1.一種陣列基板，包括多個像素驅(qū)動電路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第四電容器電極連接至第一電壓供應(yīng)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一電容器電極、所述絕緣層和所述電極塊形成所述第一電容器；以及
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括位于半導體材料層中的多個第一電壓供應(yīng)線第三分支；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中，所述第一電容器電極、所述絕緣層和所述電極塊形成所述第一電容器；
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的陣列基板，還包括位于第一信號線層中的第一節(jié)點連接線和第二節(jié)點連接線；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，所述第一節(jié)點連接線和所述第二節(jié)點連接線位于所述第四電容器電極的遠離所述電極塊的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，所述第一節(jié)點連接線和所述第二節(jié)點連接線與所述第四電容器電極位于同一層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的陣列基板，還包括位于半導體材料層中的第四節(jié)點部分；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中，所述第四節(jié)點部分在所述襯底基板上的所述正投影被所述第四電容器電極和多個第一復位信號線中的相應(yīng)第一復位信號線的組合在所述襯底基板上的正投影覆蓋至少50％。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中，所述第四電容器電極包括第一部分和第二部分；
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其中，所述第二部分在所述襯底基板上的所述正投影與多個復位控制信號線中的相應(yīng)復位控制信號線在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，并且與多個第二補償控制信號線中的相應(yīng)第二補償控制信號線在所述襯底基板上的正投影部分地重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中，所述相應(yīng)第一復位信號線包括主體、遠離所述主體延伸的第一突出部、以及遠離所述主體延伸的第二突出部；
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的陣列基板，還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其中，所述第一數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的所述正投影與所述第一陽極在所述襯底基板上的正投影部分地重疊，并且與所述第二陽極在所述襯底基板上的正投影部分地重疊；以及
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其中，第一重疊區(qū)域的沿第一對應(yīng)數(shù)據(jù)線的延伸方向的長度小于所述第一陽極的沿所述第一對應(yīng)數(shù)據(jù)線的所述延伸方向的總長度，其中，所述第一重疊區(qū)域是所述第一陽極在所述襯底基板上的正投影與所述第一對應(yīng)數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影重疊的區(qū)域；
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的陣列基板，還包括互連第一電壓供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)；
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陣列基板，其中，所述多個第一電壓供應(yīng)線第三分支中的相應(yīng)第一電壓供應(yīng)線第三分支的一部分、所述電極塊、以及位于所述相應(yīng)第一電壓供應(yīng)線第三分支和所述電極塊之間的一個或多個絕緣材料層，形成所述第二電容器的一部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至5和權(quán)利要求14至18中任一項所述的陣列基板，其中，所述各個像素驅(qū)動電路還包括補償晶體管、第一復位晶體管、第一發(fā)光控制晶體管、第二發(fā)光控制晶體管、第二復位晶體管、第三復位晶體管、第四復位晶體管、第一節(jié)點、第二節(jié)點、第三節(jié)點和第四節(jié)點；
20.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項所述的陣列基板以及連接至所述陣列基板的一個或多個集成電路。