本發(fā)明公開一種新型的疊層陶瓷介質(zhì)CSP封裝基板，可用于移動(dòng)通訊等終端設(shè)備中的表面波濾波器CSP(Chip Size Package)封裝。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，便攜式電子設(shè)備應(yīng)用越來越廣泛、功能越來越多、尺寸也越來越小，各種多頻系統(tǒng)也開始廣泛應(yīng)用于手機(jī)、無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。因此，對(duì)移動(dòng)通信系統(tǒng)終端使用的聲表面波器件的要求越來越高，不僅要求性能可靠、插入損耗低，而且體積要小并具有高選擇性。相應(yīng)的，對(duì)聲表面波器件的封裝基板的要求也是越來越高。

在眾多的小型化和集成化的技術(shù)中，LTCC封裝基板技術(shù)是一種很有效的技術(shù)。LTCC陶瓷基板不僅可以為聲表面波器件提供機(jī)械支撐、電氣互連、散熱通帶、保護(hù)聲表面波器件芯片等功能，而且LTCC基板各層基片可以根據(jù)需要改變介質(zhì)和其他各種電性能，增加設(shè)計(jì)的自由度。另外，還可以在LTCC基板中集成聲表面波器件所需要的無源匹配電路，達(dá)到器件的最佳性能。通過LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)的聲表面波器件的CSP封裝基板結(jié)構(gòu)具有高品質(zhì)因數(shù)，高穩(wěn)定性、高集成的優(yōu)點(diǎn)，并且適合于大規(guī)模的生產(chǎn)，成本低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的聲表面波器件體積較大的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種新的疊層陶瓷介質(zhì)CSP封裝基板，其采用特殊設(shè)計(jì)的層疊式結(jié)構(gòu)，可將CSP封裝基板做到體積最小。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：一種疊層陶瓷介質(zhì)CSP封裝基板，基板包括陶瓷基板本體和設(shè)置在陶瓷基板本體內(nèi)的電路層，電路層包括三層：

第一層電路層包括9個(gè)焊盤導(dǎo)體，分別為第一焊盤導(dǎo)體至第九焊盤導(dǎo)體；

第二層電路層為在陶瓷介質(zhì)基板上印制有六塊相互絕緣金屬平面導(dǎo)體，第一連接導(dǎo)體呈“L”形，兩段導(dǎo)體之間的夾角呈鈍角，第一連接導(dǎo)體一端為第一連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)，第一連接導(dǎo)體另一端為第一連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)，第二連接導(dǎo)體呈“T”字形，“T”字形橫線段的一端為第二連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)，“T”字形橫線段的另一端為第二連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)，第三連接導(dǎo)體包括相互連接的兩段，其中第一段呈鈍角“L”形，第二段呈直角“L”形，鈍角“L”形段一端為長方形平板狀的導(dǎo)體，長方形平板狀的導(dǎo)體上設(shè)有第三連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)和第三連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)，鈍角“L”形段另一端設(shè)有第三連接導(dǎo)體第五連接點(diǎn)，直角“L”形段一個(gè)端頭與鈍角“L”形段連接，連接點(diǎn)為第三連接導(dǎo)體第三連接點(diǎn)，直角“L”形段的此端處還設(shè)有第三連接導(dǎo)體第四連接點(diǎn)，直角“L”形段的兩段連接處設(shè)有第三連接導(dǎo)體第六連接點(diǎn)和第三連接導(dǎo)體第七連接點(diǎn)，第四連接導(dǎo)體呈“F”字形，“F”字形下面的橫線段端頭位置處為第四連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)，“F”字形豎線段底部端頭位置處為第四連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)，第五連接導(dǎo)體呈鈍角“L”形，兩段導(dǎo)體連接處為第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)，第五連接導(dǎo)體的一個(gè)端頭處為第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)，第六連接導(dǎo)體呈直線形，第六連接導(dǎo)體中間位置處向外伸出有第六連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)，第六連接導(dǎo)體的一個(gè)端頭處為第六連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)；

