技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種FBAR諧振器及其制備方法，具體是一種基于MEMS微加工技術(shù)的FBAR，由于外延單晶硅工藝成熟，其所形成的硅微結(jié)構(gòu)機(jī)械性能良好，尤其利用外延單晶硅所形成的腔體結(jié)構(gòu)密封性能十分優(yōu)異。由此形成的FBAR諧振頻率主要由薄膜體厚度決定，并受環(huán)境溫度影響，其諧振頻率隨溫度的升高而減小，并且呈現(xiàn)明顯的單調(diào)性，該特性可用作溫度、氣壓等數(shù)據(jù)檢測(cè)。結(jié)合MEMS微加工技術(shù)，該FBAR體積小，成本低，響應(yīng)時(shí)間短。

技術(shù)研發(fā)人員：華迪;蔡春華;齊本勝;談俊燕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河海大學(xué)常州校區(qū)
文檔號(hào)碼：201610490516
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.28
技術(shù)公布日：2016.11.16