)動(dòng)電路所具備的第一輸出端子與所述第二驅(qū)動(dòng)電路所具備的第二輸出端子之間，使將所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件和所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通或截止的動(dòng)作定時(shí)互不相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第一驅(qū)動(dòng)電路具備：第一開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)從所述第一輸出端子輸出使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所需的第一驅(qū)動(dòng)電壓；以及第二開(kāi)關(guān)電路，其從所述第一輸出端子輸出使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件截止所需的第二驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)代替所述第一驅(qū)動(dòng)電壓，
所述第二驅(qū)動(dòng)電路具備：第三開(kāi)關(guān)電路，其按照所述控制信號(hào)來(lái)從所述第二輸出端子輸出使所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所需的第三驅(qū)動(dòng)電壓；以及第四開(kāi)關(guān)電路，其從所述第二輸出端子輸出使所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件截止所需的第四驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)代替所述第三驅(qū)動(dòng)電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第一驅(qū)動(dòng)電壓是使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所需的高電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，
所述第二驅(qū)動(dòng)電壓是使所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件截止所需的比所述第一驅(qū)動(dòng)電壓低的低電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，
所述第三驅(qū)動(dòng)電壓是使所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所需的高電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，
所述第四驅(qū)動(dòng)電壓是使所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件截止所需的比所述第三驅(qū)動(dòng)電壓低的低電位的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件是IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件是MOS-FET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述第三開(kāi)關(guān)電路經(jīng)由逆流防止用二極管來(lái)向所述第二驅(qū)動(dòng)電路的所述第二輸出端子輸出所述第三驅(qū)動(dòng)電壓，該逆流防止用二極管用于阻止所述定時(shí)調(diào)整用電容元件中蓄積的電荷的逆流。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置，其特征在于，
所述定時(shí)調(diào)整用電容元件被設(shè)置成能夠通過(guò)第五開(kāi)關(guān)電路而選擇性地從所述第一驅(qū)動(dòng)電路的所述第一輸出端子與所述第二驅(qū)動(dòng)電路的所述第二輸出端子之間斷開(kāi)。