本發(fā)明涉及顯示技術，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術：

1、有機發(fā)光二極管(oled)顯示器是當今平板顯示器研究領域的熱點之一。與使用穩(wěn)定電壓控制亮度的薄膜晶體管-液晶顯示器(tft-lcd)不同，oled由需要保持恒定以控制亮度的驅(qū)動電流驅(qū)動。oled顯示面板包括多個像素單元，該多個像素單元配置有呈多行和多列布置的像素驅(qū)動電路。每個像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管具有連接至每行一條柵線的柵極端子和連接至每列一條數(shù)據(jù)線的漏極端子。當像素單元被選通的行導通時，連接至驅(qū)動晶體管的開關晶體管導通，數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線經(jīng)由開關晶體管施加到驅(qū)動晶體管，使得驅(qū)動晶體管將與數(shù)據(jù)電壓對應的電流輸出到oled器件。oled器件被驅(qū)動以發(fā)出對應亮度的光。

技術實現(xiàn)思路

1、一方面，本公開提供了一種陣列基板，包括多個像素驅(qū)動電路；其中，所述多個像素驅(qū)動電路中的各個像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管、數(shù)據(jù)寫入晶體管、包括第一電容器電極和第二電容器電極的第一電容器、以及包括第三電容器電極和第四電容器電極的第二電容器；其中，所述第二電容器電極和所述第三電容器電極耦接到所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二電極；其中，所述陣列基板包括電容器電極的堆疊結(jié)構(gòu)；其中，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：所述第一電容器電極；絕緣層，其位于所述第一電容器電極上；包括所述第二電容器電極和所述第三電容器電極的電極塊，其位于所述絕緣層的遠離所述第一電容器電極的一側(cè)；層間介質(zhì)層，其位于所述電極塊的遠離所述絕緣層的一側(cè)；以及所述第四電容器電極，其位于所述層間介質(zhì)層的遠離所述電極塊的一側(cè)。

2、可選地，所述第四電容器電極連接至第一電壓供應線。

3、可選地，所述第一電容器電極、所述絕緣層和所述電極塊形成所述第一電容器；以及所述電極塊、所述層間介質(zhì)層和所述第四電容器電極形成所述第二電容器的至少一部分。

4、可選地，所述陣列基板還包括位于半導體材料層中的多個第一電壓供應線第三分支；其中，所述堆疊結(jié)構(gòu)還包括：柵絕緣層，其位于所述第一電容器電極的遠離所述絕緣層的一側(cè)；以及所述多個第一電壓供應線第三分支中的相應第一電壓供應線第三分支，其位于所述柵絕緣層的遠離所述第一電容器電極的一側(cè)。

5、可選地，所述第一電容器電極、所述絕緣層和所述電極塊形成所述第一電容器；所述電極塊、所述層間介質(zhì)層和所述第四電容器電極形成所述第二電容器的第一部分；以及所述電極塊、所述絕緣層、所述柵絕緣層、所述相應第一電壓供應線第三分支的一部分形成所述第二電容器的第二部分。

6、可選地，所述陣列基板還包括位于第一信號線層中的第一節(jié)點連接線和第二節(jié)點連接線；其中，所述各個像素驅(qū)動電路還包括補償晶體管、第一復位晶體管和第二復位晶體管；所述第一節(jié)點連接線將所述第一電容器電極與所述補償晶體管的第二電極和/或所述第一復位晶體管的第二電極連接；以及所述第二節(jié)點連接線將所述電極塊與所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二電極和/或所述第二復位晶體管的第二電極連接。

7、可選地，所述第一節(jié)點連接線和所述第二節(jié)點連接線位于所述第四電容器電極的遠離所述電極塊的一側(cè)。

8、可選地，所述第一節(jié)點連接線和所述第二節(jié)點連接線與所述第四電容器電極位于同一層。

9、可選地，所述陣列基板還包括位于半導體材料層中的第四節(jié)點部分；其中，所述各個像素驅(qū)動電路還包括補償晶體管和第二發(fā)光控制晶體管；其中，所述第四節(jié)點部分包括所述驅(qū)動晶體管的第二電極的至少一部分、所述補償晶體管的第一電極的至少一部分、和所述第二發(fā)光控制晶體管的第一電極的至少一部分；以及所述第四節(jié)點部分在襯底基板上的正投影與多個數(shù)據(jù)線中的相應數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影至少部分地重疊。

10、可選地，所述第四節(jié)點部分在所述襯底基板上的所述正投影被所述第四電容器電極和多個第一復位信號線中的相應第一復位信號線的組合在所述襯底基板上的正投影覆蓋至少50％。

11、可選地，所述第四電容器電極包括第一部分和第二部分；所述第一部分在所述襯底基板上的正投影基本上覆蓋所述電極塊在所述襯底基板上的正投影；所述第二部分在所述襯底基板上的正投影與所述電極塊在所述襯底基板上的正投影不重疊；以及所述第四節(jié)點部分在所述襯底基板上的所述正投影與所述第二部分在所述襯底基板上的所述正投影部分地重疊。

