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一種延遲復位電路的制作方法

文檔序號:12863355閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種延遲復位電路,包括高電平端電源VDD、電阻R23、電阻R31、電阻R32、電容C32、MOS管Q1、二極管D3、二極管D4、開關機鍵K2和復位接口;其特征在于,所述高電平端電源VDD與電阻R23的一端、電阻R31的一端、電阻R32的一端、二極管D4的一端連接,電阻R23的另一端與電容C32的一端、二極管D4的另一端、MOS管Q1的G極連接,電容C32的另一端和電阻R31的另一端、MOS管Q1的S極連接、二極管D3的一端連接,電阻R32的另一端與MOS管Q1的D極連接,二極管D3的另一端與開關機鍵K2一端連接,所述開關機鍵K2的另一端接地。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種延遲復位電路其特征在于,所述MOS管Q1為2SK3541型。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種延遲復位電路其特征在于,所述二極管D3 D4為RB520S-30TE61型號。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種延遲復位電路其特征在于,所述電容C32為10uF。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種延遲復位電路其特征在于,所述電阻R23為2M,所述電阻R31為1K,所述電阻R32為100K。

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