本發(fā)明屬于電子領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
：表面貼裝(SMD)晶體諧振器和振蕩器的應(yīng)用非常廣泛,其中手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、PDA每部需1只,筆記本電腦需4～6只。這些產(chǎn)品的年增長率均在10%～50%。而且,表面貼裝(SMD)晶體諧振器、振蕩器的需求呈連年上升趨勢(shì)。晶體諧振器表面貼裝(SMD)陶瓷基座(CeramicBase)(以下簡稱陶瓷基座)是適應(yīng)表面貼裝技術(shù)的片式化諧振器封裝用基座,目前我國的陶瓷基座基本由日本、韓國進(jìn)口,因此陶瓷基座的國產(chǎn)化設(shè)計(jì)與開發(fā)迫在眉睫。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的問題是提供一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：（1）混料、球磨在陶瓷粉料中加入粘合劑，經(jīng)過球磨混料機(jī)混料6～12小時(shí)，即可形成高粘度漿料；（2）流延是將球磨好的漿料用氮?dú)饣驂嚎s空氣壓入料斗，并流延到傳送帶上，用刮刀控制流延層厚度，并在80～120℃烘干，然后將生瓷帶卷在軸上，厚度為0.15～0.25mm。；（3）落料將流延好的生瓷帶裁切或沖成160×160、200×200的方塊；（4）沖孔是在生瓷片上打0.1～0.5mm通孔來，連通各層，孔的精度為±0.02～±0.05mm；（5）填孔和印刷導(dǎo)電線路通過生瓷帶通孔來填充、印刷導(dǎo)電漿料，使陶瓷片具有線路導(dǎo)電、內(nèi)部線路與外部引線連通功能；（6）干燥是在印刷后進(jìn)行烘干，以除去漿料中的有機(jī)溶劑，并對(duì)印刷圖形進(jìn)行定形。其溫度為60～170℃，時(shí)間為5～9分鐘；（7）疊層、熱壓將印刷好圖形和互相連通的生瓷片按照設(shè)計(jì)好的層次和次序，經(jīng)過噴膠，然后疊加到一起，并在一定的溫度和壓力下使它們緊密粘結(jié)，從而形成完整的多層陶瓷基座胚，并對(duì)對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮；（8）切割將層壓好的生瓷片按照要求切割成規(guī)定尺寸；（9）排膠、燒結(jié)對(duì)溶劑性粘合劑以每小時(shí)25～45℃的升溫速度升至460℃后并保溫3～4.5小時(shí)，然后每小時(shí)升溫220℃至1350～1750℃進(jìn)行燒結(jié)；（10）鍍鎳對(duì)燒結(jié)后成片連接在一起的陶瓷基座進(jìn)行電鍍，電鍍時(shí)應(yīng)先鍍鎳，鍍鎳層厚度為1.45～3.45μm；（11）釬焊將Ag72～Cu28焊環(huán)套放在基板上，再將沖壓密封框放在焊環(huán)上進(jìn)行燒結(jié)，以將焊環(huán)焊在基座上；（12）切斷將燒結(jié)電鍍好的基座，按照切割好的線路折斷，以形成單個(gè)的基座。優(yōu)選的，所述步驟（1）陶瓷粉料為為高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末混合而成。優(yōu)選的，所述步驟（1）中高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末的比例為1:1。優(yōu)選的，所述步驟（1）中粘合劑由聚乙烯醇縮丁醛和正丁醇和三氯乙烯按質(zhì)量比為1:1:2制成。優(yōu)選的，所述步驟（2）前先對(duì)球磨漿料進(jìn)行消泡，消除球磨漿料中含有的氣泡。優(yōu)選的，所述步驟（7）中在溫度為60～120℃，壓力為50～300kg/cm2的情況下對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮。優(yōu)選的，所述步驟（9）中充入氮?dú)獗Ｗo(hù)燒結(jié)。有益效果：本發(fā)明提供了一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝，所述陶瓷粉料為高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末按比例為1:1混合而成，既使介電常數(shù)小，又保證了結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高，致密性好，所述粘合劑由聚乙烯醇縮丁醛和正丁醇和三氯乙烯按質(zhì)量比為1:1:2制成，具有較好的粘合性能，所述流延前先對(duì)球磨漿料進(jìn)行消泡，消除球磨漿料中含有的大量氣泡，為避免在生瓷帶中出現(xiàn)針眼，所述疊層、熱壓中在溫度為60～120℃，壓力為50～300kg/cm2的情況下對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮，而且壓力均勻，以保證燒結(jié)收縮率的一致性，所述排膠、燒結(jié)中充入氮?dú)獗Ｗo(hù)燒結(jié)，可防止金屬材料和加熱元件不被氧化，利用該生產(chǎn)工藝生產(chǎn)出的石英晶體諧振器陶瓷基座外形平整、不變形、產(chǎn)品體積小的優(yōu)點(diǎn)。