本公開涉及dram裝置，在一個(gè)存儲(chǔ)器單元中包括一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器。

背景技術(shù)：

1、通常，在dram裝置中的一個(gè)隔離有源圖案內(nèi)可形成兩個(gè)存儲(chǔ)器單元。為了實(shí)現(xiàn)高度集成的dram裝置，適當(dāng)?shù)夭贾糜性磮D案以及有源圖案上的晶體管和電容器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供一種具有高集成度的半導(dǎo)體裝置。各種示例涉及dram裝置。

2、在一般方面，半導(dǎo)體裝置包括：有源陣列，其中，多個(gè)有源圖案布置在襯底上；柵極結(jié)構(gòu)，其在平行于襯底的上表面的第一方向上延伸并與有源圖案的中心部分交叉；位線結(jié)構(gòu)，其接觸有源圖案的與柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁相鄰的第一部分，并且在平行于襯底的上表面并垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及電容器，其電連接到有源圖案中的每一個(gè)的與柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁相鄰的第二部分。在平面圖中，有源圖案中的每一個(gè)的上端部分和有源圖案中的每一個(gè)的下端部分被布置為在相對(duì)于第一方向傾斜的第三方向上間隔開。在第二方向上并排布置的有源圖案形成有源列。

3、在另一個(gè)一般方面，半導(dǎo)體裝置包括：有源陣列，其中，多個(gè)有源圖案布置在襯底上；柵極結(jié)構(gòu)，其在平行于襯底的上表面的第一方向上延伸并與有源圖案的中心部分交叉，并且其中，有源圖案中的每一個(gè)被柵極結(jié)構(gòu)劃分成第一部分和第二部分；位線結(jié)構(gòu)，其接觸有源圖案的第一部分，并沿平行于襯底的上表面并垂直于第一方向的第二方向延伸，并且位線結(jié)構(gòu)包括堆疊的具有導(dǎo)電材料的位線圖案和第一絕緣圖案；以及電容器，其分別電連接到有源圖案的第二部分。在平面圖中，有源圖案中的每一個(gè)的上端部分和有源圖案中的每一個(gè)的下端部分被布置為在相對(duì)于第一方向傾斜的第三方向上間隔開。有源圖案中的每一個(gè)的第一部分的上表面低于有源圖案中的每一個(gè)的第二部分的上表面。

4、在另一個(gè)一般方面，半導(dǎo)體裝置包括：有源陣列，其中，多個(gè)有源圖案布置在襯底上；柵極結(jié)構(gòu)，其在平行于襯底的上表面的第一方向上延伸并與有源圖案的中心部分交叉，并且其中，有源圖案中的每一個(gè)被柵極結(jié)構(gòu)劃分成第一部分和第二部分；位線結(jié)構(gòu)，其接觸有源圖案的第一部分，并沿平行于襯底的上表面并垂直于第一方向的第二方向延伸，并且位線結(jié)構(gòu)包括堆疊的具有導(dǎo)電材料的位線圖案和第一絕緣圖案；以及絕緣間隔件，其設(shè)置在有源圖案的第二部分的側(cè)壁和位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間，并且在第二方向上延伸；第一接觸插塞，其分別接觸有源圖案的第二部分的上表面，并且第一接觸插塞中的每一個(gè)具有隔離的形狀；第二絕緣圖案，其在第二方向上在第一接觸插塞之間；以及電容器，其電連接到第一接觸插塞中的每一個(gè)。

5、在一些實(shí)施方式中，在平面圖中，有源圖案中的每一個(gè)的側(cè)壁具有在第三方向上延伸的直線形狀、在第三方向上延伸的彎曲形狀、以及具有在第二方向上延伸的上部和下部以及在上部和下部之間并在第一方向上延伸的中部的形狀中的一種。

6、在一些實(shí)施方式中，第三方向?qū)?yīng)于有源圖案中的每一個(gè)沿著其延伸的方向。

7、在一些實(shí)施方式中，在平面圖中，在第一方向上并排布置的有源圖案限定有源行。包括在偶數(shù)有源行中的有源圖案的至少一部分可設(shè)置在包括在奇數(shù)有源行中的相鄰有源圖案之間。

8、在一些實(shí)施方式中，柵極結(jié)構(gòu)在有源圖案上的第一凹部中。

9、在一些實(shí)施方式中，有源圖案的第一部分的上表面低于有源圖案的第二部分的上表面。

10、在一些實(shí)施方式中，絕緣間隔件在第二方向上延伸，并且被限定在有源圖案的第二部分的側(cè)壁與位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間。

11、在一些實(shí)施方式中，位線結(jié)構(gòu)包括位線圖案和第一絕緣圖案，位線圖案包括導(dǎo)電材料。

12、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括在位線圖案與有源圖案的第一部分的上表面之間的金屬硅化物圖案。