第三層電路層包括7個(gè)頂部導(dǎo)體，第一頂部導(dǎo)體、第二頂部導(dǎo)體、第三頂部導(dǎo)體、第五頂部導(dǎo)體和第七頂部導(dǎo)體均呈長方形，第四頂部導(dǎo)體呈“Z”字形，第六頂部導(dǎo)體呈“2”字形，第三層電路層外側(cè)設(shè)有環(huán)形屏蔽地導(dǎo)體；

第一層電路層與第二層電路層之間點(diǎn)柱設(shè)有9個(gè)，分別為第一點(diǎn)柱至第九點(diǎn)柱，第一點(diǎn)柱至第九點(diǎn)柱的底部分別與一個(gè)焊盤導(dǎo)體電連接，第一點(diǎn)柱頂部與第一連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)電連接，第二點(diǎn)柱頂部與第二連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)電連接，第三點(diǎn)柱頂部與第三連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)電連接，第四點(diǎn)柱頂部與第四連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)電連接，第五點(diǎn)柱頂部與第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)電連接，第六點(diǎn)柱頂部與第三連接導(dǎo)體第七連接點(diǎn)電連接，第七點(diǎn)柱頂部與第六連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)電連接，第八點(diǎn)柱頂部與第三連接導(dǎo)體第五連接點(diǎn)電連接，第九點(diǎn)柱頂部與第三連接導(dǎo)體第四連接點(diǎn)電連接；

第二層電路層與第三層電路層之間點(diǎn)柱設(shè)有8個(gè)，分別為第十點(diǎn)柱至第十七點(diǎn)柱，第十點(diǎn)柱、第十一點(diǎn)柱以及第十三點(diǎn)柱至第十七點(diǎn)柱頂部分別與一個(gè)頂部導(dǎo)體電連接，第十二點(diǎn)柱頂部與環(huán)形屏蔽地導(dǎo)體電連接，第十點(diǎn)柱底部與第一連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)電連接，第十一點(diǎn)柱底部與二連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)電連接，第十二點(diǎn)柱底部與第三連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)電連接，第十三點(diǎn)柱底部與第三連接導(dǎo)體第三連接點(diǎn)電連接，第十四點(diǎn)柱底部與第四連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)電連接，第十五點(diǎn)柱與第五連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)電連接，第十六點(diǎn)柱底部與第三連接導(dǎo)體第六連接點(diǎn)電連接，第十七點(diǎn)柱與第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)電連接。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括：

所述的第一層電路層設(shè)置在陶瓷基板本體上表面。

所述的第三層電路層設(shè)置在陶瓷基板本體下表面。

所述的第一層電路層中的9個(gè)焊盤導(dǎo)體呈3×3式矩陣型排布。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明以LTCC(低溫共燒陶瓷)技術(shù)為基礎(chǔ)，采用集總參數(shù)模型設(shè)計(jì)聲表面波器件的匹配網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)聲表面器件特殊的電性能要求。本發(fā)明有效達(dá)到了聲表面波器件的匹配網(wǎng)絡(luò)性能要求和封裝性能要求，具有低損耗、高可靠性、低成本和適合于大規(guī)模的生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，適應(yīng)了電子元器件的小型化發(fā)展趨勢。

