本發(fā)明涉及電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種驅(qū)動(dòng)電路及汽車。

背景技術(shù)：

在驅(qū)動(dòng)電路中，采用脈沖寬度調(diào)制(pwm，pulsewidthmodulation)驅(qū)動(dòng)方式時(shí)，往往為低電平0v關(guān)斷，高電平+18v開(kāi)通。但是，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路中金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet，metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動(dòng)電平(0v)容易受到對(duì)管開(kāi)關(guān)的干擾，引起2～3v電壓尖峰，如果達(dá)到金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通門限vth電壓，則會(huì)導(dǎo)致本應(yīng)該處于關(guān)斷狀態(tài)的金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管誤開(kāi)通，引起上下橋臂直通短路，有可能導(dǎo)致充電機(jī)工作異?；蚪饘?氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管炸裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種驅(qū)動(dòng)電路及汽車，用以實(shí)現(xiàn)通過(guò)穩(wěn)壓電路使在有干擾情況下金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓也不會(huì)達(dá)到導(dǎo)通門限。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：

驅(qū)動(dòng)信號(hào)源；

第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和柵極連接形成一閉合回路，其中所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏級(jí)與一預(yù)設(shè)電壓端連接；

串聯(lián)于所述閉合回路中的穩(wěn)壓電路；

其中，在所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，所述穩(wěn)壓電路使所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和柵極之間的電壓小于預(yù)設(shè)值。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括：

泄壓電路，設(shè)置于與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管并聯(lián)的支路上，用于在所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管呈斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，連通所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源，使所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的電壓降低。

進(jìn)一步的，所述穩(wěn)壓電路包括：第一穩(wěn)壓管和電容；

其中，所述第一穩(wěn)壓管的正極分別與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和所述電容的第一端連接，所述第一穩(wěn)壓管的負(fù)極分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源和所述電容的第二端連接；

所述電容的第一端還與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接，所述電容的第二端還與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接。

進(jìn)一步的，所述泄壓電路包括第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源和所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接，源極分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源和所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接，漏級(jí)分別與所述穩(wěn)壓電路和所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接。

進(jìn)一步的，所述泄壓電路還包括：第一電阻、第一二極管和第二穩(wěn)壓管；

其中，所述第一電阻的第一端分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源和所述第一二極管的正極連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極、所述第一二極管的負(fù)極和所述第二穩(wěn)壓管的負(fù)極連接；

所述第一二極管的第一端還與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接，所述第一二極管的第二端還分別與所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和第二穩(wěn)壓管的負(fù)極連接；

所述第二穩(wěn)壓管的正極與驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接，所述第二穩(wěn)壓管的負(fù)極還與所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括串聯(lián)在所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接的電路上的第二二極管；

其中，所述第二二極管的正極與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接，所述第二二極管的負(fù)極與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第二電阻；

其中，所述第二電阻的第一端與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接，第二端與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接。

進(jìn)一步的，所述穩(wěn)壓電路與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接的電路上設(shè)置有第三電阻。

進(jìn)一步的，所述穩(wěn)壓電路與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接的電路上設(shè)置有第四電阻。

根據(jù)本發(fā)明又一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種汽車，包括充電電路，還包括如上所述的驅(qū)動(dòng)電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)電路及汽車，至少具有以下有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例，通過(guò)設(shè)置穩(wěn)壓電路使得第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，源極和柵極之間的電壓小于預(yù)設(shè)值，使其在斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)即使受到對(duì)管工作干擾，源極和柵極之間的電壓也小于第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通的導(dǎo)通門限，保證第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷狀態(tài)的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。在下面的描述中，提供諸如具體的配置和組件的特定細(xì)節(jié)僅僅是為了幫助全面理解本發(fā)明的實(shí)施例。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，可以對(duì)這里描述的實(shí)施例進(jìn)行各種改變和修改而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。另外，為了清楚和簡(jiǎn)潔，省略了對(duì)已知功能和構(gòu)造的描述。

