1.一種用于短波電臺(tái)的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：高通濾波器、不平衡轉(zhuǎn)平衡變壓器、第一級(jí)LDMOS功率放大管組、1:1傳輸線變壓器、第二級(jí)LDMOS功率放大管組、1:4傳輸線變壓器、平衡轉(zhuǎn)不平衡變壓器；
所述高通濾波器的信號(hào)輸入端電連接功率放大器的射頻信號(hào)輸入端，所述射頻信號(hào)輸入端輸入射頻模擬信號(hào)；所述高通濾波器的信號(hào)輸出端電連接所述不平衡轉(zhuǎn)平衡變壓器的信號(hào)輸入端，所述不平衡轉(zhuǎn)平衡變壓器的信號(hào)輸出端電連接所述第一級(jí)LDMOS功率放大管組的信號(hào)輸入端，所述第一級(jí)LDMOS功率放大管組的信號(hào)輸出端電連接所述1:1傳輸線變壓器的信號(hào)輸入端，所述1:1傳輸線變壓器的信號(hào)輸出端電連接所述第二級(jí)LDMOS功率放大管組的信號(hào)輸入端，所述第二級(jí)LDMOS功率放大管組的信號(hào)輸出端電連接所述1:4傳輸線變壓器的信號(hào)輸入端，所述1:4傳輸線變壓器的信號(hào)輸出端電連接所述平衡轉(zhuǎn)不平衡變壓器的信號(hào)輸入端，所述平衡轉(zhuǎn)不平衡變壓器的信號(hào)輸出端電連接功率放大器的射頻信號(hào)輸出端；所述射頻信號(hào)輸出端輸出功率放大后的射頻模擬信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于短波電臺(tái)的功率放大器，其特征在于，
所述高通濾波器用于抑制短波段頻率中低頻射頻信號(hào)；所述頻率中低頻射頻信號(hào)指頻率在1.6MHz-15MHz范圍內(nèi)的射頻信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于短波電臺(tái)的功率放大器，其特征在于，所述第一級(jí)LDMOS功率放大管組或者所述第二級(jí)LDMOS功率放大管組采用LDMOS功率放大管組；
所述LDMOS功率放大管組的硬件電路包含第一偏置電路、第二偏置電路、第一LDMOS功率放大管和第二LDMOS功率放大管；
所述第一偏置電路的輸入端連接偏置電壓輸入端，所述第一偏置電路的輸入端還連接第一電阻的一端，所述第一電阻的另一端連接第一可變電阻的一端，所述第一可變電阻的另一端連接第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端接地；所述第一可變電阻的滑動(dòng)輸出端分別連接第三電阻的一端和第一電容的一端，所述第一電容的另一端接地，所述第三電阻的另一端作為所述第一偏置電路的輸出端；
所述第二偏置電路的輸入端連接所述偏置電壓輸入端，所述第二偏置電路的輸入端還連接第四電阻的一端，所述第四電阻的另一端連接第二可變電阻的一端，所述第二可變電阻的另一端連接第五電阻的一端，所述第五電阻的另一端接地；所述第二可變電阻的滑動(dòng)輸出端分別連接第六電阻的一端和第二電容的一端，所述第二電容的另一端接地，所述第六電阻的另一端作為所述第二偏置電路的輸出端；
所述第一偏置電路的輸出端連接第一LDMOS功率放大管的柵極，所述第一LDMOS功率放大管的源極接地，所述第一LDMOS功率放大管的漏極輸出作為所述LDMOS功率放大管組輸出端的第一輸出端子；
所述第二偏置電路的輸出端連接第二LDMOS功率放大管的柵極，所述第二LDMOS功率放大管的源極接地，所述第二LDMOS功率放大管的漏極輸出作為所述LDMOS功率放大組輸出端的第二輸出端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于短波電臺(tái)的功率放大器，其特征在于，所述LDMOS功率放大管組中的第一LDMOS功率放大管和第二LDMOS功率放大管的增益小于或者等于16dB。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于短波電臺(tái)的功率放大器，其特征在于，所述第一級(jí)LDMOS功率放大管組中的第一LDMOS功率放大管和第二LDMOS功率放大管的型號(hào)為RD16HHF1；
所述第二級(jí)LDMOS功率放大管組中的第一LDMOS功率放大管和第二LDMOS功率放大管的型號(hào)為RD30HVF1。