具體實(shí)施方式實(shí)施例1：一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：（1）混料、球磨在陶瓷粉料中加入粘合劑，經(jīng)過球磨混料機(jī)混料6小時(shí)，即可形成高粘度漿料，所述陶瓷粉料為高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末按1:1混合而成，所述粘合劑由聚乙烯醇縮丁醛和正丁醇和三氯乙烯按質(zhì)量比為1:1:2制成；（2）流延先對(duì)球磨漿料進(jìn)行消泡，消除球磨漿料中含有的氣泡，將球磨好的漿料用氮?dú)饣驂嚎s空氣壓入料斗，并流延到傳送帶上，用刮刀控制流延層厚度，并在80℃烘干，然后將生瓷帶卷在軸上，厚度為0.15mm。；（3）落料是將流延好的生瓷帶裁切或沖成160×160、200×200的方塊；（4）沖孔是在生瓷片上打0.1mm通孔來，連通各層，孔的精度為±0.02mm；（5）填孔和印刷導(dǎo)電線路通過生瓷帶通孔來填充、印刷導(dǎo)電漿料，使陶瓷片具有線路導(dǎo)電、內(nèi)部線路與外部引線連通功能；（6）干燥是在印刷后進(jìn)行烘干，以除去漿料中的有機(jī)溶劑，并對(duì)印刷圖形進(jìn)行定形。其溫度為60～170℃，時(shí)間為5～9分鐘；（7）疊層、熱壓將印刷好圖形和互相連通的生瓷片按照設(shè)計(jì)好的層次和次序，經(jīng)過噴膠，然后疊加到一起，并在一定的溫度和壓力下使它們緊密粘結(jié)，從而形成完整的多層陶瓷基座胚，并對(duì)對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮，所述熱壓在溫度為60～120℃，壓力為50～300kg/cm2的情況下對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮；（8）切割將層壓好的生瓷片按照要求切割成規(guī)定尺寸；（9）排膠、燒結(jié)對(duì)溶劑性粘合劑以每小時(shí)25℃的升溫速度升至460℃后并保溫3小時(shí)，然后每小時(shí)升溫220℃至1350℃進(jìn)行燒結(jié)，所述燒結(jié)中充入氮?dú)獗Ｗo(hù)；（10）鍍鎳對(duì)燒結(jié)后成片連接在一起的陶瓷基座進(jìn)行電鍍，電鍍時(shí)應(yīng)先鍍鎳，鍍鎳層厚度為1.45～3.45μm；（11）釬焊將Ag72～Cu28焊環(huán)套放在基板上，再將沖壓密封框放在焊環(huán)上進(jìn)行燒結(jié)，以將焊環(huán)焊在基座上；（12）切斷將燒結(jié)電鍍好的基座，按照切割好的線路折斷，以形成單個(gè)的基座。實(shí)施例2：一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：（1）混料、球磨在陶瓷粉料中加入粘合劑，經(jīng)過球磨混料機(jī)混料9小時(shí)，即可形成高粘度漿料，所述陶瓷粉料為高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末按1:1混合而成，所述粘合劑由聚乙烯醇縮丁醛和正丁醇和三氯乙烯按質(zhì)量比為1:1:2制成；（2）流延先對(duì)球磨漿料進(jìn)行消泡，消除球磨漿料中含有的氣泡，將球磨好的漿料用氮?dú)饣驂嚎s空氣壓入料斗，并流延到傳送帶上，用刮刀控制流延層厚度，并在100℃烘干，然后將生瓷帶卷在軸上，厚度為0.2mm。；（3）落料是將流延好的生瓷帶裁切或沖成160×160、200×200的方塊；（4）沖孔是在生瓷片上打0.3mm通孔來，連通各層，孔的精度為±0.35mm；（5）填孔和印刷導(dǎo)電線路通過生瓷帶通孔來填充、印刷導(dǎo)電漿料，使陶瓷片具有線路導(dǎo)電、內(nèi)部線路與外部引線連通功能；（6）干燥是在印刷后進(jìn)行烘干，以除去漿料中的有機(jī)溶劑，并對(duì)印刷圖形進(jìn)行定形。其溫度為115℃，時(shí)間為7分鐘；（7）疊層、熱壓將印刷好圖形和互相連通的生瓷片按照設(shè)計(jì)好的層次和次序，經(jīng)過噴膠，然后疊加到一起，并在一定的溫度和壓力下使它們緊密粘結(jié)，從而形成完整的多層陶瓷基座胚，并對(duì)對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮，所述熱壓在溫度為90℃，壓力為175kg/cm2的情況下對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮；（8）切割將層壓好的生瓷片按照要求切割成規(guī)定尺寸；（9）排膠、燒結(jié)對(duì)溶劑性粘合劑以每小時(shí)35℃的升溫速度升至460℃后并保溫3.75小時(shí)，然后每小時(shí)升溫220℃至1550℃進(jìn)行燒結(jié)，所述燒結(jié)中充入氮?dú)獗Ｗo(hù)；（10）鍍鎳對(duì)燒結(jié)后成片連接在一起的陶瓷基座進(jìn)行電鍍，電鍍時(shí)應(yīng)先鍍鎳，鍍鎳層厚度為2.45μm；（11）釬焊將Ag72～Cu28焊環(huán)套放在基板上，再將沖壓密封框放在焊環(huán)上進(jìn)行燒結(jié)，以將焊環(huán)焊在基座上；（12）切斷將燒結(jié)電鍍好的基座，按照切割好的線路折斷，以形成單個(gè)的基座。