13、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括：第一接觸插塞，其具有隔離的形狀并且接觸有源圖案中的每一個(gè)的第二部分的上表面；以及第二接觸結(jié)構(gòu)，其接觸第一接觸插塞的上表面的至少一部分。電容器可接觸第二接觸結(jié)構(gòu)。

14、在一些實(shí)施方式中，第二接觸結(jié)構(gòu)以蜂窩結(jié)構(gòu)布置，蜂窩結(jié)構(gòu)設(shè)置在連接的六邊形的每個(gè)頂點(diǎn)處和六邊形中的每一個(gè)的中心處。

15、在一些實(shí)施方式中，第一接觸插塞的最上表面低于位線結(jié)構(gòu)的最上表面。

16、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括在第二方向上在第一接觸插塞之間的第二絕緣圖案。第一接觸插塞和第二絕緣圖案可與第二方向?qū)R。

17、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括：接觸插塞，其接觸有源圖案的第二部分的上表面，并且接觸插塞的上部包括凹陷部分；著陸焊盤圖案，其接觸接觸插塞的上表面的至少一部分；以及第三絕緣圖案，其填充著陸焊盤圖案之間的開口并接觸凹陷部分。

18、在一些實(shí)施方式中，著陸焊盤圖案以蜂窩結(jié)構(gòu)布置，蜂窩結(jié)構(gòu)設(shè)置在連接的六邊形的每個(gè)頂點(diǎn)處以及六邊形中的每一個(gè)的中心處。

19、在一些實(shí)施方式中，接觸插塞的最上表面高于位線結(jié)構(gòu)的最上表面。

20、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括第一接觸插塞，第一接觸插塞具有隔離的形狀并且接觸有源圖案中的每一個(gè)的第二部分的上表面。電容器可接觸第一接觸插塞的上表面的至少一部分。

21、在一些實(shí)施方式中，電容器包括下電極、電介質(zhì)層和上電極。下電極可以以蜂窩結(jié)構(gòu)布置，該蜂窩結(jié)構(gòu)設(shè)置在連接的六邊形的每個(gè)頂點(diǎn)處和六邊形中的每一個(gè)的中心處。

22、在一些實(shí)施方式中，在第二方向上并排布置的有源圖案限定有源列，并且在第一方向上并排布置的有源圖案限定有源行。包括在有源列中的有源圖案的第一部分可沿第二方向布置，并且包括在有源行中的有源圖案的中心部分可沿第一方向布置。

23、在一些實(shí)施方式中，在平面圖中，有源列在第一方向上重復(fù)地布置。

24、在一些實(shí)施方式中，在平面圖中，有源圖案中的每一個(gè)的側(cè)壁具有在第三方向上延伸的直線形狀、在第三方向上延伸的彎曲形狀、以及具有在第二方向上延伸的上部和下部以及在上部和下部之間并在第一方向上延伸的中部的形狀中的一種。

25、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括在位線圖案與有源圖案的第一部分的上表面之間的金屬硅化物圖案。

26、在一些實(shí)施方式中，第一接觸插塞具有隔離的形狀并且接觸有源圖案中的每一個(gè)的第二部分的上表面；并且第二接觸結(jié)構(gòu)接觸第一接觸插塞的上表面的至少一部分。電容器可接觸第二接觸結(jié)構(gòu)。

27、在一些實(shí)施方式中，在平面圖中，有源圖案中的每一個(gè)的上端部分和有源圖案中的每一個(gè)的下端部分被布置為在相對(duì)于第一方向傾斜的第三方向上間隔開。在第二方向上并排布置的有源圖案限定有源列，并且有源列在第一方向上重復(fù)布置。

28、在一些實(shí)施方式中，在平面圖中，有源圖案中的每一個(gè)的側(cè)壁具有在第三方向上延伸的直線形狀、在第三方向上延伸的彎曲形狀、以及具有在第二方向上延伸的上部和下部以及在上部和下部之間并在第一方向上延伸的中部的形狀中的一種。

29、在一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置包括第一接觸插塞與電容器之間的第二接觸結(jié)構(gòu)。第二接觸結(jié)構(gòu)可接觸第一接觸插塞的上表面的至少一部分。

30、在各種示例中，描述了形成半導(dǎo)體裝置的有源圖案的工藝。此外，一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)和一個(gè)電容器可設(shè)置在有源圖案中的每一個(gè)中，并且因此，一個(gè)存儲(chǔ)器單元可形成在有源圖案中的每一個(gè)中。半導(dǎo)體裝置可高度集成，并且可容易地形成包括在半導(dǎo)體裝置中的元件。