1.一種FBAR諧振器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟1）、選取單晶硅襯底，采用各向異性反應(yīng)離子刻蝕工藝在單晶硅襯底上刻蝕深度為5-10μm的淺槽；
步驟2）、在對單晶硅襯底淺槽側(cè)壁進(jìn)行保護(hù)的同時，對單晶硅襯底進(jìn)行各向同性腐蝕，為接下來的外延單晶硅封腔工藝做準(zhǔn)備；
步驟3）、外延單晶硅封腔：外延生長單晶硅，使單晶硅襯底內(nèi)部形成密封的腔體；
步驟4）、在單晶硅襯底上表面依次生長二氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蝕形成接觸孔；
步驟5）、在氮化硅表面濺射第一層金屬，光刻、腐蝕形成焊盤、電互連線以及FBAR下電極；
步驟6）、在氮化硅和第一層金屬上濺射壓電材料，光刻、腐蝕形成FBAR壓電材料結(jié)構(gòu)；
步驟7）、在氮化硅和壓電材料上濺射第二層金屬，光刻、腐蝕形成焊盤、電互連線以及FBAR上電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FBAR諧振器的制備方法，其特征在于：所述壓電材料為氮化鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FBAR諧振器的制備方法，其特征在于：所述腔體高度為4-6μm。
4.一種FBAR諧振器，采用權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的FBAR諧振器的制備方法制備而成。