1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，所述多個有源圖案中的每一個有源圖案的側(cè)壁具有在所述第三方向上延伸的直線形狀、在所述第三方向上延伸的彎曲形狀、以及具有在所述第二方向上延伸的上部和下部以及在所述上部和所述下部之間并且在所述第一方向上延伸的中部的形狀中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第三方向?qū)?yīng)于所述多個有源圖案中的每一個有源圖案沿著其延伸的方向。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，在所述第一方向上并排布置的多個有源圖案限定有源行，
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述多個有源圖案上的第一凹部中。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個有源圖案的所述第一部分的上表面低于所述多個有源圖案的所述第二部分的上表面。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，絕緣間隔件在所述第二方向上延伸，并且被限定在所述多個有源圖案的所述第二部分的側(cè)壁與所述位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述位線結(jié)構(gòu)包括位線圖案和第一絕緣圖案，所述位線圖案包括導(dǎo)電材料。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，多個第二接觸結(jié)構(gòu)以蜂窩結(jié)構(gòu)布置，所述蜂窩結(jié)構(gòu)設(shè)置在連接的六邊形的每個頂點處和所述六邊形中的每個六邊形的中心處。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一接觸插塞的最上表面低于所述位線結(jié)構(gòu)的最上表面。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，還包括在所述第二方向上位于所述第一接觸插塞之間的第二絕緣圖案，并且
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第一接觸插塞，所述第一接觸插塞具有隔離的形狀并且接觸所述多個有源圖案中的每一個有源圖案的所述第二部分的上表面，并且
15.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述第二方向上并排布置的有源圖案限定有源列，并且在所述第一方向上并排布置的有源圖案限定有源行，并且
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，多個有源列在所述第一方向上重復(fù)地布置。
18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，在平面圖中，所述多個有源圖案中的每一個有源圖案的側(cè)壁具有在所述第三方向上延伸的直線形狀、在所述第三方向上延伸的彎曲形狀、以及具有在所述第二方向上延伸的上部和下部以及在所述上部和所述下部之間并在所述第一方向上延伸的中部的形狀中的一種。
19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
20.一種半導(dǎo)體裝置，包括：