應(yīng)理解，說(shuō)明書(shū)通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”未必一定指相同的實(shí)施例。此外，這些特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任意適合的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。

參見(jiàn)圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：

驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v；

第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極和柵極連接形成一閉合回路，其中所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的漏級(jí)與一預(yù)設(shè)電壓端連接；

串聯(lián)于所述閉合回路中的穩(wěn)壓電路；

其中，在所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，所述穩(wěn)壓電路使所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極和柵極之間的電壓小于預(yù)設(shè)值。

本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路可以應(yīng)用于多種采用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行關(guān)斷操作的電路中。例如，在雙向車載充電機(jī)直流轉(zhuǎn)直流dc/dc中部分使用全橋邏輯鏈路控制llc拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，原邊諧振腔由4個(gè)功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、諧振電感、諧振電容、主變壓器組成，在該電路中便可采用本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，其中，第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的漏級(jí)與其他控制電路的元器件連接。

本發(fā)明實(shí)施例，通過(guò)設(shè)置穩(wěn)壓電路，通過(guò)穩(wěn)壓電路產(chǎn)生一預(yù)定電壓，其中，當(dāng)穩(wěn)壓電路與第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極連接時(shí)則可設(shè)置使穩(wěn)壓電路產(chǎn)生一負(fù)壓，與第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極連接的時(shí)則可設(shè)置使穩(wěn)壓電路產(chǎn)生一正壓，使得第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，源極和柵極之間的電壓小于預(yù)設(shè)值，使其在斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)即使受到對(duì)管工作干擾，源極和柵極之間的電壓也小于第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1導(dǎo)通的導(dǎo)通門限，保證第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1關(guān)斷狀態(tài)的可靠性。下面舉例說(shuō)明，例如，在電路中，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管可能受到干擾或電路存在一定的波動(dòng)，產(chǎn)生2～3v的電壓尖峰，穩(wěn)壓電路則能夠產(chǎn)生一與電壓尖峰相匹配的電壓，當(dāng)穩(wěn)壓電路與金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極端連接時(shí)，則可設(shè)置穩(wěn)壓電路能夠產(chǎn)生一負(fù)壓，使得電壓尖峰時(shí)柵極的正電子能夠與穩(wěn)壓電路產(chǎn)生的負(fù)壓中和，使得在電壓尖峰時(shí)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管也不會(huì)導(dǎo)通。

其中，對(duì)于第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1可以是碳化硅金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還可以包括：

泄壓電路，設(shè)置于與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1并聯(lián)的支路上，用于在所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1呈斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，連通所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v，使所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極的電壓降低。

在本發(fā)明實(shí)施例中，還設(shè)置了泄壓電路，使得在使用pwm脈沖電壓信號(hào)時(shí)，產(chǎn)生高電平pwm脈沖電壓時(shí)，第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1正常工作，其柵極端電勢(shì)較高，當(dāng)產(chǎn)生低電平pwm脈沖電壓時(shí)，第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1柵極端能夠與驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接，使得第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1柵極端電勢(shì)降低。

繼續(xù)參見(jiàn)圖1，所述穩(wěn)壓電路可以包括：第一穩(wěn)壓管zd1和電容c；

其中，所述第一穩(wěn)壓管zd1的正極分別與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極和所述電容c的第一端連接，所述第一穩(wěn)壓管zd1的負(fù)極分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v和所述電容c的第二端連接；

所述電容c的第一端還與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極連接，所述電容c的第二端還與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接。