下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

附圖說明

圖1為本發(fā)明疊層陶瓷介質(zhì)封裝基板外觀結(jié)構(gòu)立體示意圖。

圖2為本發(fā)明疊層陶瓷介質(zhì)封裝基板內(nèi)部結(jié)構(gòu)立體示意圖。

圖3為本發(fā)明第一層(底部)電路層平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明第一層與第二層之間點(diǎn)柱連接平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明第二層(中間)電路層平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明第二層與第三層之間點(diǎn)柱連接平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本發(fā)明第三層電路(頂部)平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1-第一焊盤導(dǎo)體，2-第二焊盤導(dǎo)體，3-第三焊盤導(dǎo)體，4-第四焊盤導(dǎo)體，5-第五焊盤導(dǎo)體，6-第六焊盤導(dǎo)體，7-第七焊盤導(dǎo)體，8-第八焊盤導(dǎo)體，9-第九焊盤導(dǎo)體，10-第一點(diǎn)柱，11-第二點(diǎn)柱，12-第三點(diǎn)柱，13-第四點(diǎn)柱，14-第五點(diǎn)柱，15-第六點(diǎn)柱，16-第七點(diǎn)柱，17-第八點(diǎn)柱，18-第九點(diǎn)柱，19-第一連接導(dǎo)體，20-第二連接導(dǎo)體，21-第三連接導(dǎo)體，22-第四連接導(dǎo)體，23-第五連接導(dǎo)體，24-第六連接導(dǎo)體，25-第十點(diǎn)柱，26-第十一點(diǎn)柱，27-第十二點(diǎn)柱，28-第十三點(diǎn)柱，29-第十四點(diǎn)柱，30-第十五點(diǎn)柱，31-第十六點(diǎn)柱，32-第十七點(diǎn)柱，33-環(huán)形屏蔽地導(dǎo)體，34-第一頂部導(dǎo)體，35-第二頂部導(dǎo)體，36-第三頂部導(dǎo)體，37-第四頂部導(dǎo)體，38-第五頂部導(dǎo)體，39-第六頂部導(dǎo)體，40第七頂部導(dǎo)體，41-陶瓷基板本體。

具體實(shí)施方式

本實(shí)施例為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式，其他凡其原理和基本結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例相同或近似的，均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。

請參看附圖1至附圖7，本發(fā)明為一種新型的疊層陶瓷介質(zhì)封裝基板，該設(shè)計(jì)采用集總參數(shù)設(shè)計(jì)的聲表面波器件匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其主要包括陶瓷基板本體41和設(shè)置在陶瓷基板本體41內(nèi)的電路層，電路層包括設(shè)置于基板本體41上的上表面電路層，設(shè)置于基板本體41內(nèi)的電路層以及設(shè)置于基板本體41下方的下表面電路層，各個(gè)電路層呈疊層式結(jié)構(gòu)，采用LTCC成型技術(shù)集成到同一陶瓷體中，然后利用900℃低溫共燒而成，最后在陶瓷基板上下表面先鍍鎳后鍍金形成。

請參看附圖3，本實(shí)施例中，第一層電路層，即基板本體底部電路層，第一層電路層包括9個(gè)焊盤導(dǎo)體，分別為第一焊盤導(dǎo)體1至第九焊盤導(dǎo)體9，9個(gè)焊盤導(dǎo)體呈3×3式矩陣型排布，各個(gè)焊盤導(dǎo)體分別有一個(gè)點(diǎn)柱與之連接。

請參看附圖5，本實(shí)施例中，第二層電路層，即基板本體內(nèi)部電路層，第二層電路層為在陶瓷介質(zhì)基板上印制有六塊相互絕緣金屬平面導(dǎo)體，分別為第一連接導(dǎo)體19至第六連接導(dǎo)體24，本實(shí)施例中，第一連接導(dǎo)體19呈“L”形，兩段導(dǎo)體之間的夾角呈鈍角，第一連接導(dǎo)體19一端為第一連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)19a，第一連接導(dǎo)體19另一端為第一連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)19b，本實(shí)施例中，第二連接導(dǎo)體20呈“T”字形，“T”字形橫線段的一端為第二連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)20a，“T”字形橫線段的另一端為第二連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)20b，本實(shí)施例中，第三連接導(dǎo)體21包括相互連接的兩段，其中第一段呈鈍角“L”形，即兩段導(dǎo)體之間的夾角呈鈍角，第二段呈直角“L”形，即兩段導(dǎo)體之間的夾角呈直角，鈍角“L”形段一端為長方形平板狀的導(dǎo)體，長方形平板狀的導(dǎo)體上設(shè)有第三連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)21a和第三連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)21b，鈍角“L”形段另一端設(shè)有第三連接導(dǎo)體第五連接點(diǎn)21e，直角“L”形段一個(gè)端頭與鈍角“L”形段連接，連接點(diǎn)為第三連接導(dǎo)體第三連接點(diǎn)21c，直角“L”形段的此端處還設(shè)有第三連接導(dǎo)體第四連接點(diǎn)21d，直角“L”形段的兩段連接處設(shè)有第三連接導(dǎo)體第六連接點(diǎn)21f和第三連接導(dǎo)體第七連接點(diǎn)21g，本實(shí)施例中，第四連接導(dǎo)體22呈“F”字形，“F”字形下面的橫線段端頭位置處為第四連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)22a，“F”字形豎線段底部端頭位置處為第四連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)22b，本實(shí)施例中，第五連接導(dǎo)體23呈鈍角“L”形，即兩段導(dǎo)體之間的夾角呈鈍角，兩段導(dǎo)體連接處為第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)23a，第五連接導(dǎo)體23的一個(gè)端頭處為第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)23b，本實(shí)施例中，第六連接導(dǎo)體24呈直線形，第六連接導(dǎo)體24中間位置處向外伸出有第六連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)24a，第六連接導(dǎo)體24的一個(gè)端頭處為第六連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)24b。

