本實(shí)用新型涉及一種控制電路，具體是一種延遲復(fù)位電路。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)迅猛的發(fā)展，隨處可見智能機(jī)、MP3、智能手表、智能手環(huán)等電子產(chǎn)品，其中很大部分電子產(chǎn)品無法實(shí)現(xiàn)斷電復(fù)位功能；為了能使產(chǎn)品在死機(jī)時(shí)可以復(fù)位重啟，必須添加專門的復(fù)位電路，通常復(fù)位電路有以下幾種方案：1、獨(dú)立物理按鍵開關(guān)復(fù)位；2、增加復(fù)位芯片，復(fù)用開機(jī)鍵進(jìn)行復(fù)位；3、軟件看門狗復(fù)位。

對于第一種方案，需要產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)上額外開復(fù)位孔，這就影響了電子產(chǎn)品的整體美觀，且額外的增加成本，尤其對于需要做防水設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，這種方案更是不可行。對于第二種方案，是目前多數(shù)電子產(chǎn)品所使用的方案，但是需要增加額外的復(fù)位芯片，增加了電子產(chǎn)品的成本。第三種方案一般是在軟件代碼里使用軟件看門狗形式，當(dāng)電子產(chǎn)品死機(jī)時(shí)，放置一定時(shí)間，系統(tǒng)便會重啟，這種方案雖然廉價(jià)卻讓用戶面對死機(jī)無計(jì)可施，大大影響用戶體驗(yàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種延遲復(fù)位電路以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種延遲復(fù)位電路，包括高電平端電源VDD、電阻R23、電阻R31、電阻R32、電容C32、MOS管Q1、二極管D3、二極管D4、開關(guān)機(jī)鍵K2和復(fù)位接口；所述高電平端電源VDD與電阻R23的一端、電阻R31的一端、電阻R32的一端、二極管D4的一端連接，電阻R23的另一端與電容C32的一端、二極管D4的另一端、MOS管Q1的G極連接，電容C32的另一端和電阻R31的另一端、MOS管Q1的S極連接、二極管D3的一端連接，電阻R32的另一端與MOS管Q1的D極連接，二極管D3的另一端與開關(guān)機(jī)鍵K2一端連接，所述開關(guān)機(jī)鍵K2的另一端接地。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述MOS管Q1為2SK3541型。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述二極管D3 D4為RB520S-30TE61型號。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述電容C32為10uF。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述電阻R23為2M，所述電阻R31為1K，所述電阻R32為100K。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型延遲復(fù)位電路采用簡單廉價(jià)的MOS管設(shè)計(jì)復(fù)位電路，利用CPU電源作為復(fù)位的觸發(fā)電源，利用電子產(chǎn)品的開關(guān)機(jī)鍵作為復(fù)位的開關(guān)，復(fù)位電路可靠有效、成本低廉。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中，一種延遲復(fù)位電路，包括高電平端電源VDD、電阻R23、電阻R31、電阻R32、電容C32、MOS管Q1、二極管D3、二極管D4、開關(guān)機(jī)鍵K2和復(fù)位接口；所述高電平端電源VDD與電阻R23的一端、電阻R31的一端、電阻R32的一端、二極管D4的一端連接，電阻R23的另一端與電容C32的一端、二極管D4的另一端、MOS管Q1的G極連接，電容C32的另一端和電阻R31的另一端、MOS管Q1的S極連接、二極管D3的一端連接，電阻R32的另一端與MOS管Q1的D極連接，二極管D3的另一端與開關(guān)機(jī)鍵K2一端連接，所述開關(guān)機(jī)鍵K2的另一端接地。

MOS管Q1為2SK3541型。二極管D3 D4為RB520S-30TE61型號。電容C32為10uF。電阻R23為2M，電阻R31為1K，電阻R32為100K。

本實(shí)用新型的工作原理是：當(dāng)電子產(chǎn)品死機(jī)時(shí)，用戶長按開關(guān)機(jī)鍵K2,接通開關(guān)機(jī)鍵K2；然后CPU電源VDD高電平端給電路供電；在VDD高電平端給電路供電的瞬間，電源VDD通過電阻R23給電容C32充電，通過D3到地；由于電容C32兩端電壓不會突變，致使MOS管Q1的G極處于低電平，MOS管Q1截止；當(dāng)電容充電結(jié)束，電容C32兩端電壓達(dá)到MOS導(dǎo)通門限電壓時(shí)，MOS管Q1導(dǎo)通，使得復(fù)位接口通過開關(guān)機(jī)鍵K2拉低到地，根據(jù)RC電路的時(shí)間常數(shù)τ=RC可知電容越大，電阻越大充電時(shí)間就越長，從而實(shí)現(xiàn)延遲復(fù)位的效果；當(dāng)系統(tǒng)復(fù)位完成，開關(guān)機(jī)鍵K2松開，電容C32通過二極管D4，電阻R31形成放電回路，快速把電容C32兩端的電荷消耗掉，為下次復(fù)位做準(zhǔn)備；加上二極管D3,可以防止開機(jī)信號PWRKEY腳的上拉電平高過復(fù)位信號腳的上拉電平而產(chǎn)生的電流倒灌問題。

本實(shí)用新型所述的復(fù)位電路中，MOS管Q1為2SK3541型，二極管D3 D4為RB520S-30TE61型號，電容C32為10uF，電阻R23為2M，所述電阻R31為1K，所述電阻R32為100K。

本實(shí)用新型采用簡單廉價(jià)的MOS管及阻容器件設(shè)計(jì)了可靠有效的復(fù)位電路，不需要在電子產(chǎn)品上額外開設(shè)復(fù)位孔，也不需要額外的復(fù)位芯片，成本低廉，可靠有效。

以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理，這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。基于此處的解釋，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。