12、可選地，所述第二部分在所述襯底基板上的所述正投影與多個復位控制信號線中的相應復位控制信號線在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，并且與多個第二補償控制信號線中的相應第二補償控制信號線在所述襯底基板上的正投影部分地重疊。

13、可選地，所述相應第一復位信號線包括主體、遠離所述主體延伸的第一突出部、以及遠離所述主體延伸的第二突出部；所述第一突出部和所述第二突出部沿基本上相反的方向遠離所述主體延伸；以及所述第四節(jié)點部分在所述襯底基板上的所述正投影與所述第一突出部和所述第二突出部在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，并且與所述主體的連接所述第一突出部和所述第二突出部的部分在所述襯底基板上的正投影部分地重疊。

14、可選地，所述陣列基板還包括：第一數(shù)據(jù)線，其被配置為向第一子像素提供數(shù)據(jù)信號；第二數(shù)據(jù)線，其被配置為向第二子像素提供數(shù)據(jù)信號；第三數(shù)據(jù)線，其被配置為向第三子像素提供數(shù)據(jù)信號；第一陽極，其位于所述第一子像素中；第二陽極，其位于所述第二子像素中；以及第三陽極，其位于所述第三子像素中；其中，所述第一陽極、所述第二陽極和所述第三陽極的組合在襯底基板上的正投影與所述第一數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，與所述第二數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，而與所述第三數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影不重疊。

15、可選地，所述第一數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的所述正投影與所述第一陽極在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，并且與所述第二陽極在所述襯底基板上的正投影部分地重疊；以及所述第二數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的所述正投影與所述第三陽極在所述襯底基板上的正投影部分地重疊。

16、可選地，第一重疊區(qū)域的沿第一對應數(shù)據(jù)線的延伸方向的長度小于所述第一陽極的沿所述第一對應數(shù)據(jù)線的所述延伸方向的總長度，其中，所述第一重疊區(qū)域是所述第一陽極在所述襯底基板上的正投影與所述第一對應數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影重疊的區(qū)域；第二重疊區(qū)域的沿第二對應數(shù)據(jù)線的延伸方向的長度小于所述第二陽極的沿所述第二對應數(shù)據(jù)線的所述延伸方向的總長度，其中，所述第二重疊區(qū)域是所述第二陽極在所述襯底基板上的正投影與所述第二對應數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影重疊的區(qū)域；第三重疊區(qū)域的沿第三對應數(shù)據(jù)線的延伸方向的長度小于所述第三陽極的沿所述第三對應數(shù)據(jù)線的所述延伸方向的總長度，所述第三重疊區(qū)域是所述第三陽極在所述襯底基板上的正投影與所述第三對應數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影重疊的區(qū)域；以及所述第一對應數(shù)據(jù)線、所述第二對應數(shù)據(jù)線以及所述第三對應數(shù)據(jù)線選自所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線。

17、可選地，所述陣列基板還包括互連第一電壓供應網(wǎng)絡；其中，所述互連第一電壓供應網(wǎng)絡包括：多個第一電壓供應線第三分支，其位于半導體材料層；包括同一行中的多個第四電容器電極的整體結(jié)構(gòu)，其位于第一信號線層，所述第一信號線層位于所述半導體材料層的遠離襯底基板的一側(cè)；以及多個第一電壓供應線第二分支，其位于第二信號線層，所述第二信號線層位于所述第一信號線層的遠離所述半導體材料層的一側(cè)。

18、可選地，所述多個第一電壓供應線第三分支中的相應第一電壓供應線第三分支的一部分、所述電極塊、以及位于所述相應第一電壓供應線第三分支和所述電極塊之間的一個或多個絕緣材料層，形成所述第二電容器的一部分。

19、可選地，所述各個像素驅(qū)動電路還包括補償晶體管、第一復位晶體管、第一發(fā)光控制晶體管、第二發(fā)光控制晶體管、第二復位晶體管、第三復位晶體管、第四復位晶體管、第一節(jié)點、第二節(jié)點、第三節(jié)點和第四節(jié)點；其中，所述第一節(jié)點連接至所述第一電容器的所述第一電容器電極、所述補償晶體管的第二電極和所述驅(qū)動晶體管的柵極；所述第二節(jié)點連接至所述第一電容器的所述第二電容器電極、所述第二電容器的所述第三電容器電極、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二電極和所述第二復位晶體管的第二電極；所述第三節(jié)點連接至所述第一發(fā)光控制晶體管的第二電極、所述第四復位晶體管的第二電極和所述驅(qū)動晶體管的第一電極；以及所述第四節(jié)點連接至所述驅(qū)動晶體管的第二電極、所述補償晶體管的第一電極和所述第二發(fā)光控制晶體管的第一電極。

20、另一方面，本公開提供了一種顯示裝置，其包括本文所述的或通過本文所述的方法制造的陣列基板，以及連接至所述陣列基板的一個或多個集成電路。