請參看附圖7，本實(shí)施例中，第三層電路層，即基板本體頂部電路層，第三層電路層包括7個(gè)頂部導(dǎo)體，分別為第一頂部導(dǎo)體34至第七頂部導(dǎo)體40，第一頂部導(dǎo)體34、第二頂部導(dǎo)體35、第三頂部導(dǎo)體36、第五頂部導(dǎo)體38和第七頂部導(dǎo)體40均呈長方形，第四頂部導(dǎo)體37呈“Z”字形，第六頂部導(dǎo)體39呈“2”字形，第三層電路層外側(cè)設(shè)有環(huán)形屏蔽地導(dǎo)體33。第三頂部導(dǎo)體36、第四頂部導(dǎo)體37、第六頂部導(dǎo)體39和第七頂部導(dǎo)體40帶有一定感量。

請參看附圖4，本實(shí)施例中，第一層與第二層之間點(diǎn)柱設(shè)有9個(gè)，分別為第一點(diǎn)柱10至第九點(diǎn)柱18，第一點(diǎn)柱10至第九點(diǎn)柱18的底部分別與一個(gè)焊盤導(dǎo)體電連接，第一點(diǎn)柱10頂部與第一連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)19a電連接，第二點(diǎn)柱11頂部與第二連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)20a電連接，第三點(diǎn)柱12頂部與第三連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)21a電連接，第四點(diǎn)柱13頂部與第四連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)22a電連接，第五點(diǎn)柱14頂部與第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)23a電連接，第六點(diǎn)柱15頂部與第三連接導(dǎo)體第七連接點(diǎn)21g電連接，第七點(diǎn)柱16頂部與第六連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)24b電連接，第八點(diǎn)柱17頂部與第三連接導(dǎo)體第五連接點(diǎn)21e電連接，第九點(diǎn)柱18頂部與第三連接導(dǎo)體第四連接點(diǎn)21d電連接。

請參看附圖6，本實(shí)施例中，第二層與第三層之間點(diǎn)柱設(shè)有8個(gè)，分別為第十點(diǎn)柱25至第十七點(diǎn)柱32，第十點(diǎn)柱25、第十一點(diǎn)柱26以及第十三點(diǎn)柱28至第十七點(diǎn)柱32頂部分別與一個(gè)頂部導(dǎo)體電連接，第十二點(diǎn)柱27頂部與環(huán)形屏蔽地導(dǎo)體33電連接。第十點(diǎn)柱25底部與第一連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)19b電連接，第十一點(diǎn)柱26底部與二連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)20b電連接，第十二點(diǎn)柱27底部與第三連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)21b電連接，第十三點(diǎn)柱28底部與第三連接導(dǎo)體第三連接點(diǎn)21c電連接，第十四點(diǎn)柱29底部與第四連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)22b電連接，第十五點(diǎn)柱30與第五連接導(dǎo)體第二連接點(diǎn)23b電連接，第十六點(diǎn)柱31底部與第三連接導(dǎo)體第六連接點(diǎn)21f電連接，第十七點(diǎn)柱32與第五連接導(dǎo)體第一連接點(diǎn)24a電連接。

本發(fā)明以LTCC(低溫共燒陶瓷)技術(shù)為基礎(chǔ)，采用集總參數(shù)模型設(shè)計(jì)聲表面波器件的匹配網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)聲表面器件特殊的電性能要求。本發(fā)明有效達(dá)到了聲表面波器件的匹配網(wǎng)絡(luò)性能要求和封裝性能要求，具有低損耗、高可靠性、低成本和適合于大規(guī)模的生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，適應(yīng)了電子元器件的小型化發(fā)展趨勢。