技術(shù)特征：

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器，其特征在于，

11.一種存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器的制造方法，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器的制造方法，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器的制造方法，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供了一種存儲器及其制造方法。存儲器包括：存儲陣列，包括多個垂直晶體管以及多個存儲單元；多條位線，位于垂直晶體管遠離存儲單元的一側(cè)；第一互連結(jié)構(gòu)，位于位線遠離存儲陣列的一側(cè)；第二互連結(jié)構(gòu)，位于第一互連結(jié)構(gòu)遠離位線的一側(cè)；鍵合界面，位于第一互連結(jié)構(gòu)和第二互連結(jié)構(gòu)之間；外圍電路，位于第二互連結(jié)構(gòu)遠離第一互連結(jié)構(gòu)的一側(cè)。其中，位線通過第一互連結(jié)構(gòu)、鍵合界面和第二互連結(jié)構(gòu)與外圍電路對應(yīng)耦接。其中，第一互連結(jié)構(gòu)包括第一互連層，第一互連層包括多個第一焊盤和多條第一引線，多個第一焊盤通過多條第一引線以及多個第一接觸插塞與多條位線對應(yīng)耦接，對于多條第一引線，延伸長度越大，寬度越大。

技術(shù)研發(fā)人員：肖德元,蔣懿,司書芳,楊晨,馮道歡,周穎,唐衍哲
受保護的技術(shù)使用者：長鑫存儲技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9