本發(fā)明實(shí)施例，根據(jù)可能產(chǎn)生的電壓尖峰選著對(duì)應(yīng)的第一穩(wěn)壓管zd1，利用第一穩(wěn)壓管zd1使得電容c兩端的電壓為預(yù)設(shè)的電壓。繼續(xù)上述舉例進(jìn)行解釋。在驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v為高電平時(shí)，第一穩(wěn)壓管zd1使得電容c兩端保持為預(yù)設(shè)的電壓，在驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v為低電平時(shí)，第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1關(guān)斷，保證其vgs電壓為負(fù)值(約-3v左右)，通過(guò)選擇第一穩(wěn)壓管zd1不同穩(wěn)壓值，與電容c搭配，調(diào)整負(fù)電壓的負(fù)值。高電平產(chǎn)生時(shí)，電容c兩端產(chǎn)生所需要的電壓值(約3v左右)，一直維持左正右負(fù)，當(dāng)?shù)碗娖綍r(shí)，利用電容c電壓不能突變的特點(diǎn)，電容c仍然維持3v左右電壓值，電壓極性不變，此時(shí)第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1vgs產(chǎn)生-3v電壓，即使再有3v電壓尖峰干擾產(chǎn)生，vgs最大也就是0v，3v+(-3v)＝0v。保證關(guān)斷時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓遠(yuǎn)低于第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1導(dǎo)通門限電壓vth，保證可靠關(guān)斷。

繼續(xù)參見(jiàn)圖1，所述泄壓電路可以包括第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2；

所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2的柵極分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v和所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極連接，源極分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v和所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極連接，漏級(jí)分別與所述穩(wěn)壓電路和所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接。

其中，所述泄壓電路還可以包括：第一電阻r1、第一二極管d1和第二穩(wěn)壓管zd2；

其中，所述第一電阻r1的第一端分別與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v和所述第一二極管d1的正極連接，所述第一電阻r1的第二端分別與所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2的柵極、所述第一二極管d1的負(fù)極和所述第二穩(wěn)壓管zd2的負(fù)極連接；

所述第一二極管d1的第一端還與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接，所述第一二極管d1的第二端還分別與所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2的柵極和第二穩(wěn)壓管zd2的負(fù)極連接；

所述第二穩(wěn)壓管zd2的正極與驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接，所述第二穩(wěn)壓管zd2的負(fù)極還與所述第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2的柵極連接。

本發(fā)明實(shí)施例中的第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2也可以替換為三極管。其中，通過(guò)設(shè)置第一二極管d1，利用二極管導(dǎo)電性能優(yōu)加快驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v與第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2的柵極的連通，其中，通過(guò)設(shè)置第一電阻r1進(jìn)行分壓，防止第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q2損壞。

繼續(xù)參見(jiàn)圖1，所述驅(qū)動(dòng)電路還可以包括串聯(lián)在所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接的電路上的第二二極管d2；

其中，所述第二二極管d2的正極與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極連接，所述第二二極管d2的負(fù)極與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接。通過(guò)設(shè)置第二二極管d2，利用二極管導(dǎo)電性能優(yōu)加快第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極與驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v的連通。

其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還可以包括第二電阻r2；

其中，所述第二電阻r2的第一端與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極連接，第二端與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的源極連接。通過(guò)設(shè)置第二電阻r2連接第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極和源極，實(shí)現(xiàn)防靜電功能。

其中，所述穩(wěn)壓電路與所述第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1的柵極連接的電路上設(shè)置有第三電阻r3。通過(guò)設(shè)置第三電阻r3進(jìn)行分壓，防止第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1損壞。

其中，所述穩(wěn)壓電路與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)源v連接的電路上設(shè)置有第四電阻r4。

根據(jù)本發(fā)明又一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種汽車，包括充電電路，還包括如上所述的驅(qū)動(dòng)電路。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例，通過(guò)設(shè)置穩(wěn)壓電路使得第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，源極和柵極之間的電壓小于預(yù)設(shè)值，使其在斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)即使受到對(duì)管工作干擾，源極和柵極之間的電壓也小于第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1導(dǎo)通的導(dǎo)通門限，保證第一金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管q1關(guān)斷狀態(tài)的可靠性。

還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。