實(shí)施例3：一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：（1）混料、球磨在陶瓷粉料中加入粘合劑，經(jīng)過球磨混料機(jī)混料12小時(shí)，即可形成高粘度漿料，所述陶瓷粉料為高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末按1:1混合而成，所述粘合劑由聚乙烯醇縮丁醛和正丁醇和三氯乙烯按質(zhì)量比為1:1:2制成；（2）流延先對(duì)球磨漿料進(jìn)行消泡，消除球磨漿料中含有的氣泡，將球磨好的漿料用氮?dú)饣驂嚎s空氣壓入料斗，并流延到傳送帶上，用刮刀控制流延層厚度，并在120℃烘干，然后將生瓷帶卷在軸上，厚度為0.25mm。；（3）落料是將流延好的生瓷帶裁切或沖成160×160、200×200的方塊；（4）沖孔是在生瓷片上打0.5mm通孔來，連通各層，孔的精度為±0.05mm；（5）填孔和印刷導(dǎo)電線路通過生瓷帶通孔來填充、印刷導(dǎo)電漿料，使陶瓷片具有線路導(dǎo)電、內(nèi)部線路與外部引線連通功能；（6）干燥是在印刷后進(jìn)行烘干，以除去漿料中的有機(jī)溶劑，并對(duì)印刷圖形進(jìn)行定形。其溫度為170℃，時(shí)間為9分鐘；（7）疊層、熱壓將印刷好圖形和互相連通的生瓷片按照設(shè)計(jì)好的層次和次序，經(jīng)過噴膠，然后疊加到一起，并在一定的溫度和壓力下使它們緊密粘結(jié)，從而形成完整的多層陶瓷基座胚，并對(duì)對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮，所述熱壓在溫度為120℃，壓力為300kg/cm2的情況下對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮；（8）切割將層壓好的生瓷片按照要求切割成規(guī)定尺寸；（9）排膠、燒結(jié)對(duì)溶劑性粘合劑以每小時(shí)45℃的升溫速度升至460℃后并保溫4.5小時(shí)，然后每小時(shí)升溫220℃至1750℃進(jìn)行燒結(jié)，所述燒結(jié)中充入氮?dú)獗Ｗo(hù)；（10）鍍鎳對(duì)燒結(jié)后成片連接在一起的陶瓷基座進(jìn)行電鍍，電鍍時(shí)應(yīng)先鍍鎳，鍍鎳層厚度為3.45μm；（11）釬焊將Ag72～Cu28焊環(huán)套放在基板上，再將沖壓密封框放在焊環(huán)上進(jìn)行燒結(jié)，以將焊環(huán)焊在基座上；（12）切斷將燒結(jié)電鍍好的基座，按照切割好的線路折斷，以形成單個(gè)的基座。經(jīng)過以上工藝后，分別取出樣品，測(cè)量結(jié)果如下：檢測(cè)項(xiàng)目實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3現(xiàn)有技術(shù)指標(biāo)合格率（%）91959290外形外形平整、不變形外形平整、不變形外形平整、不變形外形粗糙、變形體積小小小一般根據(jù)上述表格數(shù)據(jù)可以得出，當(dāng)實(shí)施例2參數(shù)時(shí)生產(chǎn)出的石英晶體諧振器陶瓷基座比現(xiàn)有技術(shù)制造出的合格率高，且具有基座外形平整、不變形、產(chǎn)品體積小的優(yōu)點(diǎn)基座外形平整、不變形、產(chǎn)品體積小的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提供了一種石英晶體諧振器陶瓷基座的生產(chǎn)工藝，所述陶瓷粉料為高溫陶瓷粉末和低溫陶瓷粉末按比例為1:1混合而成，既使介電常數(shù)小，又保證了結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高，致密性好，所述粘合劑由聚乙烯醇縮丁醛和正丁醇和三氯乙烯按質(zhì)量比為1:1:2制成，具有較好的粘合性能，所述流延前先對(duì)球磨漿料進(jìn)行消泡，消除球磨漿料中含有的大量氣泡，為避免在生瓷帶中出現(xiàn)針眼，所述疊層、熱壓中在溫度為60～120℃，壓力為50～300kg/cm2的情況下對(duì)陶瓷基座漿料進(jìn)行壓縮，而且壓力均勻，以保證燒結(jié)收縮率的一致性，所述排膠、燒結(jié)中充入氮?dú)獗Ｗo(hù)燒結(jié)，可防止金屬材料和加熱元件不被氧化，利用該生產(chǎn)工藝生產(chǎn)出的石英晶體諧振器陶瓷基座外形平整、不變形、產(chǎn)品體積小的優(yōu)點(diǎn)。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3